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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
TVS二極管保護電路原理和PCB布局技巧

TVS二極管保護電路原理和PCB布局技巧

對于工程師來說,浪涌保護不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜,主要涉及在 PCB 布局中放置瞬態(tài)保護組件并應(yīng)用明確的接地策略 。...

2023-06-09 標(biāo)簽:二極管pcb保護電路TVS布局 6970

為什么PWM驅(qū)動采用圖騰柱而不是互補推挽?

為什么PWM驅(qū)動采用圖騰柱而不是互補推挽?

推挽電路的應(yīng)用非常廣泛,比如單片機的推挽模式輸出,PWM控制器輸出,橋式驅(qū)動電路等。...

2023-06-09 標(biāo)簽:三極管控制器MOS管推挽電路PWM驅(qū)動 2228

LED驅(qū)動電源IC U6113自恢復(fù)模式抗干擾

LED照明不僅被現(xiàn)代工業(yè)大量運用,而且在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)上,已經(jīng)開始使用紅色和藍色LED燈的組合為植物生長提供最佳的光子...

2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFETled照明控制器驅(qū)動電源電源IC 699

射頻電路layout總結(jié)

射頻電路板設(shè)計由于在理論上還有很多不確定性,因此常被形容為一種“黑色藝術(shù)”,但這個觀點只有部分正確,RF電路板設(shè)計也有許多可以遵循的準(zhǔn)則和不應(yīng)該被忽視的法則。...

2023-06-09 標(biāo)簽:微控制器模擬電路射頻電路RF電路電源去耦 863

如何看待中國前五個月芯片進口下降20%?

根據(jù)官方海關(guān)數(shù)據(jù),中國的芯片進口在 2023 年前五個月下降了近 20%,原因是在地緣政治摩擦愈演愈烈的情況下,中國與韓國和日本的貿(mào)易萎縮。...

2023-06-09 標(biāo)簽:處理器MOSFETIGBT存儲芯片ADAS系統(tǒng) 2536

晶體管三種基本接法比較

晶體管三種基本接法比較

在電子電路中,放大的對象是變化量,放大的本質(zhì)是在輸入信號的作用下,通過有源元件(晶體管或場效應(yīng)管)對直流電源的能量進行控制和轉(zhuǎn)換,使負載從電源中獲得的輸出信號能量比信號源...

2023-06-09 標(biāo)簽:放大電路晶體管負載電源電子電路 2325

了解IGBT模塊

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓...

2023-06-09 標(biāo)簽:三極管封裝IGBT晶體管BJT 1986

新硅聚合實現(xiàn)6英寸光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

新硅聚合實現(xiàn)6英寸光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司(簡稱:新硅聚合)近期實現(xiàn)了6英寸的光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜(LNOI)的工程化制備。...

2023-06-09 標(biāo)簽:濾波器諧振器SiCSAW5G通信 4688

電感嘯叫問題,如何解決?

電感嘯叫問題,如何解決?

電源采用的是BL8033同步降壓開關(guān)電源。最大輸入為16V、最大輸出3A、效率高達96%。...

2023-06-09 標(biāo)簽:單片機pcb電路板電源芯片三防漆 2867

基于InGaAs/InP低噪聲GHz單光子探測器研究

基于InGaAs/InP低噪聲GHz單光子探測器研究

近年來, InGaAs/InP雪崩光電二極管(APD)體積小、功耗低、響應(yīng)速度快,被廣泛應(yīng)用于近紅外單光子檢測。...

2023-06-09 標(biāo)簽:光纖傳感器低通濾波器光電二極管光通信系統(tǒng)單光子探測器 1289

MOSFET、IGBT、可控硅知識科普

MOSFET、IGBT、可控硅知識科普

功率場效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。...

2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管可控硅IGBTN溝道 5222

介紹直流開關(guān)電源中的buck電路

介紹直流開關(guān)電源中的buck電路

Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓撲結(jié)構(gòu),屬于非隔離的直流變換器。...

2023-06-09 標(biāo)簽:開關(guān)電源濾波電容直流變換器buck電路體二極管 1772

二極管的反向恢復(fù)過程

二極管的反向恢復(fù)過程

在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內(nèi),輸入為+VF,二極管導(dǎo)通,電路中有電流流通。...

2023-06-09 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)電荷輸入電壓 6656

MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用

MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要...

2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管開關(guān)管PMOS 1257

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平...

2023-06-09 標(biāo)簽:原理圖MOSFET穩(wěn)壓器電源系統(tǒng)開關(guān)控制器 904

運算放大器LM741內(nèi)部電路詳解+工作原理+功能參數(shù)

運算放大器LM741內(nèi)部電路詳解+工作原理+功能參數(shù)

LM741 運算放大器是一種直流耦合高增益電子電壓放大器, 是最常用的運算放大器集成電路之一,可以同時執(zhí)行數(shù)字運算和放大功能。...

2023-06-09 標(biāo)簽:放大器運算放大器引腳lm741電路符號 24039

瞬態(tài)按捺二極管的工作原理

瞬態(tài)按捺二極管的工作原理

瞬態(tài)按捺二極管(瞬態(tài)電壓按捺器)(TVS)的作業(yè)原理與(壓二極管又名齊納二極管)穩(wěn)壓二極管相同,但構(gòu)造上有差別。其最大的差別是通常穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的PN結(jié)面積很小,它能接受的反向電流...

2023-06-09 標(biāo)簽:二極管保險絲TVSMOSPN結(jié) 1045

判斷三極管的工作狀態(tài) 三種重要的放大電路

判斷三極管的工作狀態(tài) 三種重要的放大電路

晶體管分P區(qū)和N區(qū), 當(dāng)P區(qū)電壓大于N區(qū)電壓時是正偏,反之就是反偏。...

2023-06-09 標(biāo)簽:三極管放大電路晶體管引腳共集電極 2779

晶振不起振的原因有哪些?

晶振不起振的原因有哪些?

晶片的化學(xué)成分為二氧化硅,與玻璃相同,屬于清脆易碎品,在承受較大沖撞、跌落、強震動、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等現(xiàn)象。...

2023-06-08 標(biāo)簽:晶振 1780

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識總結(jié)  模電經(jīng)典電路與電路原理基礎(chǔ)知識

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識總結(jié) 模電經(jīng)典電路與電路原理基礎(chǔ)知識

? 01基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么? 基爾霍夫電流定律:在電路任一節(jié)點,流入、流出該節(jié)點電流的代數(shù)和為零。 基爾霍夫電壓定律:在電路中的任一閉合電路,電壓的代數(shù)和為零。 ? 02戴維南...

2023-06-08 標(biāo)簽:電路等效電路模擬電子模電rc振蕩器 5873

PCB材料選擇與性能比較

PCB板被廣泛應(yīng)用于電子行業(yè),作為電子設(shè)備的重要組成部分之一,負責(zé)連接各種電子元件。...

2023-06-08 標(biāo)簽:PCB板電磁場碳化硅微波電路板 1152

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度,它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多,同時由于沒有體二極管pn結(jié),因此在硬開關(guān)中,沒有相關(guān)的反向恢復(fù)電荷。...

2023-06-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵無刷直流電機伺服驅(qū)動器電力傳輸 1660

傳統(tǒng)Boost PFC和無橋PFC的工作原理及狀態(tài)

傳統(tǒng)Boost PFC和無橋PFC的工作原理及狀態(tài)

由于無橋PFC拓撲主要為提高效率(省掉了整流橋及其損耗),但相對傳統(tǒng)Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二極管多一倍)、控制(相對復(fù)雜)和EMC方面(EMI和surge需要額外處理才能滿足要求)...

2023-06-08 標(biāo)簽:二極管emiMOS管PFCboost電路 5698

一文詳解推挽電路原理圖

一文詳解推挽電路原理圖

其輸出的效果圖如上圖所示,可能細心的人會發(fā)現(xiàn),當(dāng)輸入信號的高電平低于電源電壓時,這意味著上N管的CE節(jié)將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險。...

2023-06-08 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管推挽電路 18586

頻率合成器是影響系統(tǒng)指標(biāo)的原因嗎?

頻率合成器是影響系統(tǒng)指標(biāo)的原因嗎?

由鑒相器(PD),環(huán)路濾波器(LPF),壓控振蕩器(VCO)三個基本模塊組成的一種相位負反饋閉環(huán)系統(tǒng)。...

2023-06-08 標(biāo)簽:VCO頻譜分析儀壓控振蕩器鑒相器環(huán)路濾波器 1855

淺析ADC的參數(shù)含義

淺析ADC的參數(shù)含義

即前一節(jié)提到的量化位數(shù),常見的有8bit,10bit,12bit,16bit,24bit。比較少見的部分高速ADC有6bit~8bit。...

2023-06-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器比較器DNLADC采樣逐次逼近寄存器 4947

ADI功率控制處理器ADSP-CM419在電池充電狀態(tài)(SOC)和運行狀態(tài)(SOH)的估計技術(shù)

ADI功率控制處理器ADSP-CM419在電池充電狀態(tài)(SOC)和運行狀態(tài)(SOH)的估計技術(shù)

基于鋰離子 (Li-ion) 電池單元的電池組廣泛用于各種應(yīng)用,例如:混合動力汽車 (HEV)、電動汽車 (EV)、可供日后使用的再生能源儲存以及用于各種目的(電網(wǎng)穩(wěn)定性、調(diào)峰和再生能源時移等)的電...

2023-06-09 標(biāo)簽:ADIadc鋰離子soc動力汽車 3141

功率放大器在EMC電磁兼容測試中的具體應(yīng)用

功率放大器在EMC電磁兼容測試中的具體應(yīng)用

作為電子及電器產(chǎn)品質(zhì)量衡量指標(biāo)之一的電磁兼容性(EMC)測試,它的測試正確與否直接關(guān)系到產(chǎn)品自身使用的可靠性及安全性,并且它還有可能對于同系統(tǒng)中的其他部分造成影響,不良的電磁...

2023-06-08 標(biāo)簽:電磁兼容功率放大器memsemc 2616

CM3003:高性價比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動器

CM3003:高性價比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動器

摘要:CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動器芯片,具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動等功能。該芯片適用于無刷電機控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動電路,...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOS管IGBT柵極驅(qū)動器 2279

低功率、高精度的儀表放大器INA125U/2K5概述

INA125是一種低功率、高精度的儀表放大器,具有精確的參考電壓。它在單個集成電路上提供完整的電橋激勵和精確的差分輸入放大環(huán)行單個外部電阻器可設(shè)置從4到10000。...

2023-06-08 標(biāo)簽:儀表放大器 1956

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