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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

環(huán)形變壓器分類和應(yīng)用

環(huán)形變壓器主要用途是作為電源變壓器和隔離變壓器。這里介紹了環(huán)形變壓器分類和應(yīng)用。...

2011-12-13 標(biāo)簽:環(huán)形變壓器 2707

微控制器控制模擬移相器設(shè)計(jì)

微控制器控制模擬移相器設(shè)計(jì)

移相器廣泛應(yīng)用于各種電路,但由于在放大器中的偏差以及電容公差,通常很難實(shí)現(xiàn)電路精確控制所需的精確移相。圖1中的電路利用AD5227 64步遞增/遞減數(shù)字電位器IC3可以控制輸入到輸出...

2011-12-12 標(biāo)簽:微控制器移相器模擬控制 2318

場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

焊接絕緣柵(或雙柵)場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令...

2011-12-12 標(biāo)簽:集成電路CMOS場(chǎng)效應(yīng)管電路焊接 4517

用于目視驗(yàn)證IR脈沖的電路

用于目視驗(yàn)證IR脈沖的電路

用于目視驗(yàn)證IR脈沖的電路用一個(gè)電路將IR(紅外)生成光電流轉(zhuǎn)換為放大的電流,然后驅(qū)動(dòng)一只標(biāo)準(zhǔn)LED,就可以測(cè)試一個(gè)IR鏈路....

2011-12-10 標(biāo)簽:脈沖IR 5096

漏電保護(hù)器的選用/安裝

漏電保護(hù)器的選用/安裝

漏電保護(hù)器有多種系列、型號(hào)和規(guī)格,如選擇或安裝不當(dāng),不但起不到保護(hù)作用,還可能造成新的觸電事故。 ...

2011-12-10 標(biāo)簽:漏電保護(hù)器 5075

確保SRL和觸發(fā)器在配置后正確初始化方法

FPGA架構(gòu)中的 SRL16 和觸發(fā)器是通過(guò) GWE(全局寫(xiě)使能)信號(hào)來(lái)釋放的,該信號(hào)允許這些同步元件在配置完成后改變狀態(tài)。GWE 是緊接配置后啟動(dòng)過(guò)程的一部分。...

2011-12-09 標(biāo)簽:觸發(fā)器SRL觸發(fā)器 1333

利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵??刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過(guò)濾和低溫冷卻,但低噪聲放大器的良好性能,提供了一種被實(shí)踐所驗(yàn)證的可靠的...

2011-12-09 標(biāo)簽:LNAGaAsMMICPHEMT 7009

新型電流極限比較器分析

新型電流極限比較器分析

極限電流比較器是電流模式控制電路中一個(gè)非常重要的部分, 其對(duì)不同的負(fù)載情況, 產(chǎn)生不同的極限電流....

2011-12-09 標(biāo)簽:電流比較器 4172

低壓超級(jí)接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能

低壓超級(jí)接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能

采用超級(jí)接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性...

2011-12-08 標(biāo)簽:MOSFET 2412

金鹵燈電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

金鹵燈電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

本文是針對(duì)目前各廠碰到的一些電路結(jié)構(gòu)的分析,并結(jié)合本人在電路設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)所得出的一些心得體會(huì)。 ...

2011-12-07 標(biāo)簽:電子鎮(zhèn)流器 4131

選頻放大器設(shè)計(jì)

選頻放大器設(shè)計(jì)

在通頻帶內(nèi)信號(hào)得到大失真放大,而通帶之外的其他無(wú)用的干擾則補(bǔ)放大濾除,實(shí)現(xiàn)了對(duì)某一通帶的頻率信號(hào)有選擇地放大。...

2011-12-07 標(biāo)簽:選頻放大器 3598

如何安裝拾音器

拾音器的安裝考慮到復(fù)雜的施工環(huán)境, 推薦使用0.5mm2截面3 芯信號(hào)電纜。即常用的3×0.5 RVVP電纜....

2011-12-06 標(biāo)簽:拾音器 13517

傳送視頻的硅調(diào)諧器工作原理分析

傳送視頻的硅調(diào)諧器工作原理分析

近幾年半導(dǎo)體工藝技術(shù)和IC設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展很快,形成了硅調(diào)諧器多種技術(shù)并存、多個(gè)半導(dǎo)體國(guó)際大廠參與競(jìng)爭(zhēng)的局面。...

2011-12-06 標(biāo)簽:視頻硅調(diào)諧器 4518

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

本應(yīng)用筆記介紹了通過(guò)利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。 ...

2011-12-06 標(biāo)簽:MOSFET同步整流 9162

鑒頻鑒相器的指標(biāo)對(duì)鎖相環(huán)死區(qū)及抖動(dòng)性能的影響

鑒頻鑒相器的指標(biāo)對(duì)鎖相環(huán)死區(qū)及抖動(dòng)性能的影響

該應(yīng)用筆記討論了鑒頻鑒相器的指標(biāo)對(duì)鎖相環(huán)(PLL)死區(qū)及抖動(dòng)性能的影響。...

2011-12-06 標(biāo)簽:鎖相環(huán)鑒頻鑒相器 6903

模擬器件的PLC/DCS模擬輸出模塊

模擬器件的PLC/DCS模擬輸出模塊

模擬器件的PLC/DCS模擬輸出模塊,AD5750-1是一款工業(yè)用電流/電壓輸出驅(qū)動(dòng)器,在大批量生產(chǎn)中,它無(wú)需外部精密電阻或校準(zhǔn)程序就能保持一致的性能,因而是PLC或DCS模塊的理想選擇。...

2011-12-05 標(biāo)簽:plcDCS模擬器件模擬輸出 2944

基于AD7793的完整熱電偶測(cè)溫系統(tǒng)

AD7793是一款適合高精度測(cè)量應(yīng)用的低功耗、低噪聲、完整模擬前端,內(nèi)置PGA、基準(zhǔn)電壓源、時(shí)鐘和激勵(lì)電流....

2011-12-05 標(biāo)簽:AD7793 18566

精密ADC用差分驅(qū)動(dòng)器

精密ADC用差分驅(qū)動(dòng)器

差分輸入ADC的一種最普通的驅(qū)動(dòng)方法是使用變壓器。不過(guò),因?yàn)樵S多應(yīng)用中頻率響應(yīng)必須延伸至直流,從而無(wú)法使用變壓器來(lái)驅(qū)動(dòng)。...

2011-12-05 標(biāo)簽:adcadcADC差分驅(qū)動(dòng)器 4833

高速ADC用差分驅(qū)動(dòng)器概述

高速ADC用差分驅(qū)動(dòng)器概述

許多高性能ADC設(shè)計(jì)均采用差分輸入。全差分ADC設(shè)計(jì)具有共模抑制性能出色、二階失真產(chǎn)物較少、直流調(diào)整算法簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。...

2011-12-05 標(biāo)簽:高速ADC差分驅(qū)動(dòng)器 8793

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:集成、低成本更需了解系統(tǒng)

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:集成、低成本更需了解系統(tǒng)

業(yè)界分析人士都一致認(rèn)為,便攜性、"綠色"節(jié)能以及在終端設(shè)備中集成更多的傳感器是系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)。這些趨勢(shì)推動(dòng)了對(duì)于模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和數(shù)模 (DAC) 轉(zhuǎn)換器高通道數(shù)、高速度和高性能...

2011-12-05 標(biāo)簽:adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 2298

超級(jí)大電容結(jié)構(gòu)與超再生接收電路

超級(jí)大電容結(jié)構(gòu)與超再生接收電路

超級(jí)電容模式是針對(duì)以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的,因?yàn)榍皟煞N結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。...

2011-12-03 標(biāo)簽:超級(jí)電容 1545

200V/100A的VDMOS器件開(kāi)發(fā)

200V/100A的VDMOS器件開(kāi)發(fā)

詳細(xì)論述了器件制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié),包括柵氧化、光刻套準(zhǔn)、多晶硅刻蝕、P 阱推進(jìn)等。流水所得VDMOS 實(shí)測(cè)結(jié)果表明,該器件反向擊穿特性良好...

2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 4278

優(yōu)化柵的VDMOS器件結(jié)構(gòu)及特性簡(jiǎn)析

目前市場(chǎng)上使用較多的主要是N溝道增強(qiáng)型VDMOS產(chǎn)品,其也是目前各半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的主流功率MOSFET產(chǎn)品。...

2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 5796

LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB...

2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 4758

LDMOS和VDMOS

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管LDMOSFET。 ...

2011-12-01 標(biāo)簽:VDMOSLDMOS 42146

LDMOS器件靜電放電失效原理

LDMOS器件靜電放電失效原理

通過(guò)對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對(duì)比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢(shì)。 ...

2011-12-01 標(biāo)簽:靜電放電LDMOS 12662

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開(kāi)發(fā)的...

2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 11090

為移動(dòng)設(shè)備選擇音頻放大器

為移動(dòng)設(shè)備選擇音頻放大器

本文旨在探討移動(dòng)電話和便攜音頻系統(tǒng)中可以改善音頻質(zhì)量的幾個(gè)方面,它們中有許多都使用了一款帶有內(nèi)置模擬音頻輸出的處理器。...

2011-12-01 標(biāo)簽:移動(dòng)設(shè)備音頻放大器 1063

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。...

2011-12-01 標(biāo)簽:SiCGaN 1957

編碼器應(yīng)用問(wèn)答

增量型旋轉(zhuǎn)編碼器有分辨率的差異,使用每圈產(chǎn)生的脈沖數(shù)來(lái)計(jì)量,數(shù)目從6到5400或更高,脈沖數(shù)越多,分辨率越高;這是選型的重要依據(jù)之一。 ...

2011-11-29 標(biāo)簽:編碼器 6489

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