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運(yùn)放參數(shù)的詳細(xì)解釋

在精密電路設(shè)計(jì)中，偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。...

2306次閱讀 · 0評(píng)論放大器電路設(shè)計(jì)運(yùn)放晶體管
如何實(shí)現(xiàn)高頻濾波穿心電容濾波原理

由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對(duì)高頻信號(hào)的旁路作用；②導(dǎo)線之間的寄生電容使高頻信號(hào)發(fā)生耦合，降低了濾波效果。...

4949次閱讀 · 0評(píng)論電容電磁干擾寄生電感
0歐姆電阻在電路設(shè)計(jì)中的作用

0Ω電阻到底能過多大電流？這個(gè)問題想必每位硬件工程師都查過。而與之相關(guān)的還有一個(gè)問題，那就是0Ω電阻的阻值到底有多大？...

1325次閱讀 · 0評(píng)論電阻pcb電流電路設(shè)計(jì)額定電流
功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。...

5229次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBT功率器件Bipolar半導(dǎo)體開關(guān)
晶體二極管的結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)

二極管種類繁多，它們根據(jù)不同工藝結(jié)構(gòu)和用途是有大小之分的...

2732次閱讀 · 0評(píng)論二極管晶體二極管PN結(jié)
運(yùn)放的失調(diào)電壓分析

今天我們來分析下為什么在輕負(fù)載條件下，恒流精度有變化。上篇文章也提到過失調(diào)電壓，失調(diào)電壓是造成這個(gè)誤差的主要因素。首先，回顧下該電路，為方便計(jì)算，調(diào)整下反饋電阻參數(shù)，將比例改為1倍，可得負(fù)載電流 I=Vin/R5。（具體公式推導(dǎo)工程請(qǐng)看1月16的微頭條文章），在這里為排除由正反饋和負(fù)反饋兩個(gè)環(huán)路反饋...

2193次閱讀 · 0評(píng)論電路分析運(yùn)放電流源失調(diào)電壓
mosfet主要參數(shù)有哪些（mosfet參數(shù)詳解）

MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。...

3002次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOSFETMOS額定電壓散熱板
安規(guī)貼片Y電容有什么優(yōu)勢？

傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時(shí)還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個(gè)難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安規(guī)貼片Y電容？有什么優(yōu)點(diǎn)？...

848次閱讀 · 0評(píng)論電容電路板氮化鎵射頻干擾Y電容PD快充
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM94112/SiLM94108半橋驅(qū)動(dòng)芯片

針對(duì)有刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)在各種應(yīng)用場景中的不同需求，SiLM94112/SiLM94108可支持獨(dú)立、順序或并行模式驅(qū)動(dòng)。為實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、滑行和制動(dòng)控制，用戶可通過SiLM94112/SiLM94108的SPI通訊自主控制半橋上管和下管的開通和關(guān)斷。...

2096次閱讀 · 0評(píng)論步進(jìn)電機(jī)無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片半橋驅(qū)動(dòng)芯片數(shù)明半導(dǎo)體
碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米第三，通過不同粒度的金剛石研磨液，將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。...

2068次閱讀 · 0評(píng)論功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅刻蝕工藝
TVS的工作原理和選型要點(diǎn)

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。TVS 有單向與雙向之分，單向 TVS 一般應(yīng)用于直流供電電路，雙向 TVS 應(yīng)用于電壓交變的電路。如圖 1 所示，應(yīng)用于直流...

7351次閱讀 · 0評(píng)論二極管TVSPN結(jié)bms
功率MOSFET功耗計(jì)算指南

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說明了上述概念。...

2200次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETcpu功率MOSFET電流電源功耗計(jì)算
深紫外μLED作為日盲紫外光通信光源的研究現(xiàn)狀和綜合分析

實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。...

1876次閱讀 · 0評(píng)論串聯(lián)電阻發(fā)光二極管LED芯片衰減器無線光通信
SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。...

2488次閱讀 · 0評(píng)論二極管太陽能半導(dǎo)體SiC碳化硅
一文理解IGBT的發(fā)展歷程

在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）無疑是一顆耀眼的明星，其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位，讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚的興趣。IGBT的強(qiáng)大功效和多重應(yīng)用領(lǐng)域，使得它在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，成為現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發(fā)展歷程，讓我...

2597次閱讀 · 1評(píng)論 MOSFETIGBT晶體管BJT
分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812設(shè)計(jì)知識(shí)

今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片，工業(yè)級(jí)。...

2699次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET電源供電調(diào)節(jié)器驅(qū)動(dòng)芯片GND
雙路高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片TPS2812的基本介紹

今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片，工業(yè)級(jí)。這顆芯片內(nèi)部集成了一顆LDO,最高可以支持到40V的電壓，-40到125度的工作溫度。...

6507次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETldo驅(qū)動(dòng)芯片
什么會(huì)影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低呢？

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響...

2832次閱讀 · 0評(píng)論電容器MOS管電源電壓場效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電壓
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料...

1653次閱讀 · 0評(píng)論半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN射頻器寬禁帶半導(dǎo)體
ADC和DAC的技術(shù)參數(shù)

根據(jù)采樣定理，超過奈奎斯特頻率的輸入信號(hào)頻率為“混疊”頻率。也就是說，這些頻率被“折疊”或復(fù)制到奈奎斯特頻率附近的其它頻譜位置。為防止混疊，必須對(duì)所有有害信號(hào)進(jìn)行足夠的衰減，使得ADC不對(duì)其進(jìn)行數(shù)字化。欠采樣時(shí)，混疊可作為一種有利條件。...

6481次閱讀 · 0評(píng)論噪聲adcdac信號(hào)時(shí)鐘信號(hào)