模擬技術(shù)
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氧化鋁和電解鋁有什么區(qū)別 電解鋁和氧化鋁的用途
氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)...
如何無損地在兩電容之間傳遞能量？
兩個(gè)電容之間傳遞能量，在理想開關(guān)的情況下，都是有損的，而且損耗和兩電容之間的開關(guān)導(dǎo)通電阻無關(guān)。...
2023-07-05 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器衰減器諧振器開關(guān)電容電感電流 3465
時(shí)序分析基本概念介紹<spice deck>
今天我們要介紹的時(shí)序分析概念是spice deck。平時(shí)用得可能比較少，是PT產(chǎn)生的一個(gè)spice信息文件，可以用來和HSPICE做correlation。...
2023-07-05 標(biāo)簽：仿真器時(shí)序分析SPICE仿真時(shí)序分析器 2246
基于ICLM331的簡單頻率電壓轉(zhuǎn)換器電路
轉(zhuǎn)換器電路廣泛應(yīng)用于所有地方，其中有幾種類型。這是一個(gè)使用ICLM331的簡單頻率電壓轉(zhuǎn)換器電路，它基本上是一個(gè)精密電壓到頻率轉(zhuǎn)換器。該IC有很多應(yīng)用，在這里我們將將其用作簡單的頻率...
2023-07-05 標(biāo)簽：LM331轉(zhuǎn)換器電路LM331轉(zhuǎn)換器電路頻率電壓轉(zhuǎn)換 3788
求一種高壓大電流DMOS版圖設(shè)計(jì)方案
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類...
2023-07-05 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管逆變器音頻放大器場效應(yīng)晶體管 1611
TL074運(yùn)算放大器內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)仿真
淺析TL074運(yùn)算放大器內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)仿真...
2023-07-05 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器DIP封裝晶體管射極跟隨器DIP封裝TL074射極跟隨器晶體管運(yùn)算放大器 4652
中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功
8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。...
2023-07-05 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 828
功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過程
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。...
2023-07-05 標(biāo)簽：開關(guān)電源斬波器MOS管逆變器場效應(yīng)晶體管 1244
耗盡型MOSFET的符號/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場景
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC。此外，也用于放大器和濾波器...
2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管電壓控制器 16020
時(shí)序分析Slew/Transition基本概念介紹
今天要介紹的時(shí)序分析基本概念是Slew，信號轉(zhuǎn)換時(shí)間，也被稱為transition time。...
2023-07-05 標(biāo)簽：信號轉(zhuǎn)換器時(shí)序分析VDDCTS時(shí)序分析器 5870
場控晶閘管（MCT）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn)，雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSFET、IGBT導(dǎo)通壓降隨之大幅上升。...
高頻小功率晶體管設(shè)計(jì)
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。...
2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓功率晶體管 2046
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對MCT瞬態(tài)特性（TLP）的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn)，雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSFET、IGBT導(dǎo)通壓降隨之大幅上升。...
跨導(dǎo)放大器噪聲分析
隨著大規(guī)模復(fù)雜集成電路的不斷發(fā)展，噪聲對于集成電路性能的潛在危害越來越大。...
2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFETIC設(shè)計(jì)跨導(dǎo)放大器敏感電路偏置電流 1582
非對稱晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅱ
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)...
IGBT輸出IV溫度特性介紹
IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm...
運(yùn)放電路的分析和選型
在學(xué)習(xí)運(yùn)放選型前，我們需要先來透測的學(xué)習(xí)運(yùn)放電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和原理，對于我們來說是模擬電路中十分重要的元件，它能組成放大、加法、減法、轉(zhuǎn)換等各種電路，我們可以運(yùn)用運(yùn)放的&q...
2023-07-05 標(biāo)簽：運(yùn)放電路模擬電路運(yùn)算放大器運(yùn)放 2261
分享一個(gè)基于51單片機(jī)的濕度監(jiān)測仿真和程序
仿真所用的濕度傳感器為SHT11。SHT11是瑞士Scnsirion公司推出的一款數(shù)字溫濕度傳感器芯片。該芯片廣泛應(yīng)用于暖通空調(diào)、汽車、消費(fèi)電子、自動控制等領(lǐng)域。...
2023-07-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器51單片機(jī)濕度傳感器CRC校驗(yàn) 2502
為何肖特基二極管會發(fā)熱?肖特基如何降低發(fā)熱量?
同等電流情況下，一是可以選擇更低壓降的肖特基，可以保證VF稍微低0.2-0.3V，可以保證功耗情況下，比如選擇雷卯的SS34LVFA 壓降為0.3V。...
聊聊電源網(wǎng)絡(luò)背后的一些理論
電流I大，這個(gè)和cell的選?。?qū)動能力，Vt類型）以及設(shè)計(jì)（翻轉(zhuǎn)率，是否同時(shí)翻轉(zhuǎn)等）相關(guān)；...
2023-07-05 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)反相器晶體管瞬態(tài)電壓 1650
OTG硬件檢測電路介紹
OTG 是"On The Go"的英文縮寫，可以理解為“安上即可用”。USB 傳輸是主從結(jié)構(gòu)，一切 USB 傳輸都由 Host 發(fā)起。...
2023-07-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器OTGGNDVBUS 4089
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