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對于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動過程中，會形成平臺電壓，引起開關(guān)時間變長，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。...
三極管有三個端口，分別是基極(Base)，集電極（collector）和發(fā)射極(Emitter)。...
當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時，會在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓，從而會影響Icq，達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。...
使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的電機(jī)控制、無線電控制、音頻樣本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模擬功能的典型應(yīng)用。由于 MCU 不是無線電的天然配套設(shè)備，因此它們通常需要專用的高精度模擬組件或外圍設(shè)備才能在無線電信號存在時“表現(xiàn)良好”。...
數(shù)字電位器 （dpots） 是無處不在的組件，具有各種封裝、電阻和分辨率。然而，除了通常的電阻與設(shè)置的線性函數(shù)之外，幾乎沒有人實現(xiàn)任何東西。這一事實給需要寬范圍（即數(shù)十倍）增益調(diào)整動態(tài)范圍的應(yīng)用帶來了麻煩。...
本設(shè)計理念描述了一種從基于555的自由運(yùn)行振蕩器產(chǎn)生可變占空比波形的新方法。該電路的寬調(diào)制范圍、對寬占空比值范圍內(nèi)的高度線性控制以及出色的線性度使其成為基于 PWM（脈寬調(diào)制）的控制應(yīng)用的理想選擇。...
8B/10B 編碼數(shù)據(jù)對時鐘恢復(fù)電路很友好，因為它具有游程長度限制。它還適用于交流耦合，因為它是直流平衡的。8B/10B 編碼涉及將 8 位八位字節(jié)轉(zhuǎn)換為 10 位代碼組。在每個代碼組中，1 和 0 的數(shù)量之差絕不會超過兩個。通過監(jiān)測連續(xù)代碼組中 1 和 0 的數(shù)量，計算出運(yùn)行差異。...
如果運(yùn)算放大器具有阻性輸出阻抗，對于此運(yùn)算放大器（LF411），單位增益約為 0.1 - 10 Ω，我們預(yù)計該電容器會導(dǎo)致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發(fā)生了什么。...
運(yùn)算放大器內(nèi)部不可避免的組件不匹配會導(dǎo)致 0 V 差分輸入產(chǎn)生非零正或負(fù)輸出電壓。輸入失調(diào)電壓是必須施加到輸入端子之一的電壓，以補(bǔ)償不匹配，從而實現(xiàn) 0 V 輸入的 0 V 輸出。...
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。...
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個二級效應(yīng)。...
根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例。...
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在...
因為晶體管放大器之前已經(jīng)分析過MOSFET電路增益的計算，輸出電阻，輸入電阻的計算，還有頻率特性。 想要設(shè)計一個各項指標(biāo)滿足要求的放大電路，比較復(fù)雜。...
電學(xué)中能夠?qū)崿F(xiàn)信號、功率放大的器件，稱為放大器，英文為Amplifier，簡稱AMP。...
這次我們把范圍擴(kuò)大到NPN和PNP倆種管子，也給大家一些例子，例子由易到難，如果全部都能答上來，那三極管這里你算是吃透了。...
我們大致了解了三極管的分類和工作模式，介紹概念不說應(yīng)用基本沒有什么深刻的印象。...
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點(diǎn)，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。...
電流方面，峰值充電電流可達(dá)600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V，而小鵬實現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級，并可兼容不同電壓充電樁。...
SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長、晶體切割研磨和拋光等工序過程，完成向下游的襯底供貨。...
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