模擬技術(shù)
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升壓芯片是如何升壓的（升壓芯片LTC3769原理圖）
升壓芯片（Boost Converter）是一種用于電壓升高的電力轉(zhuǎn)換器。它基本原理是利用電感儲(chǔ)能和開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)操作，以實(shí)現(xiàn)輸入電壓的升壓。...
2023-08-04 標(biāo)簽：電路圖升壓升壓芯片電力轉(zhuǎn)換器LTC3769升壓升壓芯片電力轉(zhuǎn)換器電路圖 7938
MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過(guò)程的分析
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見(jiàn)的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件，由金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。MOSFET是一種主要用于...
2023-08-04 標(biāo)簽：放大器模擬電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管無(wú)源器件 6077
面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)...
2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC氧化鎵GaN技術(shù) 1307
上海貝嶺四款高帶寬模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品介紹
上海貝嶺新推出四款高帶寬模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品BL1561、BL1557、BL1558和BL1559，可在1.8V~5.5V的電源范圍內(nèi)工作，支持軌到軌輸入/輸出。產(chǎn)品具有雙向、低功耗、低漏電流、高速、高帶寬的特點(diǎn)，適用于需...
2023-08-04 標(biāo)簽：帶寬計(jì)算機(jī)模擬開(kāi)關(guān)上海貝嶺 3263
步進(jìn)電機(jī)的控制原理是什么？如何實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)的控制？
先來(lái)看一下硬件原理圖，可看到控制步進(jìn)電機(jī)的管腳分別為：GPIO6[2]、GPIO6[3]、GPIO6[4]和GPIO1[15]。使用的是一路四相五線步進(jìn)電機(jī)，使用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是L9110。...
2023-08-04 標(biāo)簽：步進(jìn)電機(jī)信號(hào)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)寄存器GPIO定時(shí)器中斷 9053
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的...
2023-08-04 標(biāo)簽：電阻器led燈激光器光電半導(dǎo)體氮化鎵 2260
pcb電路板散熱技巧有哪些
對(duì)電路板進(jìn)行很好的散熱處理是非常重要的。PCB電路板的散熱是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，那么PCB電路板散熱技巧是怎樣的，下面我們一起來(lái)討論下。...
什么是DC-LINK直流支撐電容器？有什么特點(diǎn)和作用呢？有哪些場(chǎng)合？
DC-LINK本來(lái)是一個(gè)小眾的電容器，使用量不是太大，但由于最近幾年新能源等新興技術(shù)的興起，導(dǎo)致DC-LINK電容器需求量一直在增加，到底什么是DC-LINK直流支撐電容器？它們有什么特點(diǎn)和作用呢？...
2023-08-04 標(biāo)簽：電容器led燈變頻器薄膜電容太陽(yáng)能逆變器 5569
碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？
SiC 生產(chǎn)過(guò)程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升...
化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西...
氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)...
2023-08-04 標(biāo)簽：探測(cè)器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管光電二極管氧化鎵 2039
基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究
一種能夠在日光下工作而不受可見(jiàn)光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽(yáng)能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用...
2023-08-04 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池探測(cè)器MOCVD氧化鎵GaN技術(shù) 3008
2023全國(guó)聲學(xué)大會(huì)圓滿落幕，一起回顧安泰電子高光時(shí)刻！
全國(guó)聲學(xué)大會(huì)2023年7月8日下午，2022-2023年全國(guó)聲學(xué)大會(huì)在哈爾濱圓滿落幕。本次大會(huì)學(xué)術(shù)交流氛圍濃厚，致力于拓展聲學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展空間，專題聚焦前沿技術(shù)，廣泛普及聲學(xué)知識(shí)，展示產(chǎn)業(yè)最新...
高壓放大器在孔道灌漿非線性超聲測(cè)試中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:高壓放大器在孔道灌漿非線性超聲測(cè)試中的應(yīng)用研究方向:無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)設(shè)備:ATA-2042高壓放大器、信號(hào)發(fā)生器、超聲換能器、示波器。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:超聲波作為頻率高于20kHz的聲波被廣泛應(yīng)...
英特爾將大規(guī)模擴(kuò)張晶圓廠
根據(jù)向州監(jiān)管機(jī)構(gòu)提交的新文件，英特爾計(jì)劃在未來(lái)五年對(duì)其希爾斯伯勒研究工廠進(jìn)行大規(guī)模升級(jí)，這一擴(kuò)建可能會(huì)鞏固俄勒岡州作為該芯片制造商技術(shù)開(kāi)發(fā)核心的地位。...
2023-08-04 標(biāo)簽：英特爾硅晶圓芯片制造EUV光刻機(jī)計(jì)算機(jī)芯片 1974
影響單片機(jī)ADC轉(zhuǎn)換精度的主要誤差
本篇文章列出了影響模數(shù)轉(zhuǎn)換精度的主要誤差。這些類型的誤差存在于所有模數(shù)轉(zhuǎn)換器中，轉(zhuǎn)換質(zhì)量將取決于它們的消除情況。STM32微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)的ADC特性部分規(guī)定了這些誤差 值。規(guī)定了...
2023-08-04 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)adcSTM32模數(shù)轉(zhuǎn)換器 4576
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高性能短鏈系統(tǒng)？
所謂系統(tǒng)設(shè)計(jì)，就是給一個(gè)場(chǎng)景，讓你給出對(duì)應(yīng)的架構(gòu)設(shè)計(jì)，需要考慮哪些問(wèn)題，采用什么方案解決。很多面試官喜歡出這么一道題來(lái)考驗(yàn)?zāi)愕闹R(shí)廣度和邏輯思考能力。...
2023-08-04 標(biāo)簽：計(jì)數(shù)器URL限流器SHASHAURL哈希算法計(jì)數(shù)器限流器 1554
多元線性回歸數(shù)據(jù)集（50_Startups.csv）及代碼實(shí)現(xiàn)
否則，轉(zhuǎn)為K維向量代碼可見(jiàn)本實(shí)例中的Pd.get_dummies(X['state'])。但要注意虛擬變量，例如“性別”變量,可虛擬出“男”和”女”兩個(gè)變量，...
2023-08-04 標(biāo)簽：向量機(jī)虛擬機(jī)機(jī)器學(xué)習(xí)python線性回歸 3599
為什么IPv4一直占據(jù)著主導(dǎo)地位沒(méi)有完全敗下陣來(lái)呢？
IPv5也被稱為因特網(wǎng)流協(xié)議（Internet Stream Protocol），簡(jiǎn)稱ST。它專為跨IP網(wǎng)絡(luò)的面向連接的通信而設(shè)計(jì)，旨在支持語(yǔ)音和視頻。...
2023-08-04 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器網(wǎng)絡(luò)通信IPv6協(xié)議ipv5ipv4雙棧 1814
國(guó)產(chǎn)汽車OBC將用GaN！這2家企業(yè)宣布結(jié)盟
近日，國(guó)內(nèi)一家車載充電器（OBC）企業(yè)與氮化鎵企業(yè)結(jié)盟，將共同開(kāi)發(fā)11kW的氮化鎵OBC等產(chǎn)品。而該氮化鎵企業(yè)之前還與在車規(guī)GaN與寶馬、豐田及緯湃科技等達(dá)成合作。...
2023-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)車適配器功率晶體管車載充電器GaN技術(shù) 1448
什么是室溫超導(dǎo)？半導(dǎo)體時(shí)代將走向結(jié)束？芯片行業(yè)會(huì)被如何顛覆？
“室溫超導(dǎo)”最近又在科技領(lǐng)域掀起了討論的熱潮。...
2023-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻器MOS管芯片設(shè)計(jì)新能源電池 2655
碳化硅器件加速狂飆！新能源車全球普及加速
新能源車全球普及加速，功率密度標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)提升為SiC產(chǎn)業(yè)落地提供契機(jī)。...
2023-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車變換器逆變器SiC碳化硅 587
紅外測(cè)距的基本結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)設(shè)計(jì) 紅外測(cè)距的常用方法和原理是什么
時(shí)間差法測(cè)距原理是將紅外測(cè)距傳感器的紅外發(fā)射端發(fā)送信號(hào)與接收端接受信號(hào)的時(shí)間差t寫入單片機(jī)中，通過(guò)光傳播距離公式來(lái)計(jì)算出傳播距離L。...
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹（四）
所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過(guò)高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表面生長(zhǎng)二氧化硅層(見(jiàn)下圖)。...
2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體CMPICT技術(shù)NMOS管 3024
晶體管和芯片的關(guān)系
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推...
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