精品久久久久免费观看,亚洲精品www.久久

技術(shù)頻道

應(yīng)用頻道

電子發(fā)燒友網(wǎng) > 技術(shù)文庫

電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動(dòng)態(tài)的最佳平臺(tái)。

射頻功率放大器功能介紹

PA應(yīng)用極為廣泛，在無線通信系統(tǒng)中，如手機(jī)、衛(wèi)星通信、Wi-Fi、蜂窩網(wǎng)絡(luò)等都需要射頻功率放大器來提供足夠的信號(hào)強(qiáng)度和覆蓋范圍。...

1388次閱讀 · 0評(píng)論射頻功率放大器無線通信低噪聲放大器雷達(dá)系統(tǒng)
深度解析TVS關(guān)鍵參數(shù)及選型技巧

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。...

6592次閱讀 · 1評(píng)論二極管TVS電壓電壓抑制器
晶振工作原理及匹配電容選取方法

我們知道可以通過調(diào)節(jié)負(fù)載電容CL來微調(diào)振蕩器的頻率，這就是為什么晶振制造商在其產(chǎn)品說明書中會(huì)指定外部負(fù)載電容CL值的原因。通過指定外部負(fù)載電容CL值，可以使晶振晶體振蕩時(shí)達(dá)到其標(biāo)稱頻率。...

5265次閱讀 · 0評(píng)論電容振蕩器晶振等效電路反饋電阻器
電感如何選型？常見的電感參數(shù)

電感是一種電路元件，它可以在自身磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。電感通過儲(chǔ)存將電能轉(zhuǎn)換為磁能，然后向電路提供能量以調(diào)節(jié)電流。當(dāng)電流增加，磁場(chǎng)就會(huì)增強(qiáng)。...

5136次閱讀 · 0評(píng)論 DCDC變換器電感DCDC絕緣線電路元件
ADCs和DACs的性能指標(biāo)、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

討論了不同的ADC和DAC架構(gòu)，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和時(shí)間交錯(cuò)型等。...

1390次閱讀 · 0評(píng)論 dac模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADCsDACs逐次逼近寄存器
MOS管為什么會(huì)冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享

當(dāng)VGS小于一定的電壓值，DS極就會(huì)導(dǎo)通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等原因，在大部分應(yīng)用中通常還是使用NMOS。...

10255次閱讀 · 0評(píng)論示波器MOS管NMOSPMOS電池保護(hù)板
IGBT無損緩沖吸收電路設(shè)計(jì)原理

電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。...

5619次閱讀 · 0評(píng)論二極管IGBT電磁干擾吸收電路開關(guān)器件
ADI二極管鉗位電路設(shè)計(jì)應(yīng)用

在此電路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態(tài)的電壓到30V，同時(shí)它的漏電流也非常非常?。?5℃的時(shí)候典型漏電流為1nA），這個(gè)管子也很推薦大家使用，漏電流很小。...

2447次閱讀 · 0評(píng)論二極管BUCK穩(wěn)壓管齊納二極管鉗位電路
緩沖放大器的幾種類型介紹

電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸?shù)骄哂械洼斎胱杩沟牧硪粋€(gè)電路。通過在這兩個(gè)電路之間插入緩沖器，可以防止第二個(gè)電路過度加載第一個(gè)電路，這可能會(huì)干擾其預(yù)期操作。...

3562次閱讀 · 1評(píng)論放大器運(yùn)算放大器緩沖放大器電阻抗
運(yùn)算放大器采樣保持電路的工作原理

采樣和保持電路是一種電子電路，它創(chuàng)建作為輸入的電壓樣本，然后將這些樣本保持一定的時(shí)間。采樣保持電路對(duì)輸入信號(hào)產(chǎn)生采樣的時(shí)間稱為采樣時(shí)間。...

5110次閱讀 · 0評(píng)論電容器運(yùn)算放大器輸出波形模擬信號(hào)采樣保持電路
深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。...

1130次閱讀 · 0評(píng)論變壓器電感器功率器件SiC碳化硅
MOS管柵極前加100Ω電阻原理分析

在MOSFET的柵極前增加一個(gè)電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。...

4145次閱讀 · 0評(píng)論電阻MOSFETMOS管電感諧振電路
碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。...

2833次閱讀 · 0評(píng)論電動(dòng)汽車功率器件SiC碳化硅牽引逆變器
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷

在柵極電荷方法中，將固定測(cè)試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測(cè)量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。...

3943次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET電源管理晶體管MOS柵極電荷
深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。...

2209次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC碳化硅Qorvo
碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上使用碳化硅功率器件對(duì)于提升OBC產(chǎn)品效率、功率密度和質(zhì)量密度上發(fā)揮著重要作用。...

1482次閱讀 · 0評(píng)論電動(dòng)汽車功率器件碳化硅OBC車載充電器
深入探索芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)

SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個(gè)電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時(shí)，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級(jí)必須是漏極開路或集電極開路才能執(zhí)行線與的功能。...

836次閱讀 · 0評(píng)論芯片振蕩器場(chǎng)效應(yīng)管電源電壓MOS
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)

為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體管的基極到其發(fā)射極的低阻抗路徑。...

1282次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET晶體管寄生電容柵極電阻柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。...

811次閱讀 · 0評(píng)論功率器件SiC碳化硅
MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析

那這兩張圖是完全等價(jià)的，我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口，也就是有三個(gè)引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他們分別簡(jiǎn)稱G、D、S就可以。...

2961次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管NMOSPWM場(chǎng)效晶體管