NAND Flash閃存芯片提價(jià) 可能重新回歸千元以上“站崗”

新年伊始，讓PC用戶(hù)們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。

2020-01-02 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 1.2k 0

三星華城芯片工廠斷電，或?qū)⒃斐蓛?nèi)存、閃存漲價(jià)速度大幅提前

2020年1月1日，三星電子公司表示，在發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。目前正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并評(píng)估造成的損失。

2020-01-02 標(biāo)簽：dramnand三星電子 3.2k 0

三星電子Fab 17工廠斷電 DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線受到波及

1 月 2 日訊，據(jù)悉，2019 年的最后一天，三星電子對(duì)外確認(rèn)，周二下午在韓國(guó)華城芯片工廠發(fā)生斷電事故，持續(xù)大約一分鐘，導(dǎo)致其部分生產(chǎn)線暫停。

2020-01-02 標(biāo)簽：DRAMNAND 2.1k 0

2019年SSD發(fā)展總結(jié)：NAND層數(shù)不斷增加，TLC仍是首選

老牌硬件媒體AnandTech發(fā)表文章總結(jié)了2019年SSD的發(fā)展，AnandTech認(rèn)為在過(guò)去的一年里，固態(tài)硬盤(pán)的NAND層數(shù)在不斷增加，QLC SS...

2020-01-02 標(biāo)簽：nandssd 4.2k 0

閃存漲價(jià)潮來(lái)臨 國(guó)內(nèi)產(chǎn)品跟海外的先進(jìn)水平又一步縮短

12 月 30 日訊，報(bào)道稱(chēng)，閃存貶價(jià)現(xiàn)已兩年了，可是現(xiàn)在好日子要完畢了。自從 6 月份東芝、西數(shù)坐落日本的 NAND 閃存工廠斷電罷工一個(gè)月之后，閃存...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存NAND 899 0

NAND閃存跌價(jià)結(jié)束 一個(gè)月來(lái)的漲幅接近20%

閃存跌價(jià)已經(jīng)兩年了，但是現(xiàn)在好日子要結(jié)束了。自從6月份東芝、西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠斷電停工一個(gè)月之后，閃存市場(chǎng)就一直有各種漲價(jià)的傳聞，聽(tīng)多了大家...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存NAND 768 0

SK海力士CES展即將亮相兩款128層4D NAND新品

最新消息，SK海力士將在2020年消費(fèi)電子展（CES）上推出兩款消費(fèi)類(lèi)PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意...

2019-12-30 標(biāo)簽：NANDCES展會(huì)SK海力士 4.3k 0

美光CEO過(guò)于樂(lè)觀 認(rèn)為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)一片光明

美光首席執(zhí)行官桑賈伊·梅赫羅特拉表示，2019 年抑制價(jià)格上漲的存儲(chǔ)芯片正處于一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，存儲(chǔ)行業(yè)將會(huì)迎來(lái)更好。因此，接下來(lái)的兩個(gè)財(cái)政季度應(yīng)開(kāi)始顯示出更...

2019-12-30 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)美光 813 0

美光：DRAM價(jià)格下降放緩，NAND閃存正上升

美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國(guó)政府的實(shí)體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過(guò)于求，美光面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)...

2019-12-27 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.8萬(wàn) 0

旺宏攪局3D NAND 預(yù)計(jì)明年投資新臺(tái)幣87億元

新聞主體：旺宏電子于 1989 年創(chuàng)立于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，是全球少數(shù)能夠提供從 512Kbit 至 2Gbit 完整 Serial NOR Flash ...

2019-12-25 標(biāo)簽：NAND 1.1k 0

浦科特M9P Plus AIC固態(tài)硬盤(pán)推出，搭載東芝原廠96層3D NAND顆粒

作為市面位數(shù)不多的AIC固態(tài)，浦科特M9P AIC固態(tài)硬盤(pán)也推出了Plus版本，還是原來(lái)的設(shè)計(jì)，顆粒、主控以及NVMe協(xié)議獲得更新。

2019-12-23 標(biāo)簽：東芝nand硬盤(pán) 4.1k 0

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來(lái)增長(zhǎng)

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬...

2019-12-23 標(biāo)簽：DRAMNAND 1.1k 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于...

2019-12-23 標(biāo)簽：NANDNAND閃存 5.4k 0

隨著存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情回暖 美光預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

美光科技公布截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收及盈利均超市場(chǎng)分析師預(yù)期，分析師此前平均預(yù)期營(yíng)收為49.9億美元，平均預(yù)期每股收益...

2019-12-20 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 1.1k 0

5G通信引領(lǐng)，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)...

2019-12-20 標(biāo)簽：dramnand5g 4k 0

美光：沖刺2020財(cái)年 DRAM，NAND有望Q3恢復(fù)

美光科技公司（Micron）于昨日宣布了截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)。 12月18日下午4:30（美國(guó)東部時(shí)間），美光舉行了最新...

2019-12-19 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.7萬(wàn) 0

三星擴(kuò)大西安3D NAND工廠設(shè)施，新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國(guó)西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。

2019-12-18 標(biāo)簽：nand三星電子 3.7k 0

增資80億美元！三星促進(jìn)中國(guó)NAND閃存芯片生產(chǎn)

三星電子是消費(fèi)者級(jí)產(chǎn)品的最大知名品牌之一。但是，大多數(shù)人都不知道這家韓國(guó)科技巨頭的實(shí)際規(guī)模和經(jīng)營(yíng)規(guī)模，其中還包括其他智能手機(jī)OEM的芯片制造工藝?，F(xiàn)在，...

2019-12-13 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 5k 0

三星加大投資 明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星電子將對(duì)其中國(guó)芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升...

2019-12-13 標(biāo)簽：NAND三星電子內(nèi)存 757 0

三星持續(xù)投資閃存芯片 加劇與NAND市場(chǎng)的差異化

12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)...

2019-12-12 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 829 0