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pmos管技術(shù)

直流電路防反接方案

在直流電源系統(tǒng)中，電源的輸入端，為了防止電源正負(fù)極接反，通常會(huì)在輸入端對(duì)電源進(jìn)行防反接保護(hù)。防反接保護(hù)的方法有很多種，今天就來(lái)介紹一下。

2022-10-24 標(biāo)簽：二極管直流電源 NMOS管 9.4k 0

pmos管防反接簡(jiǎn)單電路介紹

PMOS管防反接電路是一種用于防止電源反接的電路設(shè)計(jì)，它利用PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）管的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)功能。一、PMOS管防反接電路的工...

2024-10-07 標(biāo)簽：電路電源反接半導(dǎo)體 9.1k 0

一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開(kāi)關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。

2023-06-20 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS管 9k 0

如何判斷NMOS管和PMOS管

　MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOS管源極管腳 8.9k 1

PMOS管和NMOS管的區(qū)別

　　MOS管的管腳：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管 MOS 柵極 8.7k 0

淺析芯片功耗的控制方法與驗(yàn)證方式

隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升，功耗成為近年來(lái)芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越關(guān)注的話題。對(duì)功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析，用戶(hù)角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。

2023-06-29 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 8.3k 0

怎樣去設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)易的獨(dú)立雙電源供電電路呢？

相信大家經(jīng)常會(huì)遇到外部交流電源和鋰電池這種雙電源供電的設(shè)備，因?yàn)檫@次做項(xiàng)目需要實(shí)現(xiàn)這樣的功能

2023-11-24 標(biāo)簽：鋰電池交流電源雙電源供電 8.1k 1

列舉一些常見(jiàn)的PMOS管應(yīng)用

MOSFET作為OBC，電調(diào)，BMS和Charger，各類(lèi)數(shù)字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOSFET 正激電源鉗位電路 8k 0

高增益單級(jí)運(yùn)放和增益自舉電路設(shè)計(jì)

通過(guò)M9電流200uA，兩條支路分別是100uA的電流。我們計(jì)算設(shè)計(jì)仿真的順序是：M9-M7M8-M5M6-M1M2-M3M4。

2023-11-21 標(biāo)簽：二極管電路設(shè)計(jì)運(yùn)放 7.9k 1

MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理詳解

你要是想讀懂這篇文章，請(qǐng)先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)，本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展，可能有一點(diǎn)點(diǎn)深，請(qǐng)各位同學(xué)注意。

2023-11-15 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管源極 7.8k 0

MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)

前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號(hào)，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家...

2023-04-25 標(biāo)簽：模擬電路 MOSFET MOS管 7.7k 0

gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級(jí)放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對(duì)，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標(biāo)簽：放大器濾波器電源電壓 6.7k 0

用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)

下拉晶體管源極輸出端即為啟動(dòng)電路的啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)，該啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極，啟動(dòng)電路工作時(shí)將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管電流鏡晶體管 6.6k 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。

2023-07-06 標(biāo)簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 6.2k 0

NMOS管和PMOS管的原理、選型及應(yīng)用

如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 6.1k 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說(shuō)的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫(huà)原理圖一樣，開(kāi)始是設(shè)計(jì)庫(kù)，后面是根據(jù)庫(kù)中的器件畫(huà)原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 6.1k 0

CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析

采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-06-18 標(biāo)簽：NMOS 電流鏡偏置電壓 6k 0

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 TTL電平 6k 0

控制器的高低邊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

由于工藝和成本的問(wèn)題，一般由N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管作低邊驅(qū)動(dòng)，其具體結(jié)構(gòu)如下圖所示。

2023-11-14 標(biāo)簽：控制器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 6k 1

MOS管用作防反接的接法

“電路防反接，你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法，理解了嗎?”，做過(guò)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師，都會(huì)在電源部分加入防反接電路，主要目的就是怕電源的GND...

2023-01-10 標(biāo)簽：二極管 MOS管 MOS 5.9k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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