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數(shù)模轉(zhuǎn)換器是一種關鍵的電子元件，用于將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號或?qū)?shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號。它在各種應用中起著重要的作用，包括通信系統(tǒng)、音頻設備和工業(yè)自動化等領域。...
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？...
電容器可以用來對交流信號進行通路，同時隔離直流信號。這是因為電容器對交流信號具有低阻抗（通過）和對直流信號具有高阻抗（阻斷）的特性。...
積分運算電路是一種基本的模擬電路，可以實現(xiàn)對輸入信號進行積分操作。它主要由一個運算放大器、一個電容和若干個電阻組成。...
PCF8591 是一款單電源供電的 8 位 CMOS 數(shù)據(jù)采集芯片，具有 4 個模擬信號輸入通道、一個模擬信號輸出通道以及一個 I2C 總線通信接口。與前面講解的 I2C 芯片相同，通過管腳 A0、A1 和 A2 來配置芯片硬件地址，因此，在同一 I2C 總線上最多可同時連接 8 個 PCF8591...
絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電動車的交流電電動機的輸出控制。...
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展，在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示，其復雜性不斷提高，現(xiàn)代設計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功率。...
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結構。...
MOS管（金屬氧化物半導體場效應管）與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在光伏行業(yè)中都是非常重要的分立器件。...
IGBT結溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。...
一提到低功耗、大電流、超高速的半導體器件，很多電子愛好者和電子工程師首先想到的是肖特基二極管。但你真的知道怎么使用肖特基二極管嗎？與其他二極管相比，肖特基二極管有什么特別的地方？這篇文章我將會為大家解決這些問題，并且詳細介紹肖特基二極管。...
該 100W 橋式放大器電路可以提高 LINE 輸出類型源的音頻信號的功率電平。該橋式放大電路 的核心是TDA7294集成電路，它實際上是一個帶有前置放大電路、溫度控制和輸出短路保護的功率運算放大器。此外該IC還配備了獨立的輸入Mute（靜音輸出）和STBY或Stand-By（斷開功率放大器）。每個...
當三極管基極偏置電壓小于PN結的導通電壓，基極電流Ｉb＝0時，集電極Ic和發(fā)射極Ie沒電流（或只有微弱的弱電電流）通過，此時三極管失去了電流放大作用，我們稱三極管工作在截止狀態(tài)，CE極之間相當于開關的斷開狀態(tài)。...
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。...
GaN半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。...
友情提示，運放電路的噪聲分析還是比較復雜的，不論是基礎理論還是對應的推導過程，都不是特別容易?？紤]到兄弟們的基礎參差不齊，所以我還是盡量說清楚點，這樣導致看起來就有點羅里吧嗦，也會看起來超級復雜，希望不會勸退。...
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