標(biāo)簽　>　功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

+關(guān)注 0人關(guān)注

功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

文章： 1407 個(gè)

視頻： 28 個(gè)

瀏覽： 45300 次

帖子： 21 個(gè)

詳情
知識(shí)
相關(guān)內(nèi)容

功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（瑞士）林德?！豆β拾雽?dǎo)體器件與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

功率半導(dǎo)體百科

　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動(dòng)化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書。

查看詳情

功率半導(dǎo)體知識(shí)

基于IGBT7 140A大電流單管的150kW高性價(jià)比功率解決方案

功率半導(dǎo)體器件不斷走向成熟的標(biāo)志之一，就是芯片的代次更迭和系列化。英飛凌IGBT單管產(chǎn)品線通過持續(xù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)、工藝與性能，

2026-05-12 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體 889 0
未來十年SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來顯著增長(zhǎng)

近日，日本知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（FujiKeizai）發(fā)布了最新全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告指出，到2035年，

2026-05-11 標(biāo)簽： SiC GaN 功率半導(dǎo)體 70 0
解析 onsemi UF3C170400K3S 碳化硅共源共柵 JFET

解析 onsemi UF3C170400K3S碳化硅共源共柵JFET 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件憑借其優(yōu)異的

2026-05-09 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 52 0
安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N：性能亮點(diǎn)與應(yīng)用解析

安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N：性能亮點(diǎn)與應(yīng)用解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件

2026-05-09 標(biāo)簽：安森美功率半導(dǎo)體 51 0
onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析

onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件憑借其卓

2026-05-09 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 60 0
onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析

onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 800 0
深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET

深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET 引言在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 108 0
onsemi碳化硅MOSFET：NTH4L070N120M3S技術(shù)解析

onsemi碳化硅MOSFET：NTH4L070N120M3S技術(shù)解析在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)眾多應(yīng)用的

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 123 0
安森美SiC MOSFET：引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時(shí)代

安森美SiC MOSFET：引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時(shí)代在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正憑借其卓越性能逐漸嶄露頭角。安

2026-05-08 標(biāo)簽：安森美功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 126 0
安森美發(fā)布2026年Q1財(cái)報(bào)：營(yíng)收超預(yù)期背后的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型與資本運(yùn)作密碼

近日，安森美（NASDAQ：ON）披露2026年第一季度業(yè)績(jī)，在半導(dǎo)體行業(yè)周期性調(diào)整背景下交出了一份"逆勢(shì)增長(zhǎng)

2026-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美功率半導(dǎo)體 461 0

展開查看更多

全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè)

功率半導(dǎo)體技術(shù)

基于IGBT7 140A大電流單管的150kW高性價(jià)比功率解決方案

功率半導(dǎo)體器件不斷走向成熟的標(biāo)志之一，就是芯片的代次更迭和系列化。英飛凌IGBT單管產(chǎn)品線通過持續(xù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)、工藝與性能，為不同應(yīng)用領(lǐng)域提供有針對(duì)性的參數(shù)...

2026-05-12 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體 889 0

解析 onsemi UF3C170400K3S 碳化硅共源共柵 JFET

解析 onsemi UF3C170400K3S碳化硅共源共柵JFET 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)。今...

2026-05-09 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅JFET UF3C170400K3S 52 0

安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N：性能亮點(diǎn)與應(yīng)用解析

安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N：性能亮點(diǎn)與應(yīng)用解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用...

2026-05-09 標(biāo)簽：安森美功率半導(dǎo)體碳化硅模塊 51 0

onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析

onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件憑借其卓越的性能逐漸成為研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)...

2026-05-09 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅器件 UF4SC120030K4S 60 0

onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析

onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正逐漸成為主流，其卓越的性能為...

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC Cascode JFET UJ4C075033K3S 800 0

深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET

深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET 引言在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和性能起著...

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET NTH4L028N170M1 108 0

onsemi碳化硅MOSFET：NTH4L070N120M3S技術(shù)解析

onsemi碳化硅MOSFET：NTH4L070N120M3S技術(shù)解析在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)眾多應(yīng)用的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天，...

2026-05-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET NTH4L070N120M3S 123 0

安森美SiC MOSFET：引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時(shí)代

安森美SiC MOSFET：引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時(shí)代在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正憑借其卓越性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NTH...

2026-05-08 標(biāo)簽：安森美功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 126 0

安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析

安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其優(yōu)越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用...

2026-05-07 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S 706 0

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N090SC1：高性能與可靠性的完美結(jié)合

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N090SC1：高性能與可靠性的完美結(jié)合在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對(duì)系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著...

2026-05-07 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET NTHL060N090SC1 609 0

功率半導(dǎo)體帖子

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 2043 0

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1860 0

GaN功率集成電路：器件集成帶來應(yīng)用性能

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1784 0

GaN功率集成電路的驅(qū)動(dòng)性能分析

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1822 0

基于GaNFast?功率半導(dǎo)體的高效有源箝位反激變換器的設(shè)計(jì)考慮

標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體反激變換器 1529 0

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1637 0

GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命

標(biāo)簽：適配器 GaN 功率半導(dǎo)體 1497 0

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 18759 0

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)

標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 1083 1

IGBT全球缺貨成香餑餑，對(duì)從業(yè)者來說是紅利期到了嗎？

標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 1390 0

功率半導(dǎo)體資料下載

CMT8603X單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及其認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)立即下載

類別：電子資料 2025-02-21 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體

使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)立即下載

類別：電子資料 2024-08-29 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體

第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)介紹立即下載

類別：電源技術(shù) 2024-04-23 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告立即下載

類別：報(bào)告 2023-12-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體報(bào)告產(chǎn)業(yè)鏈

三相并網(wǎng)逆變器模型預(yù)測(cè)容錯(cuò)控制-三相四開關(guān)TPFS立即下載

類別：電子資料 2023-03-01 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體三相并網(wǎng)

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試(拓展)之實(shí)驗(yàn)simulink仿真立即下載

類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：仿真 IGBT Simulink

碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能帶來哪些優(yōu)勢(shì)立即下載

類別：電子資料 2023-02-21 標(biāo)簽：肖特基功率半導(dǎo)體碳化硅

功率器件行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)立即下載

類別：電子資料 2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件功率半導(dǎo)體

中國(guó)大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名立即下載

類別：電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體資訊

未來十年SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來顯著增長(zhǎng)

近日，日本知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（FujiKeizai）發(fā)布了最新全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告指出，到2035年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到73...

2026-05-11 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 70 0

安森美發(fā)布2026年Q1財(cái)報(bào)：營(yíng)收超預(yù)期背后的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型與資本運(yùn)作密碼

近日，安森美（NASDAQ：ON）披露2026年第一季度業(yè)績(jī)，在半導(dǎo)體行業(yè)周期性調(diào)整背景下交出了一份"逆勢(shì)增長(zhǎng)"的成績(jī)單。本季度營(yíng)收...

2026-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美功率半導(dǎo)體 461 0

安森美公布2026年第一季度財(cái)報(bào) 營(yíng)收達(dá)15.13億美元

近日，安森美（ON）公布2026年第一季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收達(dá)15.13億美元，超出公司業(yè)績(jī)指引中值，展現(xiàn)其在半導(dǎo)體行業(yè)中的強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)能。財(cái)報(bào)同時(shí)披露了毛利率、...

2026-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美功率半導(dǎo)體 627 0

光谷芯材與昌龍智芯聯(lián)合發(fā)布化合物半導(dǎo)體新品，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高壓功率器件空白

近日，在2026年九峰山論壇期間，光谷芯材聯(lián)合（武漢）科技有限公司與北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導(dǎo)體新品——RF及Power GaN外...

2026-04-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN 功率半導(dǎo)體 1.1k 0

東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院走近芯朋微電子交流合作

4月15日，東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院舉行“微·電生涯沙龍——走近芯朋微電子”主題活動(dòng)。芯朋微電子與東南大學(xué)圍繞人才培養(yǎng)、技術(shù)創(chuàng)新、競(jìng)賽實(shí)踐和校企交流展...

2026-04-27 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體芯朋微電子 616 0

羅氏線圈在功率半導(dǎo)體產(chǎn)線模塊測(cè)試中的應(yīng)用

普科PK-CWT探頭提升功率模塊測(cè)試精度，解決多橋臂均流與電流分布難題，滿足產(chǎn)線高精度、高效率測(cè)試需求。

2026-04-27 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體羅氏線圈 83 0

Infineon創(chuàng)新功率半導(dǎo)體產(chǎn)品助力可再生能源發(fā)展

在全球能源轉(zhuǎn)型浪潮的推動(dòng)下，可再生能源扮演的角色越來越重要，由此也拉動(dòng)著光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電樁等新興功率電子應(yīng)用的長(zhǎng)足發(fā)展。

2026-04-27 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體可再生能源 1.8k 0

攜手共進(jìn) 共創(chuàng)卓越 | 捷捷微電2026年海外代理商大會(huì)圓滿舉辦！

2026年4月14日，以“攜手共進(jìn)共創(chuàng)卓越”為主題的捷捷微電海外代理商大會(huì)在啟東皇冠假日酒店隆重舉行。來自亞洲、歐洲和南美洲的核心代理商伙伴跨越時(shí)區(qū)與國(guó)...

2026-04-17 標(biāo)簽：工業(yè)功率半導(dǎo)體捷捷微電 395 0

北交所功率半導(dǎo)體第一股，誕生！

4月10日，賽英電子正式敲鐘登陸北京證券交易所。這聲鑼響，不僅宣告了北交所功率半導(dǎo)體板塊“從 0到 1"的破冰，更向市場(chǎng)釋放了一個(gè)重磅信號(hào)——...

2026-04-20 標(biāo)簽：電機(jī)功率半導(dǎo)體 471 0

AOS IPM5模塊在印度正式量產(chǎn)，“薩南德—硅谷”橋梁助推全球半導(dǎo)體新格局

在印度薩南德舉行的 Kaynes Semicon 開業(yè)典禮上， Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS，中...

2026-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IPM 功率半導(dǎo)體 1.6k 0

功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

相關(guān)話題

換一批

快充技術(shù)

快充技術(shù)

+關(guān)注
尼吉康

尼吉康

+關(guān)注
trinamic

trinamic

+關(guān)注

TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

+關(guān)注

　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

+關(guān)注

無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

+關(guān)注
艾德克斯

艾德克斯

+關(guān)注

ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

+關(guān)注

國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

+關(guān)注
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

手機(jī)快充

+關(guān)注

手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

+關(guān)注

A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

+關(guān)注

MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

USB PD

+關(guān)注
太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

+關(guān)注
PSR

PSR

+關(guān)注
浪涌抑制器

浪涌抑制器

+關(guān)注
光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

+關(guān)注

逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
DCDC電源

DCDC電源

+關(guān)注

DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

+關(guān)注

Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

+關(guān)注
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

+關(guān)注

脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

+關(guān)注

共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

+關(guān)注
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

+關(guān)注
董明珠

董明珠

+關(guān)注

董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

UCD3138

+關(guān)注

換一批

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(23人)

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動(dòng)駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無(wú)刷電機(jī)	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機(jī)	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進(jìn)電機(jī)	SPWM	充電樁	IPM	機(jī)器視覺	無(wú)人機(jī)	三菱電機(jī)	ST
伺服電機(jī)	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國(guó)民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機(jī)	金升陽(yáng)	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長(zhǎng)晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計(jì)	溫度傳感器	壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器	步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器	TWS	BLDC	無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
數(shù)字隔離器	ESD 保護(hù)	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

開關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無(wú)線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
5G	m2m	DSP	MCU	ASIC	CPU	ROM	DRAM
NB-IoT	LoRa	Zigbee	NFC	藍(lán)牙	RFID	Wi-Fi	SIGFOX
Type-C	USB	以太網(wǎng)	仿真器	RISC	RAM	寄存器	GPU
語(yǔ)音識(shí)別	萬(wàn)用表	CPLD	耦合	電路仿真	電容濾波	保護(hù)電路	看門狗
CAN	CSI	DSI	DVI	Ethernet	HDMI	I2C	RS-485
SDI	nas	DMA	HomeKit	閾值電壓	UART	機(jī)器學(xué)習(xí)	TensorFlow

Arduino	BeagleBone	樹莓派	STM32	MSP430	EFM32	ARM mbed	EDA
示波器	LPC	imx8	PSoC	Altium Designer	Allegro	Mentor	Pads
OrCAD	Cadence	AutoCAD	華秋DFM	Keil	MATLAB	MPLAB	Quartus

C++	Java	Python	JavaScript	node.js	RISC-V	verilog	Tensorflow
Android	iOS	linux	RTOS	FreeRTOS	LiteOS	RT-THread	uCOS
DuerOS	Brillo	Windows11	HarmonyOS

林超文PCB設(shè)計(jì)：PADS教程，PADS視頻教程	鄭振宇老師：Altium Designer教程，Altium Designer視頻教程
張飛實(shí)戰(zhàn)電子視頻教程	朱有鵬老師：海思HI3518e教程，HI3518e視頻教程
李增老師：信號(hào)完整性教程，高速電路仿真教程	華為鴻蒙系統(tǒng)教程，HarmonyOS視頻教程
賽盛：EMC設(shè)計(jì)教程，EMC視頻教程	杜洋老師：STM32教程，STM32視頻教程
唐佐林：c語(yǔ)言基礎(chǔ)教程，c語(yǔ)言基礎(chǔ)視頻教程	張飛：BUCK電源教程，BUCK電源視頻教程
正點(diǎn)原子：FPGA教程，F(xiàn)PGA視頻教程	韋東山老師：嵌入式教程，嵌入式視頻教程
張先鳳老師：C語(yǔ)言基礎(chǔ)視頻教程	許孝剛老師：Modbus通訊視頻教程
王振濤老師：NB-IoT開發(fā)視頻教程	Mill老師：FPGA教程，Zynq視頻教程
C語(yǔ)言視頻教程	RK3566芯片資料合集
朱有鵬老師：U-Boot源碼分析視頻教程	開源硬件專題

日B视频亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

搜索歷史

功率半導(dǎo)體

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件功率半導(dǎo)體器件-28-功率MOSFET3-2

日立大力投資SiC功率半導(dǎo)體器件，#芯片 #半導(dǎo)體 #電子元器件 #科技 #集成電路第三代半#硬聲創(chuàng)作季

功率半導(dǎo)體封裝：中國(guó)新能源車產(chǎn)業(yè)鏈的下一個(gè)高地# 錫膏

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件功率半導(dǎo)體器件-27-功率MOSFET2-1

功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

功率半導(dǎo)體百科

功率半導(dǎo)體知識(shí)

功率半導(dǎo)體技術(shù)

功率半導(dǎo)體帖子

功率半導(dǎo)體資料下載

功率半導(dǎo)體資訊

功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(23人)

日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

搜索歷史

功率半導(dǎo)體

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件 功率半導(dǎo)體器件-28-功率MOSFET3-2

日立大力投資SiC功率半導(dǎo)體器件，#芯片 #半導(dǎo)體 #電子元器件 #科技 #集成電路 第三代半#硬聲創(chuàng)作季

功率半導(dǎo)體封裝：中國(guó)新能源車產(chǎn)業(yè)鏈的下一個(gè)高地# 錫膏

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件 功率半導(dǎo)體器件-27-功率MOSFET2-1

功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

功率半導(dǎo)體百科

功率半導(dǎo)體知識(shí)

功率半導(dǎo)體技術(shù)

功率半導(dǎo)體帖子

功率半導(dǎo)體資料下載

功率半導(dǎo)體資訊

功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(23人)

日B视频亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件功率半導(dǎo)體器件-28-功率MOSFET3-2

日立大力投資SiC功率半導(dǎo)體器件，#芯片 #半導(dǎo)體 #電子元器件 #科技 #集成電路第三代半#硬聲創(chuàng)作季

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體元器件功率半導(dǎo)體器件-27-功率MOSFET2-1