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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術(shù) > 應(yīng)用案例

電壓參考電路設(shè)計(jì)關(guān)鍵問題

在您努力想要找到正確的電壓參考設(shè)計(jì)時(shí),高分辨率混頻信號器件會(huì)帶來一個(gè)有趣的挑戰(zhàn)。盡管沒有一款適合所有電壓參考設(shè)計(jì)的通用解決方案,但是圖 1 所示電路還是為您的 16 位以上

2012-03-08 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)電壓參考電壓參考電路 2211

TER偏航紐纜計(jì)數(shù)器原理

偏航紐纜計(jì)數(shù)器用于控制工業(yè)機(jī)械的動(dòng)作。通過諸如接觸器或可編程控制器用作電機(jī)輔助控制裝置。

2012-03-08 標(biāo)簽:計(jì)數(shù)器 5314

少量元件實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)零交越檢測器

本設(shè)計(jì)中的驅(qū)動(dòng)零交越檢測器電路可生成一個(gè)交流電源的零交越脈沖,并提供電氣絕緣。只需少量元件即可實(shí)現(xiàn)。

2012-03-08 標(biāo)簽:檢測器驅(qū)動(dòng) 1569

RFC電路設(shè)計(jì)及分析

新型的復(fù)用型折疊式共源共柵運(yùn)算放大器是從文獻(xiàn)中折疊式共源共柵運(yùn)算放大器的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。如圖的復(fù)用型折疊式共源共柵運(yùn)算放大器主電路

2012-03-08 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電路設(shè)計(jì)RFC共源共柵 4237

用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn),可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器。

2012-03-08 標(biāo)簽:集成電路CMOS感應(yīng)驗(yàn)電器 1900

CMOS互補(bǔ)(推挽)放大器

互補(bǔ)(推挽)放大器就是一個(gè)inverter 。數(shù)字電路中的工作區(qū)域是穩(wěn)態(tài)區(qū),總有一個(gè)管子處于截止?fàn)顟B(tài)。模擬電路中的工作區(qū)域是處于兩種穩(wěn)態(tài)之間的過渡區(qū),兩個(gè)MOS管都處于飽和態(tài)。

2012-03-07 標(biāo)簽:CMOS推挽放大器 8863

常用多進(jìn)制數(shù)字調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)

介紹了常用的多進(jìn)制數(shù)字調(diào)制技術(shù)及其應(yīng)用,比較了它們的頻譜利用率和實(shí)現(xiàn)的難易,給出了多種數(shù)字調(diào)制的新技術(shù).

2012-03-07 標(biāo)簽:數(shù)字調(diào)制 5452

經(jīng)驗(yàn)分享:如何選擇運(yùn)放電路設(shè)計(jì)中的無源元件

以往我們的設(shè)計(jì)總是集中在運(yùn)放本身的規(guī)范上,但常常是無源元件會(huì)成為系統(tǒng)性能的主要限制。本文將集中討論在集成運(yùn)放電路設(shè)計(jì)中,應(yīng)如何正確地選擇無源元件 ,以使運(yùn)放電路獲得

2012-03-07 標(biāo)簽:集成電路運(yùn)放電路無源元件 4362

高頻四象限電流乘法器電路設(shè)計(jì)

本文提出了一種高頻四象限電流乘法器。該乘法器電路結(jié)構(gòu)對稱。提出的乘法器電路工作在±1.18 V的電源電壓下。由于從輸人端到地的低寄生電容,該電路可以工作在高頻條件下,實(shí)驗(yàn)

2012-03-07 標(biāo)簽:乘法器電流乘法器 5071

饋通濾波器的選用方法

隨著電子設(shè)備工作頻率的迅速提高,電磁干擾的頻率也越來越高,干擾頻率通常會(huì)達(dá)到數(shù)百M(fèi)Hz,甚至GHz以上。由于電壓或電流的頻率越高,越容易產(chǎn)生輻射,因此,正是這些頻率很高的

2012-03-07 標(biāo)簽:濾波器電磁干擾饋通濾波器 2560

模擬與數(shù)字布局

本文就旁路電容、電源、地線設(shè)計(jì)、電壓誤差和由PCB布線引起的電磁干擾(EMl)等幾個(gè)方面,就模擬和數(shù)宇布線進(jìn)行討論與分析。

2012-03-07 標(biāo)簽:模擬布線數(shù)字布線 3991

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

在此對功率MOSFET的SEB效應(yīng)的機(jī)理進(jìn)行了簡單分析,并針對600 V平面柵VDMOSFET,利用半導(dǎo)體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對提高M(jìn)OSFET抗SEB能力的影響,提出利用多緩沖層結(jié)構(gòu)改善MOSFET抗

2012-03-07 標(biāo)簽:功率MOSFETSEB二維數(shù)值 3107

技術(shù)簡介:數(shù)控雙極性放大器

這篇技術(shù)簡介要求理解放大器典型增益控制電路的配置,討論了線性和非線性數(shù)字電位器應(yīng)用?;镜募夹g(shù)需求是在音頻或其它電位器/運(yùn)算放大器應(yīng)用中,用固態(tài)電位器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的機(jī)械

2012-03-06 標(biāo)簽:數(shù)字電位器 1722

ADC輸入轉(zhuǎn)換器電路分析

本電路采用電阻分壓器調(diào)整差分輸入和穩(wěn)定的電壓基準(zhǔn),進(jìn)而調(diào)整轉(zhuǎn)換器輸入信號的范圍,使0V至5V輸入量程的ADC (MAX1402)可以接受+10.5V至-10.5V的輸入范圍。

2012-03-06 標(biāo)簽:ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器 5210

如何采用比例電路設(shè)計(jì)消除電壓變化

本應(yīng)用筆記討論了一種比例電路設(shè)計(jì)方法,把電阻偏差轉(zhuǎn)換成可接受的電流變化量,可有效消除電壓的變化。在此處給出的電路中,電壓輸出取決于電位器的比值,設(shè)計(jì)中也可以很好地

2012-03-06 標(biāo)簽:數(shù)字電位器比例電路電壓變化 1661

如何調(diào)整基準(zhǔn)電壓提高ADC精度

為了提高靈活性,數(shù)據(jù)采集板應(yīng)適合不同的輸入電壓范圍,利用同一采集電路處理低幅度信號時(shí)往往需要增加幾位分辨率,從而提高了系統(tǒng)成本。

2012-03-06 標(biāo)簽:ADC基準(zhǔn)電壓 9111

如何將基準(zhǔn)源噪聲減半

低頻1/f噪聲(LF噪聲)指的是電壓基準(zhǔn)源在10Hz以下的噪聲,設(shè)計(jì)中很難抑制這部分噪聲。大阻值串聯(lián)電阻同樣也會(huì)產(chǎn)生誤差,這種誤差通常是由于漏電流產(chǎn)生了不希望的壓降以及電阻自身的

2012-03-06 標(biāo)簽:噪聲基準(zhǔn)源 2082

數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)勢剖析

數(shù)字隔離器在尺寸、速度、功耗、易用性和可靠性方面具有光耦合器所無法比擬的巨大優(yōu)勢。

2012-03-06 標(biāo)簽:光耦合器數(shù)字隔離器 3424

AI調(diào)節(jié)器組建串級調(diào)節(jié)心得

AI系列人工智能調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)串級調(diào)節(jié)系統(tǒng)能及早消除擾動(dòng)對主信號的影響,有效地控制主控量的變化。

2012-03-05 標(biāo)簽:調(diào)節(jié)器 1207

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