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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)：以零電路和低功耗同時執(zhí)行傳感和計算任務(wù)

提出了一種集成傳感和計算功能的MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以同時執(zhí)行加速度傳感和分類任務(wù)，這種一體化結(jié)構(gòu)以零電路和低功耗運(yùn)行。

2023-05-15 標(biāo)簽：NAND mems 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1k 0

全球半導(dǎo)體市場未來5年復(fù)合年增長率或達(dá)8%

市場研究公司IC Insights的最新報告顯示，在經(jīng)歷了一段時間的低迷后，全球半導(dǎo)體行業(yè)2011至2016年的復(fù)合年增長率將達(dá)到8.0%，遠(yuǎn)高于200...

2012-08-15 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體市場 1k 0

3D NAND閃存技術(shù)成熟：產(chǎn)量增長高于需求，降價是必然趨勢

亞洲內(nèi)存芯片制造商的生產(chǎn)計劃和前景將受到密切關(guān)注，本周這些制造商將開始陸續(xù)公布季度財報。此前，由于擔(dān)心長達(dá)兩年時間的行業(yè)繁榮超級周期可能會終結(jié)，這些公司...

2018-07-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 1k 0

全球NAND市場觀察：NAND下旬合約價續(xù)跌6－9％

　　5月下旬NANDFlash價格仍未見止跌跡象，根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，5月下旬合約價仍下跌6％至9％，由于總體經(jīng)濟(jì)仍舊是最大變數(shù)，加上云...

2012-06-05 標(biāo)簽：NAND NANDFlash NAND市場 1k 0

NOR Flash行業(yè)將迎來拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求

在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。臺灣經(jīng)濟(jì)日報今日有消息指出，預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM NAND NOR flash 1k 0

新iPhone手機(jī)NAND芯片供應(yīng)不足蘋果向三星請求援助

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：7月6日，蘋果當(dāng)前的芯片供應(yīng)商在供應(yīng)2017年新版iPhone系列手機(jī)所需的NAND芯片方面面臨供貨不足的問題，為此，蘋果不得不將三...

2017-07-07 標(biāo)簽：nand 三星電子蘋果 1k 6

XT26Q02D 1.8V 2G-bit SPI NAND Flash

還在為數(shù)據(jù)存儲的安全性和速度發(fā)愁？ XT26Q02D 1.8V 2G-bit SPI NAND Flash 就像一位訓(xùn)練有素的圖書管理員，不僅能閃電般找...

2025-11-12 標(biāo)簽：Nand 數(shù)據(jù)存儲 1k 0

三星半導(dǎo)體立志達(dá)成高額營業(yè)利潤

證券分析人士預(yù)計，2023年，三星電子整體營業(yè)利潤將達(dá)33.81萬億韓元，這使得該公司DS部門的營業(yè)利潤有望翻倍。然而需要注意的是，盡管這樣的預(yù)期表現(xiàn)積...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM Nand 三星電子 1k 0

西部數(shù)據(jù)深耕工業(yè)應(yīng)用場景，以多樣化解決方案賦能制造行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型

51CTO 當(dāng)前，數(shù)字經(jīng)濟(jì)已經(jīng)成為推動全球經(jīng)濟(jì)增長的新引擎，加速企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程，推進(jìn)業(yè)務(wù)的創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，已經(jīng)成為企業(yè)的第一要務(wù)。作為制造大國，...

2023-02-27 標(biāo)簽：NAND 存儲智能化 1k 0

三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測將出現(xiàn)供大于求

根據(jù)2017年的存儲器市場來看，價格的大幅度上漲，內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭，市場供不應(yīng)求的局面，致使三星計劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存...

2018-01-03 標(biāo)簽：dram nand 三星電子 1k 0

2017下半年NAND型快閃存儲器下半年持續(xù)缺貨

盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲器市場有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場，對旺宏不會有所影響。

2017-07-26 標(biāo)簽：nand 存儲器 1k 2

NAND Flash綜合價格指數(shù)將再次上漲6%

市場主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價格維持平穩(wěn)走勢，240GB/480GB TLC SSD價格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 1k 0

2023年存儲芯片市場下滑將比去年減少17％

由主要半導(dǎo)體廠商組成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）發(fā)布的報告稱，2023年半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少4.1％，降至5565億美元，此前曾預(yù)期增長4....

2022-12-01 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片 SK海力士 1k 0

佰維EPS200、C1008斬獲“硬核中國芯”最佳存儲芯片獎、“汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎”

近期，佰維EPS200、C1008產(chǎn)品喜報頻傳。兩款芯片先后在眾多參評產(chǎn)品中脫穎而出，一舉斬獲硬核中國芯2022年度最佳存儲芯片獎、維科杯·OFweek...

2022-11-30 標(biāo)簽：NAND 汽車電子 SSD 1k 0

SD NAND工業(yè)級存儲的新選擇

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲 1k 0

Atonarp 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器

3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）...

2023-06-21 標(biāo)簽：分析儀 NAND 存儲器 1k 0

DRAM價格沒有回升跡象，DDR5繼續(xù)下跌

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，到 2022 年為止，DRAM 現(xiàn)貨價格已下跌超過 40%，而 NAND 閃存晶圓價格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。

2023-01-04 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1k 0

美光宣布在印度建造封測工廠，投資總額高達(dá)27.5億美元

近日，美光科技公司今天宣布計劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測試工廠，新工廠將實(shí)現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測試制造。

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 美光 1k 0

三星預(yù)估Q2營業(yè)利潤環(huán)比下滑5.4%，最主要的原因是NAND跌價

7月6日，三星預(yù)估2018年Q2季度營收在57兆韓元-59兆韓元（約合510億美元-527億美元），平均值58兆韓元（518億美元）相較于上一季度環(huán)比下...

2018-08-09 標(biāo)簽：NAND 三星電子 1k 0

震撼存儲產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD

震撼存儲產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD 去年8月份，Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤，從50nm進(jìn)化至34...

2010-02-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 993 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
安博會

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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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長鑫存儲

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