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對于MOSFET,米勒效應(yīng)(Miller Effect)指其輸入輸出之間的分布電容(柵漏電容)在反相放大作用下,使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng),MOSFET柵極驅(qū)動過程中,會形成平臺電壓,引起開關(guān)時間變長,開關(guān)損耗增加,給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。...
三極管有三個端口,分別是基極(Base),集電極(collector)和發(fā)射極(Emitter)。...
當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時,會在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降,而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓,從而會影響Icq,達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。...
使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 的電機(jī)控制、無線電控制、音頻樣本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模擬功能的典型應(yīng)用。由于 MCU 不是無線電的天然配套設(shè)備,因此它們通常需要專用的高精度模擬組件或外圍設(shè)備才能在無線電信號存在時“表現(xiàn)良好”。...
數(shù)字電位器 (dpots) 是無處不在的組件,具有各種封裝、電阻和分辨率。然而,除了通常的電阻與設(shè)置的線性函數(shù)之外,幾乎沒有人實現(xiàn)任何東西。這一事實給需要寬范圍(即數(shù)十倍)增益調(diào)整動態(tài)范圍的應(yīng)用帶來了麻煩。...
本設(shè)計理念描述了一種從基于555的自由運(yùn)行振蕩器產(chǎn)生可變占空比波形的新方法。該電路的寬調(diào)制范圍、對寬占空比值范圍內(nèi)的高度線性控制以及出色的線性度使其成為基于 PWM(脈寬調(diào)制)的控制應(yīng)用的理想選擇。...
8B/10B 編碼數(shù)據(jù)對時鐘恢復(fù)電路很友好,因為它具有游程長度限制。它還適用于交流耦合,因為它是直流平衡的。8B/10B 編碼涉及將 8 位八位字節(jié)轉(zhuǎn)換為 10 位代碼組。在每個代碼組中,1 和 0 的數(shù)量之差絕不會超過兩個。通過監(jiān)測連續(xù)代碼組中 1 和 0 的數(shù)量,計算出運(yùn)行差異。...
如果運(yùn)算放大器具有阻性輸出阻抗,對于此運(yùn)算放大器(LF411),單位增益約為 0.1 - 10 Ω,我們預(yù)計該電容器會導(dǎo)致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發(fā)生了什么。...
運(yùn)算放大器內(nèi)部不可避免的組件不匹配會導(dǎo)致 0 V 差分輸入產(chǎn)生非零正或負(fù)輸出電壓。輸入失調(diào)電壓是必須施加到輸入端子之一的電壓,以補(bǔ)償不匹配,從而實現(xiàn) 0 V 輸入的 0 V 輸出。...
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率,GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。...
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號,閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個二級效應(yīng)。...
根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析,我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域,以NMOS為例。...
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號,表示了三個端子:柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的,因而可以源漏互換。 大家都知道,在...
因為晶體管放大器之前已經(jīng)分析過MOSFET電路增益的計算,輸出電阻,輸入電阻的計算,還有頻率特性。 想要設(shè)計一個各項指標(biāo)滿足要求的放大電路,比較復(fù)雜。...
電學(xué)中能夠?qū)崿F(xiàn)信號、功率放大的器件,稱為放大器,英文為Amplifier,簡稱AMP。...
這次我們把范圍擴(kuò)大到NPN和PNP倆種管子,也給大家一些例子,例子由易到難,如果全部都能答上來,那三極管這里你算是吃透了。...
我們大致了解了三極管的分類和工作模式,介紹概念不說應(yīng)用基本沒有什么深刻的印象。...
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點(diǎn),加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)電路,適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。...
電流方面,峰值充電電流可達(dá)600+A;電壓方面,量產(chǎn)電動車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V,而小鵬實現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級,并可兼容不同電壓充電樁。...
SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似,一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié),SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長、晶體切割研磨和拋光等工序過程,完成向下游的襯底供貨。...