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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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SM16169內(nèi)置SRAM PWM恒流驅(qū)動(dòng)IC 輸出電流2~30mA

SM16169 是一款專為L(zhǎng)ED顯示屏設(shè)計(jì)的高性能、高刷新率的恒流驅(qū)動(dòng)芯片，它采用了SM-PWM（Sub-Multiplex Pulse Width M...

2024-12-31 標(biāo)簽：IC sram PWM 2.4k 0

Microchip微芯串行SPI SRAM芯片簡(jiǎn)述

串行SRAM是一種獨(dú)立的易失性存儲(chǔ)器，它提供了一種簡(jiǎn)單且便宜的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多RAM。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和...

2022-05-30 標(biāo)簽：microchip sram 2.4k 0

四種不同類型的存儲(chǔ)器介紹

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的術(shù)語，它們代表了不同類型的存儲(chǔ)器，各自有不同的特性和用途

2024-04-15 標(biāo)簽：DRAM ROM sram 2.4k 0

1Mb國(guó)產(chǎn)串口SRAM芯片EMI7001WTMI

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)芯片EMI7001WTMI是一款容量為1Mb的串口SRAM，采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，提供高速性能和低功耗。其內(nèi)部組織為128K字，...

2021-08-31 標(biāo)簽：芯片接口 sram 2.4k 0

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAM的FPGA 耗電量最高可降低50%

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起備貨 Microsemi的PolarFire?現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）。此款基于閃存的中...

2019-01-19 標(biāo)簽：FPGA SRAM 貿(mào)澤電子 2.3k 0

具有內(nèi)置AES的FPGA保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

編程狀態(tài)探測(cè)也用于攻擊基于反熔絲的 FPGA。技術(shù)包括聚焦離子束（FIB）技術(shù)和掃描電子顯微鏡（SEM）。

2022-06-15 標(biāo)簽：fpga 寄存器 sram 2.3k 0

SRAM市場(chǎng)與技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MOS 2.3k 0

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。

2023-07-25 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 2.3k 0

SRAM存儲(chǔ)器寫操作分析

目前針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中...

2020-04-30 標(biāo)簽：sram SRAM存儲(chǔ)器 SRAM讀寫控制 2.3k 0

淺談幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)...

2020-10-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.3k 0

關(guān)于不同類別存儲(chǔ)器基本原理的解析

存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。...

2020-06-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 2.3k 0

用基于SRAM的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)加速AI推理

瑞薩電子開發(fā)了一種新的內(nèi)存處理器 (PIM) 技術(shù)，用于在低功耗邊緣設(shè)備中加速 AI 推理。用于基于 SRAM 技術(shù)的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)了 8.8 TOPS/...

2022-07-21 標(biāo)簽：芯片 sram AI 2.2k 0

芯?？萍既峦瞥鯟S8M320系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU

芯?？萍既峦瞥鯟S8M320（簡(jiǎn)稱M320）系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU 。

2023-12-29 標(biāo)簽：傳感器 mcu sram 2.2k 0

ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

美國(guó)ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...

2021-04-08 標(biāo)簽：sram ISSI 2.2k 0

現(xiàn)代商用FPGA架構(gòu)的不同關(guān)鍵組件的演變

自三十多年前問世以來，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGAs)已被廣泛用于實(shí)現(xiàn)來自不同領(lǐng)域的無數(shù)應(yīng)用。由于其底層的硬件可重新配置性，與定制設(shè)計(jì)的芯片相比，F(xiàn)PGA...

2023-01-31 標(biāo)簽：fpga sram 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 2.2k 0

Cypress和Ramtron達(dá)成并購(gòu)協(xié)定

Cypress Semiconductor和Ramtron International達(dá)成了一項(xiàng)確定性購(gòu)協(xié)定。根據(jù)協(xié)定，Cypress將以每股3.10美...

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國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)芯片EMI502HF08VM-10I介紹

靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存...

2021-09-28 標(biāo)簽：電源芯片 sram 2.1k 0

SRAM芯片適用于智能穿戴應(yīng)用

自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是...

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首款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的超高性能MCU

GD32H7 系列 MCU 配備了 1024KB 到 3840KB 的片上 Flash 及 1024KB 的 SRAM，其中包含 512KB 可配置超大...

2023-05-15 標(biāo)簽：mcu sram 數(shù)字信號(hào)處理 2.1k 0

XL32F003Q32 QFN32封裝大資源64K的flash和8K的SRAM

XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM*Cortex*-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達(dá)64 Kbytes flash和8 K...

2022-11-03 標(biāo)簽：微控制器 FlaSh sram 2.1k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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