模擬技術(shù)
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MOS管極性的判斷方法
在場效應(yīng)管家族中可以分支成三類成員，第一類是比較常用的一類，它的大名叫“絕緣柵型場效應(yīng)管”（MOSFET），它的小名叫“MOS”管，也就是題目所講的MOS管；第二類學(xué)名叫“結(jié)型場效應(yīng)管”...
2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管極性晶體管 6501
靜電感應(yīng)晶體管（SIT）是什么，靜電感應(yīng)晶體管（SIT）原理
靜電感應(yīng)晶體管（SIT）原理：SIT為常開器件，即柵源電壓為零時，SIT導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵源電壓UGS時，柵源間PN結(jié)產(chǎn)生（ch δ nshe ng）耗盡層。...
三極管的開關(guān)電路講解
對于三極管開關(guān)電路，要使其 ON和 OFF 時間越短越好，為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時間滯后，在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R2(起放電作用，特別在高頻和深度飽和時要注意...
2023-02-24 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路MOSFETNMOS晶體管 5413
微功率低壓差穩(wěn)壓器LT1121的概述
LT1121 / LT1121-3.3 / LT1121-5 是具停機(jī)功能的微功率低壓差穩(wěn)壓器。這些器件能夠在壓差電壓為 0.4V 的條件下提供 150mA 的輸出電流。...
2023-02-24 標(biāo)簽：電容器穩(wěn)壓器低壓差穩(wěn)壓器pnp 867
調(diào)諧和調(diào)制的區(qū)別
調(diào)諧是調(diào)節(jié)一個振蕩電路的頻率使它與另一個正在發(fā)生振蕩的振蕩電路（或電磁波）發(fā)生諧振。調(diào)諧的作用是改變信號的頻率，使信號的頻率達(dá)到預(yù)期的要求，從而提高信號的質(zhì)量。...
三極管的伏安特性曲線和靜態(tài)工作點(diǎn)選擇
三極管是一種常用的電子元件，其伏安特性曲線描述了三極管在不同電壓和電流條件下的電性能。...
2023-02-24 標(biāo)簽：三極管eda伏安特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn) 7189
介紹ME3114的產(chǎn)品特性、優(yōu)勢以及應(yīng)用場景
ME3114是一顆DC-DC同步降壓轉(zhuǎn)換器，其輸入電壓范圍為4V～18V，輸出電壓在0.6～12Ｖ范圍內(nèi)可調(diào)，最大輸出電流可達(dá)7A。...
2023-02-24 標(biāo)簽：電壓DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器同步降壓轉(zhuǎn)換器DC-DC同步降壓轉(zhuǎn)換器電壓降壓芯片降壓轉(zhuǎn)換器 4795
無源濾波器由什么組成及作用是什么
無源濾波器又稱LC濾波器，是利用電感、電容和電阻的組合設(shè)計構(gòu)成的濾波電路，可濾除某一次或多次諧波，最普通易于采用的無源濾波器結(jié)構(gòu)是將電感與電容串聯(lián)，可對主要次諧波（3、5、7）...
LT1763 500mA、低噪聲、LDO微功率穩(wěn)壓器
LT1763 穩(wěn)壓器的一個重要特點(diǎn)是具有低輸出噪聲。在增設(shè)一個外部 0.01μF 旁路電容器的情況下，輸出噪聲將降至 20μVRMS (在一個 10Hz 至 100kHz 的帶寬之內(nèi))。...
2023-02-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器低壓差穩(wěn)壓器旁路電容器 1016
如何選擇大功率變頻器型號
電機(jī)額定功率的尺寸與變頻器的挑選沒有直接關(guān)聯(lián)。變頻器的型號選擇一般是根據(jù)電機(jī)驅(qū)動器的負(fù)荷種類，如起重機(jī)、起吊機(jī)、金屬拉絲設(shè)備、礦山開采粉碎等高負(fù)荷設(shè)備務(wù)必比電機(jī)大兩個規(guī)格...
二極管進(jìn)入紅海，國產(chǎn)MOS走向量產(chǎn)
于二極管是國內(nèi)碳化硅廠商的出貨主力，價格也越來越低，目前國內(nèi)碳化硅廠商都是貼錢賣，二極管已經(jīng)成為紅海市場。...
快恢復(fù)二極管FRD器件的應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電力電子技術(shù)正向著輕型化、微型化、智能化、節(jié)能化發(fā)展，各種控制電路和不間斷電源、開關(guān)電源的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。做為直接影響這些電路設(shè)計合理性和運(yùn)行可靠性的高頻高壓快速軟恢復(fù)...
2023-02-24 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源晶閘管IGBT快恢復(fù)二極管 1806
全SiC功率模塊的開關(guān)損耗
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。...
何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計...
SiC-MOSFET的可靠性
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。...
SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。...
2023-02-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1445
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。...
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