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A/D轉(zhuǎn)換的基本步驟

在數(shù)字信號處理的過程中，首先要做的一步就是把模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，在這一過程中，A/D轉(zhuǎn)換（模數(shù)轉(zhuǎn)換）是至關(guān)重要的一步，下面就來簡單介紹一下A/D轉(zhuǎn)換的基本步驟。...

3843次閱讀 · 0評論模擬信號數(shù)字信號模數(shù)轉(zhuǎn)換
逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理

在數(shù)字信號處理的過程中，首先要做的一步就是將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，這一過程需要依靠A/D轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)，常見的A/D轉(zhuǎn)換器有雙積分型、逐次逼近型等，這篇文章--雙積分型ADC工作原理，已經(jīng)介紹過了雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理。下面就來簡單介紹一下逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理。...

3679次閱讀 · 0評論轉(zhuǎn)換器寄存器adc模擬信號數(shù)字信號
雙積分型ADC的工作過程

雙積分型ADC基于V-T變換的比較測量原理，先將模擬電壓轉(zhuǎn)換成與其大小成正比的時間間隔，再利用基準(zhǔn)時鐘源并通過計數(shù)器將時間間隔轉(zhuǎn)換成數(shù)字量輸出。...

2089次閱讀 · 0評論 adc比較器計數(shù)器模擬電壓時鐘源
ADC測量結(jié)果不準(zhǔn)確的應(yīng)用

在數(shù)字信號處理的過程中，首先要做的一步就是將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，這一過程需要依靠A/D轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)，因此，A/D轉(zhuǎn)換器的測量結(jié)果與輸入模擬信號真實值之間的誤差將對后續(xù)的信號處理產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。但是，某些時候，ADC的測量結(jié)果并不準(zhǔn)確，這是為什么呢？...

1945次閱讀 · 0評論轉(zhuǎn)換器SARadc模擬信號數(shù)字信號
運(yùn)算放大器中的電源紋波和電源抑制比詳解

在基于運(yùn)算放大器的電路中，運(yùn)算放大器的電源引腳通常都會對地接一顆電容，這個電容其實是濾波電容。那么，為什么要加濾波電容呢？這就要涉及到電源的輸出紋波以及運(yùn)算放大器的電源抑制比了，下面就來簡單介紹一下這兩者。...

3769次閱讀 · 0評論濾波電容運(yùn)算放大器電源抑制比直流電源電源紋波
MOS管的電路分析和應(yīng)用案例

放大器：MOS管可以用作放大器，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制電流增益。這在放大音頻信號、射頻信號等方面非常有用。...

4957次閱讀 · 0評論放大器電路分析MOSFETMOS管模擬開關(guān)
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件，其作用主要分為功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)和整流等。...

6991次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT晶體管功率模塊功率半導(dǎo)體
碳化硅多芯片模塊現(xiàn)狀分析

現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率，同時減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求，適用于廣泛的領(lǐng)域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種能源消耗的步伐，必須通過提高控制電機(jī)和發(fā)電機(jī)的電力電子設(shè)備的效率來降低驅(qū)動設(shè)備的工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)的能耗，例如風(fēng)扇、泵、壓縮機(jī)和輸送系統(tǒng)。節(jié)能需求也可...

883次閱讀 · 0評論半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC功率模塊碳化硅
MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。...

15555次閱讀 · 0評論元器件MOS管柵極源極體二極管
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號模型。...

8113次閱讀 · 0評論 MOS管寄生電容CMOS集成電路驅(qū)動電壓NMOS管
模擬IC入門：MOS器件物理基礎(chǔ)知識

擴(kuò)散運(yùn)動：由熱運(yùn)動引起的隨機(jī)運(yùn)動，一般由高濃度向低濃度轉(zhuǎn)移，直到均勻分布。...

2387次閱讀 · 0評論 MOS管硅晶圓NPN晶體管CMOS工藝GND
IGBT保護(hù)的方式到底有哪些？

上圖是一個典型的三相逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這個圖里面我們直接給出了經(jīng)過直流母線之后的主電路拓?fù)?，這個逆變器的工作典型流程是這樣的...

1347次閱讀 · 0評論熔斷器三相逆變器電壓傳感器電容電壓IGBT管
NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage簡析

LDO規(guī)格書中標(biāo)注Dropout Voltage 這個指標(biāo)一般都是有特定條件的，一般有負(fù)載電流、輸出電壓條件，在備注或者測試條件中還有溫度范圍，以及輸入輸出電容大小等。...

3935次閱讀 · 0評論輸出電壓LDO電源輸出電容NMOS管PMOS管
防燒電路中的MOS管控制

目前客戶用的防燒電路中的MOS管一個主要規(guī)格要求Vth低，當(dāng)前使用的防燒MOS管Vth (Vgs=Vds，Id=250uA)小于1V。...

2347次閱讀 · 0評論 MOS管電池電壓GPIO電壓控制器PMOS管
運(yùn)放的增益帶寬積和壓擺率講解

發(fā)揮部分的設(shè)計主要考慮運(yùn)放的增益帶寬積和壓擺率，當(dāng)時小師弟用NE5532做波形放大時，發(fā)現(xiàn)方波的邊沿時間過長，影響了占空比的測量，于是我提醒了改用壓擺率大的運(yùn)放，然后小師弟使用了一個sr為70V/us的超高速運(yùn)放，結(jié)果可想而知，在洞洞板上使用了這顆超高速運(yùn)放，運(yùn)放輸出可是振蕩得相當(dāng)歡樂兒。...

15379次閱讀 · 0評論運(yùn)算放大器電路設(shè)計運(yùn)放壓擺率
運(yùn)放參數(shù)解析：壓擺率(SR)

今天繼續(xù)與大家分享運(yùn)放參數(shù)---壓擺率(SR)。...

9433次閱讀 · 0評論放大器放大電路運(yùn)放運(yùn)放參數(shù)壓擺率
運(yùn)放參數(shù)解析：運(yùn)放電路閉環(huán)穩(wěn)定性的判斷方法

經(jīng)過上一篇文章的介紹，我們已經(jīng)了解了運(yùn)放電路如下五個增益，沒了解的朋友點擊先補(bǔ)習(xí)一下功課。...

3032次閱讀 · 0評論運(yùn)放電路放大電路運(yùn)放負(fù)反饋運(yùn)放參數(shù)
運(yùn)放參數(shù)解析：電壓反饋型運(yùn)放電路的五個增益

今天給大家介紹一下電壓反饋型運(yùn)放電路的五個增益。...

4548次閱讀 · 0評論運(yùn)放電路運(yùn)放電壓反饋運(yùn)放參數(shù)閉環(huán)增益
運(yùn)放參數(shù)解析：共模抑制比(CMRR)

今天繼續(xù)給大家分享運(yùn)放另一項指標(biāo)——共模抑制比(CMRR)。...

14276次閱讀 · 0評論 emi運(yùn)放共模抑制比CMRR運(yùn)放參數(shù)
運(yùn)放參數(shù)解析：輸入輸出電壓范圍

今天繼續(xù)給大家分享運(yùn)放另一項指標(biāo)——輸入輸出電壓范圍。...

13660次閱讀 · 0評論運(yùn)放輸出電壓共模電壓電壓范圍運(yùn)放參數(shù)