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微電子技術(shù)作為當今工業(yè)信息社會發(fā)展最快、最重要的技術(shù)之一，是電子信息產(chǎn)業(yè)的“心臟”。而微電子技術(shù)的重要標志，正是半導體集成電路技術(shù)的飛速進步和發(fā)展。...
強大的自動化水平：用于自動化測試流程和數(shù)據(jù)管理的完整軟件套件；執(zhí)行復雜邏輯，如搜索、優(yōu)化和并行執(zhí)行；先進的導航工具、可移植序列和邏輯學...
清洗硅晶片，在其上形成諸如金屬或絕緣膜的薄膜，并且通過光刻形成用于電路圖案的抗蝕劑掩模。然后，通過干法蝕刻進行實際加工，去除并清洗不需要的抗蝕劑，并檢查圖案尺寸。在這里，光刻和干法蝕刻這兩種技術(shù)被稱為微細加工。...
Chiplet 封裝領(lǐng)域，目前呈現(xiàn)出百花齊放的局面。Chiplet 的核心是實現(xiàn)芯片間的高速互 聯(lián)，同時兼顧多芯片互聯(lián)后的重新布線。...
光電子芯片在通信、計算、傳感等領(lǐng)域的核心作用、 成本占比和創(chuàng)新應(yīng)用不斷提擴展和提高，成為與微電子“并駕齊驅(qū)”的技術(shù)引|擎。...
焊接裂紋作為危害最大的一類焊接缺陷，嚴重影響著焊接結(jié)構(gòu)的使用性能和安全可靠性。今天，就帶大家認識一下裂紋的類型之一——層狀裂紋。...
造成張力不平衡的因素有很多，例如：左右的焊盤尺寸、焊錫厚度、溫度、貼裝偏移等。如何有效制約上述不平衡因素，是實現(xiàn)完美封裝的關(guān)鍵所在。...
碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分，分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要運作模式。...
“LTCC”是表示“低溫同時燒結(jié)陶瓷“的Low Temperature Co-fired Ceramics的縮寫。普通的電子陶瓷需要1,500°C以上的高溫進行燒結(jié)，因此，使用的電路電極只能選用耐熱金屬（鎢和鉬等）。...
機器學習（訓練和推理）支持上述應(yīng)用程序的作用也將擴大，對HPC吞吐量提出了進一步的要求。Mii博士評論說，這些HPC要求將繼續(xù)推動研發(fā)工作，以提高半導體工藝路線圖和先進（異構(gòu)）封裝技術(shù)中的邏輯密度。...
工業(yè)革命逐漸解放制造人力。制造本質(zhì)上是從“原材料”到“產(chǎn)品”的過程，內(nèi)容可以簡化為 工藝設(shè)計、工藝參數(shù)、過程控制、執(zhí)行四個步驟。...
隨著摩爾定律的終結(jié)，后摩爾時代的國際競爭將異常激烈，面對功耗和速度的雙重挑戰(zhàn)，各國都在積極探索新路線、部署新方案。超導數(shù)字電路，因為有望同時跨越速度和功耗兩項半導體電路的物理瓶頸，成為重要的備選方案。...
片寬和片長的增加 ■整片尺寸 由70x250mm增加至100x300mm ■由分塊塑封（4塊）向整塊塑封設(shè)計發(fā)展（單元個數(shù)增多-80%，單片銅耗大大降低）...
半導體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工廠分開處理。...
目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。...
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。...
本節(jié)僅描述硅基半導體的制造；大多數(shù)半導體是硅。硅特別適用于集成電路，因為它容易形成氧化物涂層，可用于對晶體管等集成組件進行圖案化。...
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