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簡單滯后補(bǔ)償：在中間級的輸出并聯(lián)一個(gè)小電容，讓高端截止頻率變小，從而使180°反饋點(diǎn)自激增益不滿足。

基于Spartan3主流低端FPGA器件實(shí)現(xiàn)PWM發(fā)生器的設(shè)計(jì)...

恒壓充電階段（已經(jīng)充滿85%以上，在慢慢的進(jìn)行補(bǔ)充） 在鋰電池的電容量達(dá)到了85％時(shí)候（約值），必須再次進(jìn)入慢充階段。

在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。

基于IEEE802.15.4的雙向功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)...

5G、邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)正在加快設(shè)備互連的速度，服務(wù)于各個(gè)市場的高科技OEM廠商也比以往更加關(guān)注安全性。

midge medical目前專注于開發(fā)便攜式COVID-19（SARS-CoV-2）基因檢測設(shè)備，檢測結(jié)果可以使用智能手機(jī)在15分鐘內(nèi)讀取。

共發(fā)射極放大器是三種基本單級放大器拓?fù)渲?。BJT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。

為什么尺寸縮小并沒按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢？為什么高端硅成本依然如此昂貴？答案就在于芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計(jì)層數(shù)繁多，各層之間還必須無縫連接。

SiC器件的市場份額預(yù)計(jì)將在未來幾年加速增長，主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

鉗位電路的核心器件是二極管和電容，下面我們具體分析實(shí)現(xiàn)各種鉗位的電路圖。

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對被測點(diǎn)的影響小于3%。上管信號(hào)測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

當(dāng)電路中存在感性元件（如電感）或者容性元件（電容）時(shí)，信號(hào)源（比如電流源）的頻率變化會(huì)使得電路總體呈現(xiàn)容性、感性或者電阻性。

LTC4125是一款單芯片全橋AutoResonant無線功率發(fā)射器，用于最大限度提高接收器可用功率，提升整體效率，并為無線充電系統(tǒng)提供全面保護(hù)。

本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。

隨著光器件制造商都試圖在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，成本和性能將推動(dòng)400G光通訊市場的發(fā)展。2017年，CFP8成為用于核心路由器和DWDM傳輸接口的第一代400GE模塊。

電路的放大倍數(shù)越大，則電路越容易起振，但只要放大倍數(shù)超過3，則輸出波形都將出現(xiàn)削波失真，如果放大倍數(shù)設(shè)置恰好為3，則仿真時(shí)間要等很久才會(huì)有結(jié)果。

每片DDR2存儲(chǔ)器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總?cè)萘繛?Gb。單DDR2存儲(chǔ)器為16bit，兩片存儲(chǔ)器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲(chǔ)模組。

詳細(xì)闡述了ADuCM355氣體檢測方案與傳統(tǒng)方案相比的優(yōu)勢，以及設(shè)計(jì)中的注意點(diǎn)和相關(guān)開發(fā)資源。

本文給出了快速響應(yīng)FSK控制環(huán)路模擬前端的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案。用兩片MAX176 ADC分別量化兩個(gè)輸入通道并控制FSK調(diào)制器的PLL。這一獨(dú)特、簡單的結(jié)構(gòu)將電路尺寸和環(huán)路延遲時(shí)間降至最小，從而得到一個(gè)簡單的FSK調(diào)制器。文中介紹了部份經(jīng)過測試的基本控制回路。