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為確保系統(tǒng)滿足所需的精度規(guī)范,透徹了解不同的誤差源非常重要。決定信號鏈精度的最關(guān)鍵要素之一是A/D 轉(zhuǎn)換器 (ADC),這是本文的重點。請記住,ADC 的精度可以用絕對精度、相對精度和總未調(diào)整誤差 (TUE)來表征。...
在許多應(yīng)用中,ADC需要在存在大共模信號的情況下處理一個很小的差分輸入信號。傳統(tǒng)的儀表放大器(In-Amp)只具有單端輸出和有限的共模范圍,因此在這些應(yīng)用中并不常用。為了充分利用這些器件的高性能和低成本,可以設(shè)計一個簡單的電路,將其單端輸出轉(zhuǎn)換為差分輸出,并且改善其輸入共模范圍,使之更適合這些應(yīng)用。...
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機、艦艇以及新能源領(lǐng)域的新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等都有非常廣泛的應(yīng)用。...
按結(jié)構(gòu)和功能,觸發(fā)器可以分為RS型、JK型、D型和T型,在這里,我們只講解比較有代表性的類型,RS型和D型。...
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。...
針對第一個小問題——共同的特點,我覺得學(xué)過模電的同學(xué)都能看出來:反相比例放大電路。結(jié)合上篇文章中提到的“虛短”和“虛斷”,很容易可以推導(dǎo)出:Vo=(-Rf/R1)Vin。具體如何推導(dǎo),不做展開,自行腦補。 平衡電阻...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transist...
電子器件的許多重要參數(shù)與電阻率及其分布的均勻性有密切的關(guān)系,例如二極管的反向飽和電流...
牽引驅(qū)動器是電動汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續(xù)航能力。...
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。...
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用可回流焊,電阻焊的TO-247PLUS SMD封...
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。...
推挽電路,有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒理解這個名字是怎么來的,但是“推挽”就比較形象了。...
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。...
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。...
壓力傳感器充當(dāng)傳感器,并產(chǎn)生與其所承受的力相對應(yīng)的電壓電信號。該輸出電壓通常在毫伏范圍內(nèi)非常低。為了捕獲這種低壓信號,必須使用非常靈敏和精確的器件,本文介紹了芯熾8/16通道24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器SC1644可進行精密壓力傳感器測量。...