西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”？

西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”。據(jù)路透、彭博報(bào)道，一位知情人士稱(chēng)透露，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)重啟與鎧俠的并購(gòu)交易談判。

2023-01-10 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè) 846 0

今日看點(diǎn)丨曝三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%；傳蘋(píng)果將大砍一半產(chǎn)線員工

1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ，現(xiàn)已通報(bào)客戶(hù) ? 6月26日，多家媒體報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（D...

2024-06-27 標(biāo)簽：DRAMNAND蘋(píng)果 846 0

在美好的存儲(chǔ)世界中，有什么是可能的？

安全TRIM不僅指刪除數(shù)據(jù)，還涉及管理一旦刪除就會(huì)留在存儲(chǔ)器上的標(biāo)記。 根據(jù)數(shù)據(jù)的敏感程度，刪除數(shù)據(jù)后在閃存上找不到殘留是非常重要的，因?yàn)檫@可能會(huì)暴露可信信息。

2020-07-14 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)系統(tǒng) 845 0

淺析國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)面臨的挑戰(zhàn)

當(dāng)你與一位半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的老投資者交談時(shí)，你會(huì)看到，他面對(duì)這個(gè)模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因?yàn)槠茐睦麧?rùn)的因素總是存在，而一些因素可能會(huì)壓倒你在投...

2018-06-06 標(biāo)簽：NAND 834 0

2011年全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度...

2012-02-07 標(biāo)簽：NAND閃存芯片 832 0

三星持續(xù)投資閃存芯片 加劇與NAND市場(chǎng)的差異化

12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)...

2019-12-12 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 831 0

IC Insights:智能機(jī)帶動(dòng)存儲(chǔ)器未來(lái)五年最看俏

IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,...

2017-01-10 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 820 0

西安2工廠NAND Flash開(kāi)始量產(chǎn)以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求

三星在該工廠主要量產(chǎn)用于智能手機(jī)，PC，服務(wù)器等領(lǐng)域作為數(shù)據(jù)處理設(shè)備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是，通過(guò)垂直結(jié)構(gòu)堆疊電路提高儲(chǔ)存容...

2020-03-20 標(biāo)簽：NAND三星電子 818 0

IDC：2013年半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收評(píng)估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長(zhǎng)。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 815 0

美光CEO過(guò)于樂(lè)觀 認(rèn)為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)一片光明

美光首席執(zhí)行官桑賈伊·梅赫羅特拉表示，2019 年抑制價(jià)格上漲的存儲(chǔ)芯片正處于一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，存儲(chǔ)行業(yè)將會(huì)迎來(lái)更好。因此，接下來(lái)的兩個(gè)財(cái)政季度應(yīng)開(kāi)始顯示出更...

2019-12-30 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)美光 815 0

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開(kāi)售

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開(kāi)售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，...

2010-03-23 標(biāo)簽：NANDIMFT 814 0

成本上漲 內(nèi)存、閃存過(guò)去半年漲價(jià)有多狠？沒(méi)法直視 看完徹底不想買(mǎi)了

上半年即將過(guò)完，而在今年這波漲價(jià)大潮中，內(nèi)存、閃存到底漲價(jià)有多狠呢？讓人簡(jiǎn)直沒(méi)法直視，前者價(jià)價(jià)狂漲39%，而后者也漲了21%。

2017-06-30 標(biāo)簽：dramnand 814 0

英特爾大連廠攻NAND 市場(chǎng)恐供過(guò)于求

全球半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布，旗下位于大陸大連的12寸晶圓廠將由原本生產(chǎn)電腦晶片組，轉(zhuǎn)為制造儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash），總投資金額達(dá)55億美元...

2015-10-22 標(biāo)簽：英特爾NAND 813 0

Intel和SK Hynix提出閃存未來(lái)的兩項(xiàng)重要進(jìn)展

TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。

2023-03-14 標(biāo)簽：閃存NANDintel 805 0

短期內(nèi)NAND閃存需求的不如人意 并不影響市場(chǎng)的長(zhǎng)期向好態(tài)勢(shì)

進(jìn)入2019年第二季度，NAND閃存的價(jià)格繼續(xù)呈下跌態(tài)勢(shì)，根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心第一季度末發(fā)布的數(shù)據(jù)，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果...

2019-05-22 標(biāo)簽：閃存NAND 805 0

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來(lái)，全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中...

2019-11-14 標(biāo)簽：閃存NAND 803 0

雖然DRAM及NAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但美光繼續(xù)看好

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升20...

2018-07-06 標(biāo)簽：DRAMNAND 801 0

存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，NAND Flash或?qū)⒊蔀榘雽?dǎo)體行業(yè)2018年的主戰(zhàn)場(chǎng)

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用、第五代移動(dòng)通訊（5G ）擴(kuò)增實(shí)境（AR）/虛擬實(shí)境（VR）及人工智慧（AI）將為半...

2018-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND存儲(chǔ)器 801 0