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• 運放參數(shù)解析：輸入失調(diào)電壓(Vos)

  今天繼續(xù)給大家分享運放另一項指標(biāo)——輸入失調(diào)電壓(Vos)。...

  14258次閱讀 · 1評論 運放輸入信號失調(diào)電壓偏置電流運放參數(shù)
  

• 運放參數(shù)解析：輸入偏置電流(Ibias)和失調(diào)電流(Ios)

  今天與大家分享一下運放系列第一個問題：輸入偏置電流(Ibias)和失調(diào)電流(Ios)。...

  14776次閱讀 · 0評論 二極管運放BJT輸入偏置電流鉗位二極管
  

• IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。...

  19954次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT晶體管功率器件BJT
  

• 運放參數(shù)解讀之壓擺率

  運放的壓擺率（SR）是與運放的增益帶寬積（GBW）同等重要的一個參數(shù)。但它卻常常被人們所忽略。說它重要的原因是運入的增益帶寬積GBW是在小信號條件下測試的。而運放處理的信號往往是幅值非常大的信號，這更需要關(guān)注運放的壓擺率。 壓擺率可以理解為，當(dāng)輸入運放一個階躍信號時，運放輸出信號的最大變化速度 ，如...

  3789次閱讀 · 0評論 運算放大器運放運放參數(shù)壓擺率
  

• 疊加定理在運算放大器直流和交流分析中的應(yīng)用

  昨天與各位同好一起學(xué)習(xí)了疊加定理在運算放大器直流分析中的應(yīng)用，那么今天再次與各位同好重溫疊加定理，今天交流直流一起分析。...

  9051次閱讀 · 1評論 電路圖運算放大器信號發(fā)生器疊加定理
  

• 利用疊加定理分析運算放大器

  在分析運算放大器的時候，你會不會用疊加定理去分析呢？相信您看完本文會大聲感嘆疊加定理太6了??！...

  2744次閱讀 · 1評論 電路圖運算放大器疊加定理
  

• 二極管與MOS管電路怎樣防反接呢？

  以我們平時最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規(guī)情況下，二極管它是串聯(lián)在電路當(dāng)中，用來保護(hù)后級電路免受電源反接損壞。...

  1329次閱讀 · 0評論 保護(hù)電路MOS管肖特基二極管電源供電PMOS管
  

• A/D轉(zhuǎn)換的基本原理 常見AD轉(zhuǎn)換的類型

  將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號時，必須在一系列選定的時間點對輸入的模擬信號進(jìn)行采樣然后再將這些采樣值轉(zhuǎn)換為數(shù)字量輸出。整個A/D 轉(zhuǎn)換過程通常包括采樣、保持、量化和編碼3個步驟。...

  29971次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器運算放大器adc模擬信號數(shù)字信號
  

• 關(guān)于對碳化硅誤解的描述

  碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。...

  748次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT硅晶圓碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體

• 如何利用兩個三極管構(gòu)建出一種限流電路？

  限流功能電路的實現(xiàn)可以采取多種方案。其中采用過流保護(hù)芯片是一種很常見且非常有效的方法，它是能夠在電流超過一定值時便會自動切斷電源，來防止大的電流對后級電路造成損害。...

  3851次閱讀 · 0評論 三極管控制器過流保護(hù)電路限流電路GND
  

• 混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點

  IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化...

  1115次閱讀 · 0評論 二極管IGBT分立器件SBD碳化硅
  

• 京瓷研發(fā)出EIA 0201封裝高靜電容值10μF電容器

  隨著智能手機(jī)和可穿戴裝置多功能化，電子產(chǎn)品搭載的MLCC的容值日益提高，搭載的元件數(shù)量也在逐年增加。同時，各種電子設(shè)備也日趨小型化。...

  1735次閱讀 · 0評論 電容器MLCC京瓷可穿戴裝置
  

• IGBT功率模塊的開關(guān)特性有哪些呢？

  IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。...

  2821次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT晶體管寄生電容功率模塊
  

• N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作區(qū)間及開通過程分析

  　　N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，P型襯底上制作兩個高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構(gòu)成了常見的N溝道增強(qiáng)型MOS管。一般而言，襯底B和S極會連在一起，當(dāng)在柵極處加正電壓時，靠近襯底的絕緣層會產(chǎn)生感應(yīng)電荷，當(dāng)感應(yīng)電荷...

  6335次閱讀 · 0評論 二極管MOS管N溝道模擬電子特性曲線
  

• 三極管輸出特性曲線解讀

  為便于描述，畫出三極管放大電路示意圖如圖1所示。...

  10006次閱讀 · 0評論 三極管放大電路集電極特性曲線輸出特性
  

• 雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD9208產(chǎn)品介紹

  本視頻介紹一款參考設(shè)計，其將 9GHz 直接轉(zhuǎn)換 I/Q 解調(diào)器 LTC5594 DC 耦合至 3Gsps 14 位雙通道 ADC AD9208，可提供 1.2GHz 帶寬。了解怎樣優(yōu)化鏡頻抑制、IM2/IM3 和 HD2/HD3 指標(biāo)以實現(xiàn)極佳的動態(tài)范圍。...

  2844次閱讀 · 0評論 接收器解調(diào)器adc帶寬模數(shù)轉(zhuǎn)換器
  

• 運算放大器LTC6268-10做跨阻放大時波形設(shè)計問題

  微弱信號放大將1uA的電流放大到1mV，帶寬100MHz。輸入方波，在放大500倍時波形還好，但1000倍時，波形明顯成為正弦波，想知道哪里的問題？...

  3391次閱讀 · 0評論 放大器電流運算放大器反饋電容LTC6268
  

• 防浪涌用壓敏電阻和普通壓敏電阻有什么不同？

  浪涌電流電壓的持續(xù)時間比較長（可能達(dá)數(shù)mS），產(chǎn)生的能量比較大。用以浪涌防護(hù)的壓敏電阻必須能夠吸收較大的脈沖能量，為了實現(xiàn)這個性能，一般防浪涌用的壓敏電阻尺寸較大（3225～5650）。...

  1629次閱讀 · 0評論 電流電容壓敏電阻電流電壓浪涌防護(hù)
  

• 關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

  SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。...

  632次閱讀 · 0評論 IGBTSiC氮化鎵碳化硅

• 為什么MOS管溝道夾斷了還能將恒定載流子發(fā)送過去？

  對于MOS管這樣一個三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。...

  2963次閱讀 · 0評論 二極管電阻器MOS管線性電阻漏端電壓
  
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