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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
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產(chǎn)品規(guī)格
?
|
器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大 Vgs ?(V) |
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (m?) |
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(m?) |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 | |
|
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 /?21.0 |
25.7 / 32 |
- MOSFET(230957)
- IR(58208)
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仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245
245?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507
507MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用TOLL-8L表面貼裝封裝，基于超級溝槽（SuperTrench）工藝設(shè)計(jì)，聚焦大功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車
2025-10-27 10:49:20222
222MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷
2025-10-24 16:21:14531
531MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景，以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537
537ZK100G08P應(yīng)用全景：TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動多場景功率控制升級
TO-220封裝，既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性，又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、備用電源等中小型功率場景中實(shí)
2025-10-21 11:38:20301
301合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用
在電子工程領(lǐng)域，VBUS開關(guān)的性能對于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題，今天就來和大家深入探討這些問題，并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
2025-09-08 15:48:41802
802合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用
P 溝道 MOSFET，以 SOT-23 超微型封裝與 0.05Ω 低導(dǎo)通電阻，為智能手表電源域控制提供理想選擇。
2025-08-12 16:45:015119
5119合科泰三款N溝道MOSFET的區(qū)別
電子電路中，封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS管能否嵌入手機(jī)、可穿戴設(shè)備中，或者成為其驅(qū)動電機(jī)的開始。今天，我們聚焦合科泰三款N溝道MOSFET，以SOT-23與SOT-523封裝為錨點(diǎn)，探尋不同封裝如何解鎖差異化應(yīng)用場景。
2025-07-10 09:44:411115
11152319AI P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書
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2025-05-14 17:39:44
0
0ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書
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2025-05-14 17:29:490
0ZSKY-ZS8N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-05-14 15:57:360
0ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書
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2025-05-13 18:11:240
0ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書
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2025-05-13 17:13:010
0ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書
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2025-05-13 16:42:550
02N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET規(guī)格書
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340
02N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計(jì)
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
PFM升壓型雙節(jié)鋰電池充電控制集成電路CN3302
下降到再充電閾值時，CN3302再次進(jìn)入充電狀態(tài)。CN3302最高工作頻率可達(dá)1MHz。當(dāng)電池電壓低于輸入電壓或電池短路時，CN3302在片外N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的共同作用下，用較小電流
2025-03-27 14:14:26
LT9435ASQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-26 15:53:160
0過壓保護(hù)控制集成電路CN36B
關(guān)斷和緩慢導(dǎo)通外部P溝道MOSFET?？焖訇P(guān)斷可以將負(fù)載與過沖電壓快速隔離；緩慢導(dǎo)通可以控制負(fù)載的浪涌電流，實(shí)現(xiàn)了對負(fù)載的有效保護(hù)。CN36B采用3管腳SOT23封裝。特點(diǎn):?輸入電壓高達(dá)32V?過壓
2025-03-24 13:56:45
過壓保護(hù)控制集成電路CN36A
關(guān)斷和緩慢導(dǎo)通外部P溝道MOSFET?？焖訇P(guān)斷可以將負(fù)載與過沖電壓快速隔離；緩慢導(dǎo)通可以控制負(fù)載的浪涌電流，實(shí)現(xiàn)了對負(fù)載的有效保護(hù)。CN36A采用3管腳SOT23封裝。應(yīng)用:?小家電?便攜式裝置?醫(yī)療
2025-03-21 10:03:14
TO-252封裝N溝道MOSFET，智能機(jī)器人領(lǐng)域的首選器件
供電、執(zhí)行器控制等多個方面。特別是在需要快速響應(yīng)和高效率的場合，TO-252封裝的N溝道MOSFET更是表現(xiàn)出色。
2025-03-14 14:14:082251
2251LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-07 11:28:170
0LT2209FM P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-07 11:24:080
0LT2209FMQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-07 11:21:160
0LT2209FM-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-07 10:55:500
0LT7407FLH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-05 17:57:510
0LT7401FJT P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-05 17:56:490
0LT1740SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-05 17:51:120
0LT1800FQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-05 17:19:400
0LT7409SRH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 17:34:230
0LT1701SI-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:43:250
0LT7407FL P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:27:130
0LT7409FL-YH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:22:520
0LT7409FLX P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:20:314
4LT7409FLV P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:15:290
0LT7409FJ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:11:071
1LT1702SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 16:01:251
1LT1701FMQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 15:50:250
0LT1701SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 15:47:580
0LT1701SIG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-04 15:45:360
0LT7407FLG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 17:41:490
0LT7407FL-YHG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 16:36:543
3LTH004FPB互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書
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2025-03-01 16:35:550
0LTH004FP互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書
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2025-03-01 16:33:590
0LT7409FJ-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 15:19:030
0LT7409FJ-Z P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 15:17:560
0LT7409FLH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 15:13:440
0LT7409FL P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 15:11:432
2LT7409FL-Y P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 14:33:571
1LT7409FL-ZH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 14:31:380
0LT7407FL-Y P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 14:30:530
0LT7409FL-Z P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書
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2025-03-01 14:29:520
0PMDPB55XPA雙P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書
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2025-02-09 15:40:200
0PXP700-150QS P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書
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2025-02-09 11:36:500
0PSMN2R8-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書
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2025-02-08 16:56:450
0設(shè)計(jì)SO-8封裝的詳細(xì)步驟和注意事項(xiàng)
設(shè)計(jì) SO-8（Small Outline-8）芯片的 PCB 封裝需要遵循一定的規(guī)范和步驟。SO-8 是一種常見的表面貼裝封裝，具有 8 個引腳，引腳間距通常為 1.27mm（50 mil）。以下是設(shè)計(jì) SO-8 封裝的詳細(xì)步驟和注意事項(xiàng)：
2025-02-06 15:24:265108
5108- 設(shè)計(jì)技術(shù)
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術(shù)
- 測量儀表
- 嵌入式技術(shù)
- 制造/封裝
- 模擬技術(shù)
- RF/無線
- 接口/總線/驅(qū)動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設(shè)計(jì)
- 存儲技術(shù)
- 光電顯示
- EMC/EMI設(shè)計(jì)
- 連接器
- 行業(yè)應(yīng)用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網(wǎng)絡(luò)
- 醫(yī)療電子
- 人工智能
- 虛擬現(xiàn)實(shí)
- 可穿戴設(shè)備
- 機(jī)器人
- 安全設(shè)備/系統(tǒng)
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業(yè)控制
- 便攜設(shè)備
- 觸控感測
- 物聯(lián)網(wǎng)
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