羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制MOSFET集成在同一封裝內(nèi)的新產(chǎn)品。

　　可靠性方面，第二代產(chǎn)品可抑制在MOSFET內(nèi)寄生的體二極管通電時產(chǎn)生的導通電阻上升等特性劣化現(xiàn)象，單位面積的導通電阻比第一代產(chǎn)品降低約30％。

　　此次除了單獨封裝SiC制MOSFET的“SCT2080KEC”外，還有將SiC制SBD和SiC制MOSFET集成在同一封裝內(nèi)的產(chǎn)品“SCH2080KE”，這款產(chǎn)品無需外置SiC制SBD，有助于削減部件個數(shù)和封裝面積。其優(yōu)點是，與SiC制MOSFET的體二極管相比，獲得相同電流值所需要的正向電壓較?。▓D2）。

　　據(jù)介紹，此次是首次采用封裝形式提供SiC制MOSFET，第一代產(chǎn)品是以裸片方式供應的，此次發(fā)布的第二代產(chǎn)品采用TO247封裝。第二代產(chǎn)品的導通電阻為80mΩ，與第一代產(chǎn)品相同。預定2012年6月樣品供貨，7月開始量產(chǎn)。

　　另外，新產(chǎn)品預定參展2012年7月11～13日舉行的“TECHNO 2012”。

　　圖1：耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品

　　圖2：正向電壓的比較