模擬技術(shù)
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如何為溫度傳感器選擇正確的熱敏電阻
熱敏電阻本身的價格并不昂貴。由于它們是離散的，因此可以通過使用額外的電路來改變其電壓降。例如，如果您使用的是非線性的NTC熱敏電阻，且希望在設(shè)備上出現(xiàn)線性電壓降，則可選擇添加...
三極管開關(guān)電路設(shè)計（電路結(jié)構(gòu)、參數(shù)計算）
如圖1所示，三極管開關(guān)電路基本結(jié)構(gòu)由基極電阻，集電極電阻（負載）組成。...
2023-03-24 標簽：三極管電阻單片機開關(guān)電路下拉電阻 6425
元件溫度計算方法：根據(jù)管殼溫度
? ? ? 可根據(jù)管殼溫度求出結(jié)點溫度。 計算方法1或者2中介紹的，用結(jié)點-管殼間的熱電阻代替結(jié)點-環(huán)境間熱電阻：Rth（j-c）的計算方法。如下。 Tj=Tc+Rth（j-c）×P Tc： 外殼溫度*Rth（j-c）： 結(jié)...
元件溫度計算方法：瞬態(tài)熱阻
結(jié)點溫度的計算方法2：根據(jù)周圍溫度（瞬態(tài)熱阻） 在 “1. 根據(jù)周邊溫度（基本）” 中，考慮了連續(xù)施加功率時的例子。 接著，考慮由于瞬間施加功率引起的溫度上升。 由于瞬間施加功率引起...
元件溫度計算方法：根據(jù)周圍溫度
結(jié)點溫度的計算方法1：根據(jù)周圍溫度（基本） 結(jié)點溫度（或通道溫度）可根據(jù)周圍溫度和功耗計算。根據(jù)熱電阻的思考方法， Tj=Ta+Rth（j-a）×P Ta：周圍溫度（測量的房間室溫）Rth（j-a）： 結(jié)...
使用晶體管的選定方法（下）
3. 是否在SOA范圍內(nèi)？ 確認安全工作區(qū)域 （SOA *1） 1 安全工作區(qū)域（SOA）表示晶體管可安全工作的區(qū)域。 不過，SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù)，在脈沖反復(fù)混入時，需要所有脈沖都進入SOA范圍內(nèi)，并...
使用晶體管的選定方法（上）
1. 測定實際的電流、電壓波形 確認電流、電壓 用示波器確認晶體管上的電壓、電流。 需要全部滿足規(guī)格書上記載的額定值，特別應(yīng)該確認下列項目。 特別應(yīng)該確認的項目 晶體管的種類 電壓...
淺談納米氮化鎵的合成制備方法
GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍綠發(fā)光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和...
MOS管的概念、結(jié)構(gòu)及原理
MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 MOS可以分為兩種：耗盡型和增強型。...
2023-03-23 標簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管晶體管N溝道 11806
淺談國產(chǎn)化IGBT的未來前景
自2020年汽車缺芯以來，汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯，IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴產(chǎn)的最大掣肘。...
2023-03-23 標簽：IGBT功率半導(dǎo)體中央處理器 1346
碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。...
2023-03-23 標簽：晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2726
DAC80508多通道DAC在高精度測試測量中的應(yīng)用
在測試測量設(shè)備開發(fā)應(yīng)用中，如何實現(xiàn)信號鏈DC Offset的補償，以及如何獲得高精度靈活可調(diào)電壓輸出一直都是系統(tǒng)設(shè)計者需要克服的困難。在本文中，我們將探討TI新一代多通道DAC——DAC80508在...
LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。...
2023-03-23 標簽：MOSFET電源開關(guān)MOSFET驅(qū)動器開關(guān)驅(qū)動器ltc7001 2372
STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢
在電源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波，也會產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級中電壓和電流的快速切換而引起的高頻...
2023-03-23 標簽：電源轉(zhuǎn)換器射頻電阻器數(shù)據(jù)采集 1574
關(guān)于mos管基礎(chǔ)知識介紹
無論是NMOS還是PMOS ，按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：單獨的一腳為D，逆時針轉(zhuǎn)DGS。...
碳化硅規(guī)模化應(yīng)用的技術(shù)難點
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。...
模擬技術(shù)知識：電容的35個基本常識
放大電路中耦合電容和旁路電容如何判別? 耦合電容負極不接地，而是接下一級的輸入端，旁路電容負極接地。...
由兩個單向電流檢測放大器創(chuàng)建雙向電流檢測放大器
在許多電池電流監(jiān)控應(yīng)用中，需要雙向電流檢測來測量電池中的充電和放電電流。本應(yīng)用筆記介紹如何連接兩個單向電流輸出電流檢測放大器，如MAX4172和MAX4173，組成一個雙向電流檢測放大器。...
DAC數(shù)模轉(zhuǎn)換器介紹
今日為大家介紹DAC數(shù)模轉(zhuǎn)換器。...
2023-03-22 標簽：濾波器dac模擬信號數(shù)模轉(zhuǎn)換器信號發(fā)生器 4947
如何利用TINA-TI來完成跨阻放大電路的穩(wěn)定性設(shè)計
在測試測量和醫(yī)療行業(yè)中，許多應(yīng)用采集的原始信號都是光信號，例如LiDAR，OTDR，PCR等。在采集的過程中這類應(yīng)用會不可避免的進行光電轉(zhuǎn)換，首先通過光電二極管把光信號轉(zhuǎn)化成電流信號，然...
利用常用的微控制器設(shè)計技術(shù)更大限度地提高熱敏電阻精度
溫度傳感器用于大功率開關(guān)電源設(shè)計中，需要監(jiān)測功率晶體管和散熱器。電池充電系統(tǒng)需要溫度傳感器監(jiān)測電池溫度，以便安全充電并優(yōu)化電池壽命，家庭恒溫器則需要溫度傳感器監(jiān)測房間溫度...
高性能全集成逐次逼近寄存器型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
首先就是抗混疊電路的需求。例如當電路中的SAR型ADC采樣率為fs時，根據(jù)香濃采樣定律，輸入信號的頻率需要小于fs/2，頻率超過fs/2的信號將會通過混疊效應(yīng)“混入”有用信號頻帶中，并且無法...
2023-03-22 標簽：CMOS濾波器SARadc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1750
什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。...
2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 8119
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