模擬技術(shù)
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貼片mos管怎么測試好壞
貼片MOS管的引腳可以通過查看其封裝形狀來判斷。一般來說，貼片MOS管的引腳分別為源極（S）、漏極（D）和控制極（G）。源極和漏極的位置可以通過查看封裝形狀來確定，而控制極的位置則可...
IGBT功率模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率M...
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時間(trr)，以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x...
2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1832
使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)
IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、UPS等設(shè)備。...
2023-02-22 標(biāo)簽：二極管模塊數(shù)字萬用表IGBT測量 5169
IGBT功率模塊的優(yōu)勢
IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。...
國內(nèi)砷化鎵2023年將迎來黃金機(jī)遇
占據(jù)強(qiáng)勢地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持續(xù)丟失中國國內(nèi)和三星的射頻前端份額，必然會導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。...
IGBT功率模塊是什么？
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊...
碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？
碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。...
放大器Vos失調(diào)電壓的測試與處理方法有哪些
在直流耦合電路中，不可避免要對直流噪聲進(jìn)行測量與評估。放大器的失調(diào)電壓參數(shù)作為直流噪聲重要的組成部分是首先被提及的。本篇介紹一種放大器失調(diào)電壓參數(shù)的測量方式與相應(yīng)注意事項(xiàng)...
2023-02-22 標(biāo)簽：放大器失調(diào)電壓LTspice 2171
晶閘管的導(dǎo)通條件
晶閘管的導(dǎo)通條件 晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管...
2023-02-22 標(biāo)簽：晶閘管 9886
盤點(diǎn)放大器共模抑制比參數(shù)測量方法有哪些
測量放大器的失調(diào)電壓、偏置電流參數(shù)，可根據(jù)所設(shè)計的電路簡易調(diào)整就能完成測試。而共模抑制比參數(shù)的測試方法卻相對復(fù)雜，本篇分析幾種常被誤用的放大器共模抑制比測量方法的不足之處...
2023-02-22 標(biāo)簽：放大器共模抑制比失調(diào)電壓 5698
晶體管收音機(jī)工作原理
晶體管收音機(jī)工作原理 晶體管收音機(jī)是指用晶體管處理和放大信號的收音機(jī)。晶體管收音機(jī)使用簡單，是一種主要的廣播接收機(jī) 晶體管收音機(jī)是一種小型的基于晶體管的無線電接收機(jī)。歷史上...
2023-02-22 標(biāo)簽：晶體管 4072
放大器共模抑制比參數(shù)與頻率的關(guān)系是什么
其實(shí)在共模信號為交流信號時，這種評估方法仍然實(shí)用，問題在于放大器的共模抑制比參數(shù)并非恒定不變，它隨共模信號頻率變化變化。本篇介紹共模抑制比隨共模交流信號變化的原因，評估示...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時候...
2023-02-22 標(biāo)簽：變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 3880
功率二極管是什么器件
功率二極管是什么 器件功率二極管是電力電子線路最基本的組成單元，它的單向?qū)щ娦钥捎糜陔娐返恼鳌Ⅲ槲?、續(xù)流。合理應(yīng)用功率二極管的性能是電力電子電路的重要內(nèi)容。功率二極管是...
2023-02-22 標(biāo)簽：功率二極管 1723
如何證明IGBT模塊是功率半導(dǎo)體
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）及BJT（雙極型三極管）兩類器件優(yōu)勢，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控...
2023-02-22 標(biāo)簽：模塊IGBT功率半導(dǎo)體 2980
什么是電源抑制比參數(shù)影響評估與測試電路仿真
放大器電源抑制比參數(shù)對電路的影響與共模抑制比參數(shù)的影響近似，因?yàn)閬碜噪娫淳€路的噪聲對于放大器而言可視為共模噪聲。本篇介紹放大器電源抑制比參數(shù)的評估方法，并通過LTspice仿真參...
一個種不依賴昂貴檢測設(shè)備的偏置電流測試方法
本篇介紹一個種不依賴昂貴檢測設(shè)備的偏置電流測試方法，同時配合LTspice仿真增強(qiáng)理解。工程師可以在普通實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，根據(jù)該方法調(diào)整放大器局部電路實(shí)現(xiàn)偏置電流的準(zhǔn)確測量。...
功率MOSFET結(jié)構(gòu)以及工作原理
mosfet結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)，F(xiàn)ET (Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)，即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體 (S)的場效...
2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET 2488
SMU數(shù)字源表如何測試三極管IV特性曲線？
三極管特性曲線是反映三極管各電極電壓和電流之間相互關(guān)系的曲線，是用來描述三極管工作特性曲線，常用的特性曲線有輸入特性曲線和輸出特性曲線...
什么是放大器開環(huán)增益參數(shù)仿真與影響
開環(huán)增益（Open-Loop Gain，AVO或Avol），是指不具負(fù)反饋情況下(開環(huán)狀態(tài))，放大器的輸出電壓改變量與兩個輸入端之間電壓改變量之比。常以dB為單位。數(shù)據(jù)手冊的參數(shù)表中，通常給出直流條件下...
2023-02-22 標(biāo)簽：放大器輸出電壓開環(huán)增益 5045
二極管應(yīng)用電路方法解析
今天我們繼續(xù)討論二極管導(dǎo)通、截止電路分析問題，作為電子工程師的我們，面對復(fù)雜電路分析問題時，一定要沉著冷靜，審慎思考，認(rèn)真分析！好了，我們一起來看下面二極管電路究竟如何分...
2023-02-22 標(biāo)簽：二極管電路分析應(yīng)用電路輸出電壓復(fù)雜電路 3275
二極管交流特性應(yīng)用電路分析
今天我們討論二極管交流特性應(yīng)用電路分析問題，前幾期我們只考慮二極管的直流特性，它們都屬于大信號分析問題，當(dāng)二極管應(yīng)用于線性電路中，在這種情況下，交流小信號將疊加在直流電流...
2023-02-22 標(biāo)簽：二極管應(yīng)用電路小信號直流電源直流電流 10849
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