大多數(shù)具有快速充電技術(shù)的手機(jī)在大約30分鐘內(nèi)可以從0％到60％不等。小米的100 W快充技術(shù)在短短17分鐘內(nèi)就能將手機(jī)電量提升至100％。 該公司高級副總裁Xiang Wang近期在社交媒體上分享了
2019-03-29 10:17:40
10620 首爾半導(dǎo)體將開始批量生產(chǎn)下一代顯示微發(fā)光二極管（LED）。 該公司于6日宣布，將于7日（當(dāng)?shù)貢r間）在拉斯維加斯舉行的消費(fèi)電子展上（CES 2020）展示 Micro Clean LED。Micro
2020-01-07 00:41:006683 SMPS 和4 kW電機(jī)驅(qū)動。 氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，
2022-05-11 11:05:193146 
半導(dǎo)體技術(shù)推動下一代醫(yī)療設(shè)備變得更智能、更精確、連通性更好。什么半導(dǎo)體技術(shù)正為未來的醫(yī)療設(shè)備創(chuàng)造條件呢？飛思卡爾半導(dǎo)體公司的 David Niewolny 討論了對醫(yī)療設(shè)備設(shè)計影響最大的半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)。
2013-05-09 11:46:116425 
納微（Navitas） 宣布與文曄科技達(dá)成分銷協(xié)議，以期加強(qiáng)客戶關(guān)系，并加速GaNFast?功率IC在中國、臺灣和韓國市場的滲透率和銷售額增長。全球首款GaNFast功率IC可同時實(shí)現(xiàn)MHz開關(guān)頻率
2018-06-21 15:35:366287 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502386 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS），氮化鎵
2022-08-12 16:36:5010212 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
2016年1月7日——全球微控制器（MCU）及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel公司今日宣布，將把下一代壓力傳感技術(shù)應(yīng)用于最新面向智能手機(jī)應(yīng)用的maXTouchU系列。Atmel的壓力傳感技術(shù)
2016-01-13 15:39:49
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
驅(qū)動。我們現(xiàn)在看到設(shè)計人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優(yōu)勢。我們正與領(lǐng)先的工業(yè)和汽車伙伴合作，為下一代系統(tǒng)如服務(wù)器電源、旅行適配器和車載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術(shù)，安森美半導(dǎo)體將確保額外的篩檢技術(shù)和針對GaN的測試，以提供市場上最高質(zhì)量的產(chǎn)品。
2020-10-27 09:33:16
下一代SONET/SDH設(shè)備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導(dǎo)航系統(tǒng)
2012-08-18 10:37:12
如何進(jìn)行超快I-V測量？下一代超快I-V測試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
已經(jīng)成為大量電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的基礎(chǔ)，目前正在汽車中使用100Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。下一代1Gbps汽車以太網(wǎng)已經(jīng)為下一代IVN設(shè)計，將在未來2-3年內(nèi)推向市場。根據(jù)Strategy
2018-10-17 15:07:16
對實(shí)現(xiàn)下一代機(jī)器人至關(guān)重要的幾項(xiàng)關(guān)鍵傳感器技術(shù)包括磁性位置傳感器、存在傳感器、手勢傳感器、力矩傳感器、環(huán)境傳感器和電源管理傳感器。
2020-12-07 07:04:36
隨著移動行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計對下一代移動設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
據(jù)彭博社報道，有傳聞稱蘋果公司目前正致力于開發(fā)下一代無線充電技術(shù)，將可允許iPhone和iPad用戶遠(yuǎn)距離充電。報道稱，有熟知內(nèi)情的消息人士透露：“蘋果公司正在與美國和亞洲伙伴展開合作以開發(fā)新的無線
2016-02-01 14:26:15
單片光學(xué) - 實(shí)現(xiàn)下一代設(shè)計
2019-09-20 10:40:49
充分利用人工智能，實(shí)現(xiàn)更為高效的下一代數(shù)據(jù)存儲
2021-01-15 07:08:39
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
微捷碼（Magma®）設(shè)計自動化有限公司日前推出了下一代集成電路（IC）實(shí)現(xiàn)解決方案——Talus® 1.2，它可顯著縮短片上系
2011-01-01 14:23:06966 當(dāng)前，材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升，碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展，下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢進(jìn)行分析。
2012-12-03 09:09:052568 下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（NGN）的概念起源于美國克林頓政府1997年10月10日提出的下一代互聯(lián)網(wǎng)行動計劃（NGI）。其目的是研究下一代先進(jìn)的組網(wǎng)技術(shù)、建立試驗(yàn)床、開發(fā)革命性應(yīng)用。NGN一直是業(yè)界普遍關(guān)注的熱點(diǎn)和焦點(diǎn)，一些行業(yè)組織和標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)也分別對各自領(lǐng)域的下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)進(jìn)行了研究。
2016-01-14 16:18:00
0 目前電動汽車普及的一大障礙就是電池續(xù)航和過長的充電時間，但三星最新發(fā)布的下一代車用鋰電方案或許能夠消除用戶的這種顧慮。三星官方公布的數(shù)據(jù)顯示，下一代車用鋰電的續(xù)航將達(dá)到600km，即使在80%電量的情況下依舊可以行駛至少500km，充電速度將控制在20分鐘左右。
2017-01-12 14:56:201062 Vuzix已經(jīng)成為專注于企業(yè)的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)智能眼鏡技術(shù)最知名的提供商之一，與許多其他公司和品牌合作過。Vuzix現(xiàn)在宣布，它正在與Plessey半導(dǎo)體公司合作，將Plessey技術(shù)引入下一代
2018-06-19 07:33:002053 本文主要介紹了納微半導(dǎo)體英文手冊.
2018-06-26 08:00:0037 納微（Navitas）半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會議（IEEE PEAC‘2018）的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發(fā)布并展示
2018-10-09 15:21:465790 美國喬治亞理工大學(xué)（Georgia Institute of Technology）的一個國際研究團(tuán)隊證明了下一代半導(dǎo)體材料在改造照明技術(shù)方面的潛力。
2019-02-13 14:17:343441 虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯在過去五年中取得了明顯的改進(jìn)，并且在未來五年內(nèi)，由于計算機(jī)圖形和顯示技術(shù)的進(jìn)步，將向前邁出更大的一步。下一代無線技術(shù)是VR下一代發(fā)展的缺失環(huán)節(jié)，因?yàn)楫?dāng)代無線VR硬件無法滿足用戶期望的流暢沉浸。
2019-08-11 10:46:201003 Navitas 納微半導(dǎo)體今天宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會（CPSSC）上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動的手機(jī)快速充電器。
2019-10-23 14:33:374928 的USB-C充電，只需要一個USB-C端口便可以了。希望新一代iPhone也可以使用USB-C充電。多虧了納微 Mu GaNFast旅行適配器，才能
2020-04-10 10:33:421984 沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)的研究人員成功地制造了基于自然發(fā)藍(lán)光的半導(dǎo)體氮化銦鎵的紅色LED，這種紅色LED與基于磷化銦鎵的發(fā)光二極管更穩(wěn)定，有望成為下一代顯示技術(shù)的主流。
2020-07-10 11:16:116653 高通公司昨天宣布了一種新的快速充電技術(shù)，稱為快速充電5（QC 5）。高通公司聲稱，新標(biāo)準(zhǔn)將在5分鐘內(nèi)將4500mAh電池的電量從0%提升到50%，在15分鐘內(nèi)達(dá)到100%。
2020-07-28 10:21:061317 2020年12月29日，韓國科學(xué)和信息通信技術(shù)部（MSIT）發(fā)布下一代智能半導(dǎo)體（器件）研發(fā)計劃2021年項(xiàng)目實(shí)施計劃。該研發(fā)計劃旨在克服現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)局限，致力于下一代超低功耗、高性能半導(dǎo)體器件
2021-01-20 17:49:562940 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212059 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301764 
氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201779 納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092410 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311289 
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 15:23:361269 全球首款160W氮化鎵充電器亮相MWC 2022，納微半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機(jī)供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:371331 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護(hù)模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132198 納微半導(dǎo)體近期正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所標(biāo)配的80W有線閃充充電器內(nèi)。
2022-04-27 10:56:422501 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562299 ：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。 GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，功率提升
2022-05-05 11:13:573058 
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實(shí)現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子(Arrow Electronics)合作，在亞太區(qū)新設(shè)立的創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室共同開展技術(shù)研發(fā)活動，為下一代工業(yè)應(yīng)用發(fā)展鋪平道路。
2022-07-14 09:34:531992 鎵（GaN）功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者宣布收購VDD Tech，后者是用于下一代功率轉(zhuǎn)換的先進(jìn)數(shù)字隔離器的創(chuàng)造者。 先進(jìn)的數(shù)字隔離技術(shù)對于在消費(fèi)類、電機(jī)驅(qū)動、太陽能、數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率市場中實(shí)現(xiàn)尺寸、重量和系統(tǒng)成本的改進(jìn)至關(guān)重要。VDD Tech的專有調(diào)
2022-07-14 14:14:501430 
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體（GaN和SiC）領(lǐng)域創(chuàng)建一個全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合，到2026年，其總市場機(jī)會估計每年超過200億美元。
2022-09-06 16:15:151469 納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產(chǎn)品，其集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ，其適用于手機(jī)移動、消費(fèi)和工業(yè)市場中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532505 JAE（日本航空電子）開發(fā)了一項(xiàng)新技術(shù)，該技術(shù)通過單個薄膜傳感器來實(shí)現(xiàn)非接觸、觸摸及壓感操作，可以被運(yùn)用于下一代車載內(nèi)飾UI（用戶界面）。在CASE的發(fā)展進(jìn)程中，大家對高質(zhì)量娛樂影音汽車用戶界面的需求也愈發(fā)強(qiáng)烈的背景下，JAE將力爭使其在下一代例如扶手和車門飾件的設(shè)計中被廣泛采用。
2022-09-21 09:34:181695 極具戰(zhàn)略意義的硅控制器技術(shù)，加速GaN和SiC市場推進(jìn)，搶奪傳統(tǒng)硅功率器件在多元化市場中的份額。 加利福尼亞州托倫斯，2023年1月19日訊：唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763 下一代 NXP 低 VCEsat 晶體管：分立半導(dǎo)體的改進(jìn)技術(shù)-AN11045
2023-03-03 20:10:470 全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊——下一代功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 - 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日公布截至2023年3月31日的第一季度未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績。
2023-05-18 15:18:101221 憑借下一代高成長性，高功率半導(dǎo)體 氮化鎵和碳化硅，樹立新興市場領(lǐng)導(dǎo)地位 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊：下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式宣布
2023-05-23 14:15:34926 電子展上，納微半導(dǎo)體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進(jìn)一步開發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動汽車等市場。 ? 納微半導(dǎo)體高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師羅月亮對電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192934 
下一代平臺將為數(shù)據(jù)中心、太陽能、電動汽車、家電及工業(yè)市場設(shè)定新標(biāo)桿
2023-08-28 14:16:362499 三星電機(jī)是韓國最大的半導(dǎo)體封裝基板公司，將在展會上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導(dǎo)體封裝基板，展示其技術(shù)。
2023-09-08 11:03:201505 從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布再度
2023-11-03 14:06:311663 2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 納微半導(dǎo)體，作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司，氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:201499 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體近日公布了其截至2023年12月31日的第四季度和全年未經(jīng)審計的財務(wù)業(yè)績，數(shù)據(jù)顯示該公司在過去一年中實(shí)現(xiàn)了顯著的增長。
2024-03-03 16:04:041567 功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者，納微半導(dǎo)體在此次展會上大放異彩，向觀眾展示了其搭載GaNFast?和GeneSiC?技術(shù)的全系列應(yīng)用和解決方案。
2024-03-12 09:30:241123 納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體
2024-03-13 13:48:331419 
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
2024-03-13 14:03:261689 納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時，納微半導(dǎo)體將設(shè)立一個獨(dú)特而富有未來感的“納微芯球”展臺，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)，引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411 納微半導(dǎo)體宣布，其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納，該公司是印度市場上消費(fèi)類電器、流體運(yùn)動和移動領(lǐng)域的佼佼者。此次合作旨在開發(fā)一款零排放、功率強(qiáng)勁的太陽能灌溉泵，擁有高達(dá)3匹馬力（2,250W）的出色性能。
2024-05-06 15:32:01845 系統(tǒng)的集成度、易用性、上市速度和可制性，相較傳統(tǒng)硅基方案進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。 加利福尼亞州托倫斯2024年5月9日訊?—?下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布 截至2024年3月31日的第一季度未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績。 納微半導(dǎo)體
2024-05-10 18:35:412437 
加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺，
2024-05-24 15:37:331347 在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716 近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費(fèi)者帶來了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:293244 
???????? 意法半導(dǎo)體致力于幫助汽車行業(yè)應(yīng)對電氣化和數(shù)字化的挑戰(zhàn)，不僅提供現(xiàn)階段所需的解決方案，未來還提供更強(qiáng)大的統(tǒng)一的MCU平臺開發(fā)戰(zhàn)略，通過突破性創(chuàng)新支持下一代車輛架構(gòu)和軟件定義
2024-11-07 14:09:471305 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其
2024-11-08 11:33:162107 近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用下一代GaNFast和GeneSiC Power實(shí)現(xiàn)電氣化我們的世界.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 14:51:370 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081235 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381785 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計的第四季度及全年財務(wù)業(yè)績。
2025-02-26 17:05:131250 近日，威睿電動汽車技術(shù)（寧波）有限公司（簡稱“威睿公司”）2024年度供應(yīng)商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果，喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”。
2025-03-04 09:38:23969 美國機(jī)構(gòu)分析，認(rèn)為中國在支持下一代計算機(jī)的基礎(chǔ)研究方面處于領(lǐng)先地位。如果這些研究商業(yè)化，有人擔(dān)心美國為保持其在半導(dǎo)體設(shè)計和生產(chǎn)方面的優(yōu)勢而實(shí)施的出口管制可能會失效。 喬治城大學(xué)新興技術(shù)觀察站（ETO
2025-03-06 17:12:23729 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
全球 AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施革新迎來關(guān)鍵進(jìn)展。近日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor, 納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布參與NVIDIA 英偉達(dá)（納斯達(dá)克股票代碼: NVDA) 下一代
2025-05-23 14:59:382815 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計的第三季度財務(wù)業(yè)績。
2025-11-07 16:46:052452 加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）與亞洲分銷巨頭
2025-12-04 15:13:401264
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論