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探索天氣影響下的三極管異?，F(xiàn)象

當(dāng)單板啟動(dòng)時(shí)，SLP_S3會(huì)輸出3V3電平，此時(shí)Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時(shí)hFE=100計(jì)算，ic=100*1.3mA=130mA，已經(jīng)超過了ic的飽和電流1.2mA（12V/10K）。...

1198次閱讀 · 0評(píng)論三極管上拉電阻MOS管漏電流單板電源
數(shù)字設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性基礎(chǔ)知識(shí)

每當(dāng)沿著一條導(dǎo)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，該導(dǎo)線周圍都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。如果兩根導(dǎo)線相鄰放置，兩個(gè)磁場(chǎng)可能會(huì)相互作用，導(dǎo)致信號(hào)之間的能量交叉耦合，稱為串?dāng)_。...

1027次閱讀 · 0評(píng)論 pcb信號(hào)完整性數(shù)字信號(hào)傳輸線負(fù)載電容
IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。...

3325次閱讀 · 0評(píng)論場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管直流電壓驅(qū)動(dòng)電流
探索BJT、CMOS、DMOS等半導(dǎo)體工藝技術(shù)

雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管。晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)，由于同時(shí)涉及到電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此它被稱為雙極性器件。...

7700次閱讀 · 0評(píng)論 CMOS放大器三極管晶體管DMOS
探秘功率二極管反向恢復(fù)抑制的三大法寶

為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復(fù)的問題。...

3999次閱讀 · 0評(píng)論二極管功率二極管emi電壓波形碳化硅
寄存器與數(shù)據(jù)緩沖器在芯片設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵作用

數(shù)據(jù)緩沖器也有助于將轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸出上的負(fù)載降至最低，同時(shí)提供數(shù)字輸出與數(shù)據(jù)總線間的法拉第屏蔽。...

2342次閱讀 · 0評(píng)論 pcb轉(zhuǎn)換器寄存器adc直流電流
如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重情況？

穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。...

2735次閱讀 · 0評(píng)論二極管電流MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式與作用

　　驅(qū)動(dòng)電路要求　　o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?，使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_關(guān)時(shí)間　　oIGBT開通后，提供足夠的電壓和電流幅值○保證IGBT電路較好的效率　　o較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IGBT的保護(hù)功能...

1576次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器
功率放大器的選型原則和方法

功率放大器的帶寬應(yīng)與負(fù)載的帶寬匹配，否則可能會(huì)導(dǎo)致失真和噪聲等問題。因此，在選型時(shí)需要仔細(xì)考慮負(fù)載的帶寬要求，并選擇合適的功率放大器。...

1749次閱讀 · 0評(píng)論放大器功率放大器信號(hào)源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
阻容降壓電路的原理和實(shí)際電路

阻容降壓電路中，所限制的是這個(gè)電路工作的最大電流，電流大小由電容的值決定，而最終的輸出電壓由穩(wěn)壓二極管決定。...

4358次閱讀 · 1評(píng)論二極管電路圖電容濾波全波整流阻容降壓
深度解析MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例

MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。...

1389次閱讀 · 0評(píng)論三極管電容器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS
電阻元件典型應(yīng)用電路細(xì)探討及分析

有些DCDC的輸出端接的負(fù)載的等效電阻很高，這樣對(duì)下電時(shí)，會(huì)有很長的放電時(shí)間，這有可能導(dǎo)致電源時(shí)序有問題，所以一般會(huì)在輸出端加個(gè)電阻。...

1637次閱讀 · 0評(píng)論串聯(lián)電阻電阻下拉電阻RC電路電阻元件
碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。...

1136次閱讀 · 0評(píng)論功率器件SiC碳化硅太陽能逆變器
碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，鍵能大小為 447 kJ/mol。...

2458次閱讀 · 0評(píng)論 SiC晶片光刻機(jī)碳化硅
如何確保ADC輸出接地的準(zhǔn)確性

ADC 輸出與緩沖寄存器輸入間的串聯(lián)電阻（圖 1 中標(biāo)示為“R”）有助于將數(shù)字瞬態(tài)電流降至最低，這些電流可能影響轉(zhuǎn)換器性能。...

874次閱讀 · 0評(píng)論 pcb轉(zhuǎn)換器寄存器混合信號(hào)adc
運(yùn)算放大器同向輸入端和反向輸入端怎么區(qū)分

運(yùn)算放大器（Operational Amplifier，簡稱 Op-Amp）是一種重要的電子元件，在模擬電路中有著廣泛的應(yīng)用。運(yùn)算放大器具有以下幾個(gè)主要特點(diǎn)...

20014次閱讀 · 0評(píng)論放大器運(yùn)算放大器比較器反饋網(wǎng)絡(luò)
常見的電平電路轉(zhuǎn)換方法

當(dāng) SDA2 輸出低電平時(shí)：MOS 管不導(dǎo)通，但是它有體二極管，MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平，此時(shí) Vgs 約等于 3.3V，MOS 管導(dǎo)通，進(jìn)一步拉低了 SDA1 的電壓。...

9719次閱讀 · 0評(píng)論二極管上拉電阻MOS電平轉(zhuǎn)換
硅NPN型三極管的制造流程三極管電流控制原理圖

三極管不是兩個(gè)PN結(jié)的間單拼湊，兩個(gè)二極管是組成不了一個(gè)三極管的！...

5810次閱讀 · 0評(píng)論三極管電子元件集電極晶體三極管
什么是退耦電路？電路中如何解決電路供電的不穩(wěn)定

不正常的電路供電系統(tǒng)是怎樣的？但是由于各種原因，電源工作時(shí)，電源電壓實(shí)際上是這個(gè)樣的，電源電壓是不穩(wěn)定的。...

3608次閱讀 · 0評(píng)論電容電源電壓去耦電容供電系統(tǒng)電路系統(tǒng)
什么是理想的運(yùn)算放大器？運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用

運(yùn)算放大器廣泛適用于各種物聯(lián)網(wǎng)家用電器和其它電子應(yīng)用領(lǐng)域的各類用途。例如，運(yùn)算放大器用于放大來自傳感器和測(cè)量儀器的模擬信號(hào)。...

4776次閱讀 · 0評(píng)論傳感器運(yùn)算放大器反相放大器物聯(lián)網(wǎng)測(cè)量儀器