意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統質量要求的功率系列產品。全新抗輻射功率MOSFET系列產品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產
2011-06-15 08:49:08
1736 ST擴大采用第六代STripFET?技術的高效功率晶體管的產品系列，為設計人員在提高各種應用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
2011-06-20 09:02:431160 飛兆半導體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產品可幫助設計人員在汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 MOSFET是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的縮寫，是一種用于電子電路中的半導體器件
2023-02-25 16:24:384206 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發(fā)揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數 (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
家電應用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結溫特性和優(yōu)異的熱阻系數，可確保30A額定電流下的高效散熱表現，在嚴苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運行。 ? 作為STPOWER產品組合，這是意法半導體第二代IH系列首款1600V電壓等級IGBT，采用先進的溝槽柵場截止
2025-07-17 10:43:176620 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
鼓勵其他大學的教授改編補充這套課程。 這套由8個自定進度的教程組成的入門課程圍繞意法半導體的SensorTile設計。SensorTile是一個獨一無二的具有物聯網功能的實時嵌入式系統，集成在一個只有
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和設計靈活性，新增STM32F413/423兩個產品線意法半導體(ST)先進圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機拍照不抖動意法半導體傳感器通過阿里IoT驗證，助力設備廠商更快推出新產品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個STLQ020和3個其它型號低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價9.68美元。相關新聞意法半導體(ST)發(fā)布世界領先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年9月12日——意法半導體新推出的兩款STM8* Nucleo開發(fā)板，讓8位開發(fā)社區(qū)也能體驗到STM32 * Nucleo系列開發(fā)板久經驗證的易用性和可擴展功能。STM8 Nucleo
2018-09-12 16:06:37
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
13日 – 針對重要的醫(yī)療和工業(yè)應用領域，意法半導體采用其經過驗證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業(yè)峰會2023
2023-09-11 15:43:36
新聞意法半導體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯網傳感器設計進程意法半導體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設計變得更快捷意法半導體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，對于內存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產品可簡化手機與其它便攜電子產品的電路設計，為
2011-11-24 14:57:16
不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
和Velankani的Prysm?智能電表特別展覽，請于3月6-8日印度2018年智能電網周參觀印度新德里Manekshaw Centre會展中心的L22 & L23號意法半導體展臺。編者注
2018-03-08 10:17:35
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
產品和解決方案，共同構建生態(tài)系統，幫助他們更好地應對各種挑戰(zhàn)和新機遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯網和互聯技術應用更廣泛。意法半導體承諾將于2027年實現碳中和。
2022-12-12 10:02:34
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關的資料手冊，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
溝道和 N 溝道類型。
場效應管
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
`吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等，是組成集成電路的基礎。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
的MOSFET。下圖是在空調的PFC電路中評估Hybrid MOS、SJ MOSFET、IGBT效率的例子。效率曲線表示前面介紹的各晶體管的特征。Hybrid MOS在低負載時實現了遠超IGBT的效率，而且
2018-11-28 14:25:36
法半導體的SLLIMM-nano產品家族新增兩種不同的功率開關技術： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
抗飽和晶體管的作用 羅姆應用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場，在銷售員的帶領下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現市場上對深愛半導體公司生產的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因，但我認為
2009-12-17 10:27:07
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
，hFE20-200電壓 vGS 3-10VVoltage, vGE 4-8V輸入阻抗低高高輸出阻抗低中等低切換速度慢快速中等成本低中等高我們已經看到，絕緣柵極雙極性晶體管是一種半導體開關器件，具有雙極性
2022-04-29 10:55:25
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
STM8S003F3U6TR是意法半導體推出的一款8位微控制器(MCU)產品,屬于STM8S系列的主流超值系列。它具有以下特點:8KB Flash程序存儲器1KB RAM數據存儲器20引
2024-04-14 23:03:01
半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數測量
一、實驗目的
1、了解半導體特性圖示儀的基本原理
2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的
2010-10-29 17:09:12
35 意法半導體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級，提高電機驅動能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環(huán)境影
2008-07-29 14:13:02918 半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數測量一、實驗目的1、了解半導體特性圖示儀的基本原理2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:0915283 
意法半導體推出具備高可靠性閃存的低功耗處理器芯片
意法半導體(ST)發(fā)布一款低功耗處理器芯片ST32-M，整合高可靠性的閃存和先進的ARM Cortex-M3處理器，并可與ST的ST32 S
2009-12-22 08:39:46726 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762 意法半導體：娛樂功能新創(chuàng)意、綠色方案更節(jié)能
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）日前以“娛樂功能新創(chuàng)意、綠色方
2010-03-25 13:41:31504 意法半導體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導體供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
汽車動力操控（Power Steering）系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 產品可協助設計者應對這
2012-12-05 09:12:221338 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大采用第六代STripFET技術的高效功率晶體管的產品系列，為設計人員在提高各種應用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47:03433 意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。
2020-03-18 15:24:513098 高溫半導體解決方案的領導者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET晶體管，保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內工作。這些名為CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4020的新器件的額定最大漏極電流分別為5A，10A和20A。
2020-11-12 11:29:541439 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應用
2022-01-17 14:13:294628 意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 **氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:34:204023 
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:35:402638 
40 V、200 mA NPN 開關晶體管-PMBT3904
2023-02-17 19:13:050 40 V、200 mA NPN 開關晶體管-PMBT3904MB
2023-02-21 18:31:530 40 V、600 mA NPN 開關晶體管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 開關晶體管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、200 mA NPN 開關晶體管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 40 V、600 mA PNP 開關晶體管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 40 V、600 mA、PNP 開關晶體管-PMBT4403
2023-02-27 18:16:440 40V、600mA、PNP 開關晶體管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 40 V、600 mA PNP 開關晶體管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 40 V、600 mA NPN/PNP 通用晶體管-NMB2227A
2023-03-01 18:47:590 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 40V、600mA雙PNP開關晶體管-PMBT4403YS
2023-03-02 23:12:530 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:231405 意法半導體近日推出了兩款全新的線性穩(wěn)壓器——LDH40和LDQ40，這兩款產品不僅具備出色的能效，還在設計上展現了極高的靈活性。
2024-05-11 10:31:42970 意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場
2024-12-11 14:27:00971 參考設計，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現。 MasterGaN-SiP是意法半導體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經過優(yōu)化的柵極驅動器完美整合于一個封裝內。這一設計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設計速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統
2024-12-25 14:19:481143 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271022 STripFET F8與上一代產品相比，品質因數 (FoM) 提高了40%，有助于工程師設計出更緊湊、功率密度更高的功率級，適用于計算機和外設應用、數據中心、電信、太陽能、電源、電池充電器、家用和專業(yè)電器、游戲、無人機等領域。
2025-10-10 09:34:20468 STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術，具有增強型溝槽柵極結構。它確保極低的導通電
2025-10-25 09:55:21933 
意法半導體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術，具有增強型溝槽柵極結構。 STL325N4LF8AG可確保非常低的導通電阻。該器件還降低內部電容和柵極電荷，實現更快、更高效的開關。
2025-10-29 15:34:56476 
意法半導體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標準。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509 
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新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術實現卓越的品質因數。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。
工商網監(jiān)
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