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• 何謂先進封裝/Chiplet？先進封裝/Chiplet的意義

  先進封裝/Chiplet可以釋放一部分先進制程產(chǎn)能，使之用于更有急迫需求的場景。從上文分析可見，通過降制程和芯片堆疊，在一些沒有功耗限制和體積空間限制、芯片成本不敏感的場景，能夠減少對先進制程的依賴。...

  5677次閱讀 · 0評論 中國半導(dǎo)體chiplet先進封裝

• 泛林集團的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis

  微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲單元）從來都不是容易的事情，但要想讓下一代先進邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實，就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)處理這么小的維度時，可以變化的空間微乎其微。...

  1269次閱讀 · 0評論 集成電路存儲器泛林集團GAA

• 半導(dǎo)體制造工藝超薄晶圓磨削減薄技術(shù)解析

  在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄（backthinning）加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。...

  8454次閱讀 · 0評論 晶圓半導(dǎo)體制造

• 碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

  二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。...

  1483次閱讀 · 1評論 封裝封裝技術(shù)功率器件SiC碳化硅

• 深度解讀第三代半導(dǎo)體電力電子高性能封裝和互連技術(shù)

  WBG PSC PE的現(xiàn)代高性能AIT(焊料)材料特性 ?冶金合金：(非)共晶二元(如SnPb，BiAg，AuSn，.。 三元(如SnAgCu)，(如：“InnoLot合金‘SnAgCuSbBiNi]，進一步 “摻雜劑”，例如沉淀硬化...

  955次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體封裝電力電子互連技術(shù)

• 一文解析SMT印刷與回流焊接工藝

  摘要:錫膏印刷是SMT生產(chǎn)過程中最關(guān)鍵的工序之一，印刷質(zhì)量好壞 直接影響SMD組裝質(zhì)量及效率; 60%~ 70%焊接缺陷來源于印刷。...

  997次閱讀 · 0評論 smt錫膏回流焊接

• 關(guān)于集電極開路電路的相關(guān)知識介紹

  集電極開路是各種集成電路中常見的輸出。集電極開路就像一個接地或斷開的開關(guān)。除了將IC或任何其他晶體管的輸出連接到特定設(shè)備外，還連接到NPN晶體管的集電極開路的基極端子，NPN晶體管的發(fā)射極端子與接地引腳內(nèi)部連接。...

  1809次閱讀 · 0評論 微控制器運算放大器晶體管電磁干擾集電極

• 熱風(fēng)焊臺的使用技巧分享

  隨著時代和科技的進步，現(xiàn)在的越來越多電路板的使用了貼片元件。貼片元件以其體積小和便于維護越來越受大家的喜愛。但對于不少人來說，對貼片元件感到“畏懼”，特別是對于部分初學(xué)者，因為他們認為自己不具備焊接元件的能力，覺得它不像傳統(tǒng)的直插元件那樣易于焊接把握，其實這些擔(dān)心是完全沒有必要的。讀者可以使用合適的...

  2642次閱讀 · 0評論 焊臺焊接技巧

• 使用電烙鐵的正確姿勢分享

  焊錫機器人，顧名思義是一種焊錫焊接設(shè)備，所以除了機械手運動功能外，其主要還是要完成焊錫作業(yè)。所以焊錫機器人的核心部分是焊接系統(tǒng)。焊錫系統(tǒng)主要構(gòu)成為自動送錫機構(gòu)和溫控、發(fā)熱體、烙鐵頭。...

  681次閱讀 · 0評論 電烙鐵焊接工具

• 國產(chǎn)***能否拯救中國半導(dǎo)體行業(yè)？

  6年以作者的認知我是認為不太可能達成，但就當(dāng)他可能吧，6年后我們才能擁有28nm全打通的國產(chǎn)蝕刻設(shè)備，與網(wǎng)路上鋪天蓋地的蝕刻我們已能做到5nm是不是有如云泥之別，但事實就是如此。...

  4100次閱讀 · 0評論 光刻機量子計算

• 溫差電技術(shù)的歷史及現(xiàn)狀 半導(dǎo)體致冷器的應(yīng)用情況介紹及發(fā)展前景

  可以降溫到環(huán)境溫度以下：傳統(tǒng)的散熱器需要將溫度升高到環(huán)境溫度以上才可以使用，與其不同的是熱電制冷器具有將物體溫度降低到環(huán)境溫度以下的能力。...

  4278次閱讀 · 0評論 散熱器熱電制冷器

• 晶圓級封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點解析

  射頻前端（RFFE，RadioFrequency Front-End）模組國內(nèi)外手機終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier）、開關(guān)（Switch）、低噪聲放大器LNA（Low Noise Amplifier）、濾波器（Filter）、無源器件等集成為一個模組，從而提高性...

  5468次閱讀 · 0評論 晶圓封裝制造工藝加工工藝晶圓級封裝

• 微納米電子器件的散熱流程和機理

  大規(guī)模集成電路的散熱大致上可以分為兩個(或者三個)步驟，如圖1(a)所示。第一步是單個晶體管產(chǎn)生的熱量被傳導(dǎo)通過封裝外殼。...

  2923次閱讀 · 0評論 納米石墨烯熱傳導(dǎo)納米器件

• 半導(dǎo)體集成電路和晶圓有何關(guān)系？半導(dǎo)體晶圓制造工藝介紹

  半導(dǎo)體集成電路是將許多元件集成到一個芯片中以處理和存儲各種功能的電子組件。由于半導(dǎo)體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個相同電路而產(chǎn)生的，因此晶圓是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，就像制作披薩時添加配料之前先做面團一樣。...

  6766次閱讀 · 0評論 集成電路晶圓晶圓制造

• 解讀用于毫米波的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體技術(shù)

  運行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與：1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si，GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300GHz 及以上的器件所選擇的材料。...

  1836次閱讀 · 0評論 CMOS振蕩器晶體管半導(dǎo)體材料毫米波

• 臺積電3nm工藝技術(shù)細節(jié)解讀

  最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實現(xiàn)更短的 Lg。...

  6038次閱讀 · 0評論 臺積電晶圓3nm

• 淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢

  相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點均具有一定優(yōu)勢。...

  508次閱讀 · 0評論 控制器逆變器IGBTSiC

• 為什么要進行芯片測試？芯片測試都一般包含哪些測試類型？

  考慮到每一次測試版本迭代都是幾十萬行的代碼，保證代碼不能出錯。需要涉及上百人的測試工程師協(xié)同工作，這還不算流水線技工，因此測試是費時費力的工作。...

  9055次閱讀 · 0評論 芯片測試

• SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

  SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)數(shù)量對寄生電感的影響，直接覆銅（DBC）的陶瓷基板中陶瓷層的面積和高度對寄生電容的影響，以及采用疊層換流技術(shù)優(yōu)...

  2783次閱讀 · 0評論 MOSFET封裝封裝技術(shù)SiC功率模塊

• 晶圓是什么？晶圓拋光機的定義及應(yīng)用

  晶圓拋光機作為半導(dǎo)體晶圓拋光配備，主要優(yōu)點有新型實用、經(jīng)濟成本低、容易實現(xiàn)。...

  3074次閱讀 · 0評論 晶圓拋光機
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