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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
一文詳解MOS的寄生模型

一文詳解MOS的寄生模型

引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮寫,具有高速和低損耗的特性,廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容一樣,MOS也有其寄生模型,了解其...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管MOSPMOS 4765

MOS管驅(qū)動電路原理圖

MOS管驅(qū)動電路原理圖

引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MOS為示例。MOS驅(qū)動電路的基本...

2023-06-08 標(biāo)簽:原理圖MOS管NMOS驅(qū)動電路PMOS 41941

如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測試?

如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測試?

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求,這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。...

2023-06-08 標(biāo)簽:整流二極管接觸器寄生電容變流器IGBT模塊 9227

IGBT模塊的3D建模

IGBT模塊的3D建模

最近發(fā)現(xiàn)很多小伙伴都是玩新能源高壓電驅(qū)的,想讓我講一講用CST如何建立IGBT模型。...

2023-06-08 標(biāo)簽:晶體管emcBJTIGBT模塊CST 5134

CST電磁兼容性仿真—雙脈沖3D仿真

CST電磁兼容性仿真—雙脈沖3D仿真

眾所周知,達(dá)索系統(tǒng)的CST對于電磁兼容性仿真有著很好的精度和準(zhǔn)確度。那么CST除了電磁兼容性仿真,SIPI仿真還能做哪些事呢?...

2023-06-08 標(biāo)簽:二極管電磁兼容MOS管驅(qū)動電阻CST 8358

一文讀懂CMP拋光墊

一文讀懂CMP拋光墊

在現(xiàn)代工業(yè)中,表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求,往往需要進(jìn)行拋光處理。...

2023-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體mems晶體管CMP 7945

淺析芯片沉積工藝

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前,先要闡述下薄膜(thin film)的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。...

2023-06-08 標(biāo)簽:邏輯電路PVD儲存器CVDNMOS管 5554

如何正確理解IGBT廠家給出的功率循環(huán)曲線?

如何正確理解IGBT廠家給出的功率循環(huán)曲線?

近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注,特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。...

2023-06-08 標(biāo)簽:IGBTCIPSigbt芯片 1596

如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評估呢?

如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評估呢?

IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問題。...

2023-06-08 標(biāo)簽:二極管IGBT電力電子IGBT模塊DCB 2111

一因素或使SiC壽命縮短90%!如何破局?

3月1日,特斯拉特別在”投資者日“活動上強(qiáng)調(diào)了SiC封裝技術(shù),大家是否想過為什么?...

2023-06-08 標(biāo)簽:封裝技術(shù)SiCASIC芯片硅芯片 868

2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長

2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長

研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測,盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長。...

2023-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IGBT電機(jī)控制器SiC 1334

電動汽車或成為碳化硅器件最大的應(yīng)用市場

電動汽車或成為碳化硅器件最大的應(yīng)用市場

數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)到2027年,汽車市場導(dǎo)電型碳化硅功率器件規(guī)模達(dá)49.86億美元,占比79.2%,能源、工業(yè)和交通應(yīng)用市場占比分別降至7.3%,8.7%和3.0%。...

2023-06-08 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET逆變器光伏發(fā)電碳化硅 580

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC氮化鎵GaN 5958

半導(dǎo)體制備工藝的發(fā)展歷程及種類特性

半導(dǎo)體制備工藝的發(fā)展歷程及種類特性

半導(dǎo)體工藝的發(fā)展歷程幾乎與現(xiàn)代電子工業(yè)的發(fā)展歷程一致。早在20世紀(jì)40年代,貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)明了第一個(gè)點(diǎn)接觸式晶體二極管,標(biāo)志著半導(dǎo)體技術(shù)的誕生。...

2023-06-08 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體 1729

數(shù)字信號與模擬信號及脈沖信號的區(qū)別

數(shù)字信號與模擬信號及脈沖信號的區(qū)別

有關(guān)數(shù)字信號與模擬信號及脈沖信號的區(qū)別,模擬信號與模擬電子電路,數(shù)字信號和數(shù)字(電子)電路,以及脈沖信號的定義與作用圖解。...

2023-06-08 標(biāo)簽:模擬信號數(shù)字信號脈沖信號 8625

絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識

絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識

場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。...

2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管MOS管NMOS 1541

常用運(yùn)放電路計(jì)算與分析

常用運(yùn)放電路計(jì)算與分析

差動放大器放大了兩個(gè)信號的差,但是它的輸入信號不高為2R1。...

2023-06-08 標(biāo)簽:放大器運(yùn)放電路運(yùn)算放大器運(yùn)放電壓跟隨器 1366

7.5W充電器芯片U95133布局緊湊高效

人們出門在外,已厭倦了各種體型笨重規(guī)格繁瑣的充電器,特別希望充電器或者適配器越小越好,越輕薄越好。...

2023-06-08 標(biāo)簽:變壓器二極管充電器適配器RCS 1523

IGBT模塊壽命評估實(shí)驗(yàn)依據(jù)

IGBT模塊壽命評估實(shí)驗(yàn)依據(jù)

隨著高速動車組列車、電動汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展...

2023-06-08 標(biāo)簽:電動汽車IGBTDBCIGBT模塊硅芯片 3164

基于反型層電荷的模型

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。...

2023-06-08 標(biāo)簽:多晶硅MOSFET仿真器TCADNMOS管 3070

差動放大電路如何抑制零點(diǎn)漂移

差動放大電路如何抑制零點(diǎn)漂移

從直流分析,我們看到差動放大電路可視為兩個(gè)完全相同的共射極放大電路以對稱形式構(gòu)成。這種特殊的結(jié)構(gòu)如何抑制零點(diǎn)漂移呢?與它的對稱結(jié)構(gòu)有關(guān),請看:...

2023-06-07 標(biāo)簽:放大電路信號源晶體管差動放大電路零點(diǎn)漂移 7671

差動放大電路的結(jié)構(gòu)和靜態(tài)工作點(diǎn)分析

差動放大電路的結(jié)構(gòu)和靜態(tài)工作點(diǎn)分析

由于溫度變化而引起的電壓漂移是零點(diǎn)漂移的主要成分,用熱敏元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償不失為一種解決溫漂的好辦法。受補(bǔ)償思想啟發(fā),用2只型號和特性都相同的晶體管來進(jìn)行補(bǔ)償,也收到了較好...

2023-06-07 標(biāo)簽:放大電路晶體管差分放大電路差動放大電路靜態(tài)工作點(diǎn) 9032

多級放大電路中零點(diǎn)漂移產(chǎn)生與抑制措施

多級放大電路中零點(diǎn)漂移產(chǎn)生與抑制措施

在多級放大電路,尤其是直接耦合多級放大電路中,當(dāng)放大電路輸入信號為零(即沒有交流輸入)時(shí),由于受溫度變化、電源電壓不穩(wěn)、元件參數(shù)變化等因素的影響,使靜態(tài)工作點(diǎn)發(fā)生變化,并...

2023-06-07 標(biāo)簽:放大電路晶體管差動放大電路輸入信號零點(diǎn)漂移 7892

如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開關(guān)?

如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開關(guān)?

MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢,比如壓降小,損耗低,控制簡易,使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛...

2023-06-07 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動BJTVcc驅(qū)動電流 1914

如何使用Verilog實(shí)現(xiàn)具有預(yù)生成系數(shù)的簡單FIR濾波器?

如何使用Verilog實(shí)現(xiàn)具有預(yù)生成系數(shù)的簡單FIR濾波器?

不起眼的 FIR 濾波器是 FPGA 數(shù)字信號處理中最基本的模塊之一,因此了解如何將具有給定抽頭數(shù)及其相應(yīng)系數(shù)值的基本模塊組合在一起非常重要。...

2023-06-07 標(biāo)簽:dspFPGA低通濾波器數(shù)字信號處理fir濾波器 1252

模組串口電路常見電平匹配方法

模組串口電路常見電平匹配方法

模組UART、IO、IIC、SPI等外圍接口電平域通常為1.8V、2.8V、3V,主流單片機(jī)系統(tǒng)的電平域通常為3.3V和5V,當(dāng)模組與單片機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)交互時(shí),由于通信雙方電平不匹配,可能導(dǎo)致通信失敗、電流...

2023-06-07 標(biāo)簽:二極管單片機(jī)mcu電平uart 12264

教你如何使用三極管BJT驅(qū)動MOS管

教你如何使用三極管BJT驅(qū)動MOS管

受限于MOS管的驅(qū)動閾值,在許多的應(yīng)用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷,此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動電路,實(shí)現(xiàn)GPIO電平可以驅(qū)動MOS。...

2023-06-07 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動電路GPIOLRC 19307

開關(guān)MOS的驅(qū)動電路技術(shù)分享

開關(guān)MOS的驅(qū)動電路技術(shù)分享

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。...

2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路寄生電容電容電壓 1546

開關(guān)電源負(fù)極性橋式整流電路原理

開關(guān)電源負(fù)極性橋式整流電路原理

下圖是負(fù)極性橋式整流電路。電路中的VD1~VD4 4只整流二極管構(gòu)成橋式整流電路,T1是電源變壓器。電路結(jié)構(gòu)與正極性電路基本相同,只是橋式整流電路的接地引腳和直流電壓輸出引腳不同,兩...

2023-06-07 標(biāo)簽:原理圖開關(guān)電源電路設(shè)計(jì) 4294

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)?

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)?

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。...

2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動電路負(fù)載電源GNDPMOS管 4558

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