鎧俠EXCERIA PLUS極至光速G3 1TB SSD評(píng)測(cè)

鎧俠(Koxia)作為新興的全球知名存儲(chǔ)產(chǎn)品制造商，由東芝存儲(chǔ)更名而來(lái)，雖然沒有三星、希捷知名度那么高，但實(shí)力不容小覷。

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)SSD 2.8k 0

SSD入門必看|這些專業(yè)術(shù)語(yǔ)你知道多少？

SSD領(lǐng)域涉及到較多的專業(yè)術(shù)語(yǔ)，為了更深入地了解SSD技術(shù)，本文對(duì)常用SSD術(shù)語(yǔ)進(jìn)行簡(jiǎn)要的說(shuō)明和介紹。Namespace命名空間，是NVMe協(xié)議中一個(gè)基...

2023-12-16 標(biāo)簽：寄存器SSD數(shù)據(jù)保護(hù) 2.2k 0

一文詳解SSD中的掉電保護(hù)（熱插拔）原理

作為企業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)NVMe塊設(shè)備接口的固態(tài)硬盤固件，需要保證在存儲(chǔ)系統(tǒng)遇到異常掉電的情況下，或?qū)ΡP進(jìn)行熱插拔操作的情況下，保證盤上數(shù)據(jù)的可用性，正確性和一致性。

2023-12-12 標(biāo)簽：Nand熱插拔SSD 1.6萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評(píng)測(cè)

其實(shí)早在年初，就有不少搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒的國(guó)產(chǎn)4TB SSD，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自有品牌致態(tài)，直到現(xiàn)在才推出這款致態(tài)TiPlus7100 4TB。

2023-12-12 標(biāo)簽：閃存SSDPCIe 4.7k 0

NVMe SSD性能影響因素一探究竟（下）

IO Pattern會(huì)對(duì)SSD的性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響，主要表現(xiàn)在如下幾個(gè)方面

2023-12-09 標(biāo)簽：QoSSSDNand flash 3.1k 0

致態(tài)NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB評(píng)測(cè)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)發(fā)布了新款NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB, 這是品牌第一款4TB大容量產(chǎn)品，之前TiPlus7100提供512...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存SSD長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.9k 0

深度解析數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

開源數(shù)據(jù)庫(kù)MySQL和PostgreSQL占據(jù)全球數(shù)據(jù)庫(kù)市場(chǎng)格局TOP2。開源數(shù)據(jù)庫(kù)正在重構(gòu)企業(yè)核心系統(tǒng)。同時(shí)為確保業(yè)務(wù)平穩(wěn)運(yùn)行，分布式數(shù)據(jù)庫(kù)存算分離架...

2023-12-06 標(biāo)簽：SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)AI 1.8k 0

SSD和HDD的具體對(duì)比

SSD廠商早就預(yù)測(cè)NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競(jìng)爭(zhēng)。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。

2023-12-01 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 3k 0

什么是CXL？一文了解高速互聯(lián)技術(shù)CXL

Compute Express Link（CXL）作為一種先進(jìn)的互連技術(shù)，在當(dāng)今高性能計(jì)算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注

2023-11-29 標(biāo)簽：處理器加速器SSD 9.5k 0

談?wù)凷SD主控芯片

SSD主控芯片（SSD controller）好比固態(tài)硬盤的大腦。

2023-11-29 標(biāo)簽：SSD固態(tài)硬盤主控芯片 4.9k 0

Crucial英睿達(dá)T500 PCIe Gen4 NVMe SSD評(píng)測(cè)

作為PC上的核心硬件之一，SSD 在今年的價(jià)格方面可謂是一波三折，不過(guò)總的趨勢(shì)是大容量的SSD得到了迅速普及，而且由于光追游戲的增多，以及內(nèi)容創(chuàng)作、人工...

2023-11-28 標(biāo)簽：SSD固態(tài)硬盤Crucial 2.6k 0

MySQL數(shù)據(jù)庫(kù)主從同步延遲產(chǎn)生的原因

master端修改linux、Unix文件系統(tǒng)中文件的etime屬性， 由于每當(dāng)讀文件時(shí)OS都會(huì)將讀取操作發(fā)生的時(shí)間回寫到磁盤上，對(duì)于讀操作頻繁的數(shù)據(jù)庫(kù)...

2023-11-28 標(biāo)簽：服務(wù)器SSD數(shù)據(jù)庫(kù) 1.2k 0

高速信號(hào)為啥要走表層？

高速信號(hào)為啥要走表層？

2023-12-05 標(biāo)簽：存儲(chǔ)SSD高速信號(hào) 1.4k 0

一種提升存儲(chǔ)資源利用率的方法

在現(xiàn)代云平臺(tái)中，存儲(chǔ)設(shè)備，如基于閃存的固態(tài)硬盤（SSD）已經(jīng)被虛擬化為全系統(tǒng)的共享資源，以提供跨越多個(gè)應(yīng)用實(shí)例的存儲(chǔ)服務(wù)。這使得云平臺(tái)能夠通過(guò)在多個(gè)多租...

2023-11-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)SSD固態(tài)硬盤 2k 0

深度解析存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無(wú)...

2023-11-19 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 849 0

電源信號(hào)的噪聲測(cè)試用例分享

或者DPO5104C ** （1GHz; 10GS/s）+ P6139B探頭或TPP1000探頭

2023-11-14 標(biāo)簽：示波器SSDPC機(jī) 2k 0

NVMe SSD性能影響因素分析

NVMe SSD 廠商Spec給出的性能非常完美，前面也給出了NVMe SSD和磁盤之間的性能對(duì)比，NVMe SSD的性能的確比磁盤高很多。

2023-11-13 標(biāo)簽：FlaShcpuSSD 2.9k 0

基于深度學(xué)習(xí)的道路小目標(biāo)檢測(cè)優(yōu)化方法

在使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行特征提取時(shí)，不同的網(wǎng)絡(luò)深度對(duì)應(yīng)不同層次的特征。低層特征的分辨率更高，像素更豐富，包含更多的細(xì)節(jié)信息和位置信息，對(duì)于目標(biāo)的定位有極大...

2023-11-07 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分辨率SSD 1k 0

NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬(wàn)計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 1.6k 0

手機(jī)主流存儲(chǔ)器件UFS與NVMe詳細(xì)對(duì)比分析

NVMe是專門為高速閃存芯片設(shè)計(jì)的協(xié)議，主要是為企業(yè)級(jí)和數(shù)據(jù)中心的PCIe SSD設(shè)計(jì)的接口標(biāo)準(zhǔn)，來(lái)充分發(fā)揮閃存的性能。NVMe通訊協(xié)議+PCIe總線協(xié)...

2023-11-01 標(biāo)簽：SSDPCIeemmc 1.1萬(wàn) 0