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OLED、WOLED及QD-OLED三大技術(shù)對比剖析

與FMM-OLED采用真空蒸鍍不同的是,IJP-OLED采用的是噴墨打印技術(shù)將有機材料配置成溶液,然后通過高精度的噴頭,精準地控制墨滴的體積(皮升級別,10-12L)和噴墨位置,將其打印在預(yù)先制備好的基板的像素坑內(nèi)。

2023-03-07 關(guān)鍵字: OLEDQD-OLED

深度解析天線基礎(chǔ)知識與原理

介質(zhì)天線是一根用低損耗高頻介質(zhì)材料(一般用聚苯乙烯)作成的圓棒,它的一端用同軸線或波導(dǎo)饋電。2是同軸線的內(nèi)導(dǎo)體的延伸部分,形成一個振子,用以激發(fā)電磁波。

2023-03-07 關(guān)鍵字: 天線移動基站無線信號電磁波

一文解析容易忽略的嵌入式基礎(chǔ)知識點

硬盤的速度非常慢,它一般需要100 萬個CPU 周期(1 毫秒)a 在磁盤與RAM 之間傳輸數(shù)據(jù)。

2023-03-07 關(guān)鍵字: 處理器嵌入式存儲器cpu計算機

車規(guī)級芯片封裝技術(shù)發(fā)展及典型流程解讀

按功能種類劃分,車規(guī)級半導(dǎo)體大致可分為主控/計算類芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(CIS、加速傳感器等)、無線通信及車載接口類芯片、車用存儲器等。

2023-03-06 關(guān)鍵字: fpgaasiccpu芯片封裝

MTK、高通、紫光展銳手機SOC平臺型號對比匯總

CPU架構(gòu),依然是1+3+4三簇架構(gòu),超大核是全球首發(fā)Cortex-X3,頻率3.05GHz,大核是全球首發(fā)Cortex-A715,頻率2.85GHz,這兩個都是純64位的。

2023-03-06 關(guān)鍵字: 處理器高通cpu紫光展銳

單片機開發(fā)中UART、I2C、RS485接口總線解析

它可以高速訪問外設(shè)、內(nèi)存,傳輸不受CPU的控制,并且是雙向通信。因此,使用DMA可以大大提高數(shù)據(jù)傳輸速度,這也是ARM架構(gòu)的一個亮點——DMA總線控制。

2023-03-06 關(guān)鍵字: 以太網(wǎng)Macuart異步收發(fā)器

嵌入式和單片機之間的聯(lián)系和區(qū)別

單片機就是在一個芯片(Chip)上集成了CPU、SRAM、Flash及其他需要模塊,在一個Chip上實現(xiàn)一個微型計算機系統(tǒng),所以就叫Single Chip Microcomputer,也就是單片機了。

2023-03-06 關(guān)鍵字: 微控制器單片機mcu嵌入式

一文解析毫米波相控陣雷達技術(shù)知識

毫米波是指波長在毫米數(shù)量級的電磁波,其頻率大約在30GHz~300GHz之間。毫米波在通信、雷達、遙感和射電天文等領(lǐng)域都有大量的應(yīng)用。

2023-03-08 關(guān)鍵字: 相控陣雷達毫米波

自動駕駛領(lǐng)域中開源的4D Radar數(shù)據(jù)分析

本文沒有為目標(biāo)檢測算法的標(biāo)準化評估和排序提供正式的基準測試套件,因為這將要求保留測試數(shù)據(jù),以避免對評估測試集進行過度設(shè)置。

電源與時鐘的單元測試方案解析

單元測試的問題全部要提問題單跟蹤解決,測出問題在記錄在跟蹤表的同時就馬上提問題單(單元測試的問題單可以走短流程),不要積累到最后一起提。

2023-03-03 關(guān)鍵字: MOSFET示波器振蕩器時鐘電源測試

基于ATmega328 MCU的電源電路設(shè)計

我們從MCU以及數(shù)字和模擬IO引腳接頭開始。Arduino UNO具有巧妙的排針布局,與ATMEGA328 28-DIP封裝的布局非常匹配。因此,無需交叉導(dǎo)線。

基于ESP32的制造便攜式IoT顯示器

這是一個便攜式的 IoT 顯示器項目,可以基于它和 Arduino_GFX 庫開發(fā)出各種實用工具。

2023-03-01 關(guān)鍵字: 顯示器lcdWIFIIOTESP32

板載電源設(shè)計(熱插拔/LDO/濾波電容/升壓電路)

采用線性電源(包括 LDO)可以得到較低的噪聲,而且因為使用簡單,成本低,所以在單板上應(yīng)用較多。FPGA 內(nèi)核電源、某些電路板上射頻時鐘部分的電源等都使用線性電源從更高電壓的電源上調(diào)整得到。

學(xué)習(xí)各種電流源電路及差分放大電路的分析方法

學(xué)習(xí)各種電流源電路及差分放大電路的分析方法。

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。

2023-02-27 關(guān)鍵字: MOSFETSiC氮化鎵GaN碳化硅

電焊機IGBT怎么選擇?

工控的IGBT市場規(guī)模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國變頻器、電焊機市場穩(wěn)步增長,工業(yè)機器人市場加速發(fā)展,對應(yīng)的工控 IGBT 市場也將穩(wěn)步增長。

2023-02-24 關(guān)鍵字: UPS電焊機IGBT快恢復(fù)二極管

CAN總線錯誤幀基礎(chǔ)知識及排查分析技術(shù)

錯誤幀是CAN總線用于進行錯誤通知的報文,可以將任何一個節(jié)點發(fā)現(xiàn)的錯誤通知給其他節(jié)點,包括發(fā)送節(jié)點;進而丟棄錯誤的報文,發(fā)送節(jié)點再進行報文的重新發(fā)送,保證傳遞信息的準確性。

2023-02-24 關(guān)鍵字: CAN總線CAN

SIC肖特基二極管BM09K80N3用于便攜式電源

在享受露營帶來快樂的同時,對于便攜式戶外電源的穩(wěn)定性、安全性以及兼容性的用電標(biāo)準必不可少的安全考察

2023-02-23 關(guān)鍵字: 保護電路肖特基二極管SiC便攜式電源

一文解析AC/DC、DC/DC轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計

全波整流和半波整流在相同的電容器容量和負載條件下,全波整流的紋波電壓更小。紋波電壓越小,穩(wěn)定性越高、性能越優(yōu)。

基于FPGA的PCIE應(yīng)用架構(gòu)設(shè)計分析(2)

通過AXI_Lite接口來配置Bram,通過這個ram來與PC機進行一定的數(shù)據(jù)交互,解決圖像斷幀的現(xiàn)象

2023-02-23 關(guān)鍵字: fpga數(shù)據(jù)傳輸PCIe

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