模擬技術(shù)
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淺析FlexRay通訊總線靜電浪涌保護(hù)及TVS二極管選型原則
FlexRay是一種高速、實(shí)時(shí)、可靠、具備故障容錯(cuò)能力的總線技術(shù)，是繼CAN和LIN總線之后的最新研發(fā)成果。...
2023-07-30 標(biāo)簽：CAN總線TVS二極管車載網(wǎng)絡(luò)浪涌保護(hù)器Flexray總線 1103
接觸式靜電壓測(cè)試儀的主要構(gòu)成
接觸式靜電壓測(cè)試儀是一種用于測(cè)量物體上的靜電電壓的設(shè)備。它通過(guò)與被測(cè)物體直接接觸，將靜電電荷傳遞到測(cè)試儀上，然后通過(guò)內(nèi)部的測(cè)量機(jī)制來(lái)確定靜電電壓的大小。...
2023-07-30 標(biāo)簽：傳感器轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)管電壓測(cè)試儀 1666
芯片工藝的"7nm" 、"5nm"到底指什么？
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？...
21W AB類音頻放大器電路設(shè)計(jì)
這是以功率晶體管為主要部分的21W AB類音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。它的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，設(shè)置也簡(jiǎn)單。將 10k 微調(diào)器設(shè)置為大約一半，將 470 歐姆微調(diào)器設(shè)置為 0 電阻。通電并通過(guò)微調(diào) 470 歐姆微調(diào)器將靜...
2023-07-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器音頻放大器功率晶體管 2849
150W汽車音響功率放大器電路設(shè)計(jì)
這是150W汽車音響功放的電路設(shè)計(jì)。該電路分為兩個(gè)框圖：音調(diào)控制電路和功率放大器電路。...
2023-07-28 標(biāo)簽：pcb功率放大器電路設(shè)計(jì)汽車音響汽車功放 4483
基于功率晶體管的150W功率放大器電路圖
這是使用功率晶體管搭建的150W功率放大器的電路圖。上面的電路本質(zhì)上是一個(gè)單通道電路。要使其成為立體聲通道，您必須構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。對(duì)于小場(chǎng)地或大廳/會(huì)議室的音頻系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，...
使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開(kāi)關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器、兩個(gè)自舉供電的高側(cè)柵極...
2023-07-28 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)音頻放大器晶體管 2523
集成電路ic設(shè)計(jì)是什么 ic設(shè)計(jì)需要哪些軟件
集成電路 （Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱 IC） 設(shè)計(jì)是指在單個(gè)芯片上集成多個(gè)電子器件、電路和功能模塊的過(guò)程。它是一種電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù)，通過(guò)將復(fù)雜的電路和功能集成到一個(gè)芯片上，實(shí)...
2023-07-28 標(biāo)簽：集成電路混合信號(hào)IC設(shè)計(jì)電子器件模擬信號(hào) 6109
數(shù)字電路究竟涉及到哪些東西？數(shù)字電路與模擬電路區(qū)別
在模擬電路中信號(hào)都是連續(xù)的，并且在任意一個(gè)位置都有與之相對(duì)于的值，比如正弦波，三角波，鋸齒波，各種噪音等信號(hào)。...
2023-07-28 標(biāo)簽：模擬電路編碼器芯片設(shè)計(jì)數(shù)字電路邏輯電平 9491
碳化硅MOSFET芯片取得新突破！
“經(jīng)電學(xué)特性測(cè)試后，相應(yīng)數(shù)據(jù)與國(guó)際SiC龍頭企業(yè)美國(guó)科銳公司同類芯片產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)。”王俊介紹，由于引入了場(chǎng)板分離型的分裂柵結(jié)構(gòu)，芯片具有更低的反向傳輸電容，高頻優(yōu)值接近...
用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。...
2023-07-28 標(biāo)簽：MOSFETNTC不間斷電源寄生電感驅(qū)動(dòng)電壓 804
差分放大電路的作用和特點(diǎn) 差分放大電路抑制零漂的原理分析
要想掌握差分放大電路，首先就要知道什么是差分放大電路以及它的作用。差分放大電路是模擬集成運(yùn)算放大器輸入級(jí)所采用的的電路形式，差分放大電路是由對(duì)稱的兩個(gè)基本放大電路，通過(guò)射...
2023-07-28 標(biāo)簽：三極管運(yùn)算放大器差分放大電路共模信號(hào) 6663
三極管的分類和工作特性 如何提高三極管開(kāi)關(guān)速度
晶體三極管是控制電流的半導(dǎo)體器件，工作原理是通過(guò)在三極管的兩端施加合適電壓來(lái)控制三極管另一端的電流，主要作用是用于開(kāi)關(guān)、放大等。...
2023-07-28 標(biāo)簽：三極管開(kāi)關(guān)電路半導(dǎo)體晶體三極管NPN 6478
碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，...
可穿戴健身追蹤設(shè)備的光學(xué)心率傳感器簡(jiǎn)析
隨著生活節(jié)奏的加快，工作壓力的加大，越來(lái)越多的人開(kāi)始注重健身，如此一來(lái)，可穿戴健身追蹤設(shè)備就變得很流行。...
2023-07-28 標(biāo)簽：LED光源AD轉(zhuǎn)換器光學(xué)傳感器可穿戴設(shè)備心率傳感器 4045
場(chǎng)效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，來(lái)自巴西坎皮納斯州立大學(xué)（State University of Campinas）以及巴西國(guó)家生物分析科學(xué)技術(shù)研究所（National Institute of Science and Technology of Bioanalytics）的研究人員在Micromachi...
2023-07-28 標(biāo)簽：傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管微流控器件 924
TVS二極管的工作原理、主要參數(shù)及應(yīng)用
TVS(Transient Voltage Suppressors)二極管，是在齊納二極管工藝基礎(chǔ)上發(fā)明的一種新型高效電路保護(hù)元器件，亦稱TVS管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)電壓抑制器、雪崩擊穿二極管等，...
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電...
單端正激式/單端反激式/推挽式/全橋式/半橋式電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
單端：通過(guò)一只開(kāi)關(guān)器件單向驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器。...
2023-07-28 標(biāo)簽：變壓器反激式開(kāi)關(guān)器件半橋式反激式變壓器變壓器開(kāi)關(guān)器件正激式 2661
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