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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術(shù) > 應(yīng)用案例

全差分放大器為精密數(shù)據(jù)采集信號鏈提供高壓低噪聲信號

全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出,其輸出共模 由直流(DC)輸入電壓獨(dú)立控制,主要用在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模 數(shù)轉(zhuǎn)換的前端,用于將信號調(diào)理為合適的電平以供下一級 (通常是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC))使用。FDA一般采用單芯片設(shè) 計,電源電壓較小,因此輸出動態(tài)范圍有限。本文將介紹 具有可調(diào)共模輸出的高壓低噪聲FDA的設(shè)計方法。本文還完 整分析了FDA噪聲,以及其對高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)信號鏈的 總體信噪比(SNR)的影響。

2024-10-24 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)采集信號鏈低噪聲全差分放大器FDA 1683

ADALM2000實(shí)驗(yàn):調(diào)諧放大器級(二)

本實(shí)驗(yàn)活動的目標(biāo)是延續(xù)“ADALM2000實(shí)驗(yàn):調(diào)諧放大器級”中開始的調(diào)諧放大器級研究。

2024-10-16 標(biāo)簽:放大器放大器電路諧振電路調(diào)諧放大器LLC諧振電路 2515

ADALM2000實(shí)驗(yàn):調(diào)諧放大器級(一)

對通信系統(tǒng)的許多要求都超出了運(yùn)算放大器的高頻限制。在此類情況下,通常會使用分立式調(diào)諧放大器。分立式放大器通常使用LC(并聯(lián)電感電容)諧振電路來代替集電極(或漏極)電 阻器進(jìn)行調(diào)諧。

2024-10-16 標(biāo)簽:放大器adi運(yùn)算放大器調(diào)諧放大器 1353

思瑞浦解讀高PSRR、高壓運(yùn)算放大器TPA267x典型應(yīng)用與...

TPA267x系列產(chǎn)品帶寬10MHz,壓擺率達(dá)到15V/μs,產(chǎn)品在100KHz電源干擾下抑制比達(dá)到了80dB,降低了客戶在電源上的設(shè)計成本,廣泛適用于工業(yè)自動化、光伏儲能、電機(jī)驅(qū)動器和音頻設(shè)備等領(lǐng)域。

2024-06-07 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器PSRR思瑞浦 2495

晶體管入門基礎(chǔ)知識全面解析

基極電壓升高時,BJT的基極電流開始流動,集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動。這個電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓(VBE)。

2024-03-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET電阻器晶體管漏極電流 6460

可控硅整流器如何關(guān)閉可控硅?

可控硅整流器常用于獲得穩(wěn)定的直流電源電壓和功率。它可以通過多級串聯(lián)的交—直—交變壓器的結(jié)構(gòu)形式,實(shí)現(xiàn)無功補(bǔ)償,減小線路損耗。

2024-02-05 標(biāo)簽:繼電器整流器可控硅晶閘管晶閘管整流器 2537

一種電容加載腔體帶通濾波器的設(shè)計方案

若濾波器采用空腔諧振器作為基本諧振單元,利用λg/2作為諧振腔長度,由上述理論分析可知,將并聯(lián)電容加載在半波長空腔諧振器中,可以在諧振頻率不變的情況下減小腔體諧振器尺寸。

2023-12-15 標(biāo)簽:濾波器微波無源器件雷達(dá)系統(tǒng)電磁仿真 2057

上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動能力?

一個最簡單的二極管與門如下圖。與門實(shí)現(xiàn)邏輯與操作Y=A&B,即A或者B任意為L的時候,輸出Y為L,只有當(dāng)A和B都為H時,Y才為H。

2023-12-02 標(biāo)簽:CMOS二極管上拉電阻邏輯電路反相器 1059

脈寬調(diào)制(PWM)設(shè)計及應(yīng)用原理解析

脈寬調(diào)制(以下簡稱為PWM)是數(shù)字系統(tǒng)產(chǎn)生模擬輸出的一種方式(通過將PWM信號通過一些附加電路和/或機(jī)械系統(tǒng))。PWM的一些應(yīng)用示例如下:   PWM信號可用于通過低通濾波器產(chǎn)生模擬電壓。   PWM可用于按比例控制DC電機(jī)的速度。   PWM用于設(shè)置某些類型的伺服電機(jī)的位置。   PWM可用于控制加熱元件產(chǎn)生的熱量。

2023-11-28 標(biāo)簽:PWM低通濾波器脈寬調(diào)制伺服電機(jī)模擬信號 8213

龍騰半導(dǎo)體MOSFET在便攜儲能上的應(yīng)用

戶外電源(Portable power station)是多功能型便攜式交直流應(yīng)急移動電源裝置,是一種內(nèi)置鋰離子電池,自身可儲備電能且具備交流輸出的多功能便攜式儲能電源。

2023-10-23 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFET半導(dǎo)體太陽能充電便攜儲能 1420

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用

近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸

2023-10-19 標(biāo)簽:變頻器IGBT晶體管電源電壓IGBT模塊安世半導(dǎo)體 910

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT功率器件碳化硅 682

ADC采樣電路圖設(shè)計方案詳解

開關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法:基本的.ac/.noise Spice仿真,周期穩(wěn)態(tài)仿真,瞬態(tài)噪聲。

2023-10-13 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計adcMOS頻譜采樣電路諧波失真 6353

IGBT模塊的額定值和特性介紹

如果施加超過額定值的負(fù)載。會立即損壞元件或降低元件的可靠性。請遵照規(guī)格書額定值進(jìn)行設(shè)計

2023-10-13 標(biāo)簽:二極管整流二極管IGBT模塊igbt芯片漏電電流 2560

發(fā)光二極管的限流電阻如何取值呢?

發(fā)光二極管主要部分也是一個PN結(jié),但是發(fā)光二極管導(dǎo)通后,其壓降一般都是2V左右,有的發(fā)光二極管的壓降可以達(dá)到3V。

2023-10-08 標(biāo)簽:二極管發(fā)光二極管肖特基二極管歐姆電阻 1279

SiC器件在光伏發(fā)電領(lǐng)域中的作用能否達(dá)到降本增效的效果?

全球化能源變革不斷推進(jìn),綠色、低碳發(fā)展成為時代的主旋律,太陽能光伏發(fā)電成為未來清潔能源利用的重要組成部分。

2023-10-07 標(biāo)簽:濾波器光伏發(fā)電SiC光伏逆變器BUCK電源 2035

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動晶體管GaN硅芯片功率逆變器 2565

高集成度智能柵極驅(qū)動光耦通吃MOSFET和IGBT簡析

光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。

2023-09-28 標(biāo)簽:MOSFET控制器IGBT不間斷電源光電耦合器 6702

究竟有哪一些款式的MOS管是比較常用于72V的電機(jī)控制器呢?

在全球出行電動化的背景下,結(jié)合2021-2027全球與中國電動摩托車市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢》報告:2026年全球電動摩托車市場規(guī)模有望達(dá)到693億元,年增長率為6.5%。按照預(yù)計,2027年我國摩托車產(chǎn)量達(dá)到2250萬輛,其中,電動摩托車占比將增長到30%。

2023-09-28 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電機(jī)控制器EASRDS 2332

MOS管FHL300N1F2A型號參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BM...

電池管理系統(tǒng)(BMS)可以根據(jù)其應(yīng)用和功能劃分為不同的類型,常見的BMS類型:獨(dú)立式BMS、集成式BMS、高級BMS、分布式BMS、集中式BMS、模塊化BMS等;不同的BMS都會有不同的應(yīng)用。

2023-09-22 標(biāo)簽:MOS管電池管理系統(tǒng)寄生電感EASEMI設(shè)計 1609

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