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下面根據(jù)運放“虛短虛斷”的特點來分析下,上圖同相輸入端接地,電位為0,根據(jù)運放虛短的特點,運放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等,所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。...
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。...
電阻器是限制電流的元件,通常簡稱為電阻,是一種最根本最常用的電子元件,普遍應(yīng)用在各種各類電子電路中。...
光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離,優(yōu)點是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強,使用壽命長,傳輸效率高。...
晶閘管是晶體閘流管的簡稱,又稱作可控硅整流器(SCR),是由三個PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。...
晶閘管是一種半導(dǎo)體器件,也被稱為可控硅。它可以控制電流的流動,類似于電子開關(guān)。晶閘管廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,例如交流電調(diào)節(jié)、直流電調(diào)節(jié)、電機控制、照明控制等。...
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管,是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長,電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點...
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器,即ADC(Analog to Digital Converter),是一個將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的器件(電路),例如將溫度、濕度、壓力、位置(都是基于電阻,電容上面產(chǎn)生的電壓信號)等信息轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)中的采樣會產(chǎn)生混疊和電容反沖問題,為此設(shè)計人員使用濾波器和驅(qū)動放大器來解決,但這又帶來了一系列相關(guān)挑戰(zhàn)。尤其是在中等帶寬應(yīng)用中,實現(xiàn)精密直流和交流性能面臨挑戰(zhàn),設(shè)計人員最終不得不降低系統(tǒng)目標(biāo)。...
LM324由四個單獨的放大器組成,每個放大器都有兩個輸入端和一個輸出端。這些輸入端包括非反相輸入端(+)和反相輸入端(-),輸出端則產(chǎn)生放大后的信號。...
旁路電容:旁路電容,又稱為退耦電容,是為某個器件提供能量的儲能器件。它利用了電容的頻率阻抗特性,理想電容的頻率特性隨頻率的升高,阻抗降低,就像一個水塘,它能使輸出電壓輸出均勻,降低負(fù)載電壓波動。...
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。...
mos管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點,如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級形式。...
之前我們設(shè)計過一個10倍放大倍率的電路,如下所示,其實并不完美,可以看得到有近10V的壓降落在了Q1三極管上,此時的功耗接近10V*1mA = 10mW,功耗偏大,這個可以優(yōu)化,這里先不進(jìn)行優(yōu)化,先用這個電路來分析一下,放大電路的主要性能參數(shù)。...