據(jù)香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日?qǐng)?bào)道,現(xiàn)如今,市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說,他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-05-28 11:33:06
2837 IBM今日宣布,IBM與其研究聯(lián)盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司為新型的芯片制造了5納米大小的晶體管。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊,而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架,這使得5納米晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能。這項(xiàng)技術(shù)有可能應(yīng)用于自動(dòng)駕駛、人工智能和5G網(wǎng)絡(luò)。
2017-06-07 14:28:09
1689 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成,要進(jìn)行超高壓
2011-12-06 10:36:22
2065 `中科院3D打印機(jī)CEST400|國產(chǎn)工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)中科院廣州電子采用全球領(lǐng)先的3D打印技術(shù)和設(shè)備,自2001年改制以來,依托國有科研機(jī)構(gòu)技術(shù)底蘊(yùn),穩(wěn)定的技術(shù)隊(duì)伍,專注主研方向和產(chǎn)品,在高等教育
2018-08-10 17:27:37
對(duì)象與類,構(gòu)造函數(shù)與析構(gòu)函數(shù),堆與拷貝構(gòu)造函數(shù),靜態(tài)數(shù)據(jù)成員與靜態(tài)成員函數(shù),繼承,多態(tài)與虛函數(shù),多重繼承,友元,運(yùn)算符重載,模板,異常處理等內(nèi)容。中科院C++課件及范實(shí)例代碼(研究生應(yīng),例程特經(jīng)典)
2008-10-07 10:06:34
大多數(shù)快速成長(zhǎng)起來的新興產(chǎn)業(yè)一樣,關(guān)鍵技術(shù)儲(chǔ)備欠缺,持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力培育不夠,研發(fā)投入不足,創(chuàng)新能力不強(qiáng),同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)加劇,產(chǎn)品良莠不齊……各種各樣的問題接踵而至?! ∵@讓中科院院長(zhǎng)白春禮深感憂慮。就在上周剛剛
2012-07-18 11:31:19
解決RISC-V操作系統(tǒng)的諸多痛點(diǎn)問題。
2021年起北京市與中科院戰(zhàn)略合作,發(fā)揮北京市應(yīng)用牽引和芯片定義的優(yōu)勢(shì),北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局組織產(chǎn)業(yè)界成立開芯院,創(chuàng)新“產(chǎn)學(xué)研”協(xié)同模式,加速“香山”的技術(shù)演進(jìn)
2023-05-28 08:43:00
拿到一款MCU后,如何快速上手?推薦大家來看看中科院唐博士的系列博文《唐博士手把手教你玩轉(zhuǎn)飛思卡爾Kinectis MCU》(K20為例)。以下摘自博文手段:1.題外話從1983年我開始從事Z80
2014-12-25 22:47:18
、3dmax、photoshop、dialux及辦公軟件OFFICE、WORD、EXCEL; 5、具有獨(dú)立完成項(xiàng)目設(shè)計(jì)的成功案例; 6、具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識(shí),有項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。中科院建筑設(shè)計(jì)
2013-10-23 09:56:10
與團(tuán)隊(duì)合作精神;5. 有研發(fā)團(tuán)隊(duì)的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院(福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所)相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇,年底有項(xiàng)目獎(jiǎng)金; 符合泉州市及所屬縣(市、區(qū))相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
`中科院擁有國內(nèi)乃至國際一流的創(chuàng)新性研發(fā)機(jī)構(gòu)和科研團(tuán)隊(duì)、凝聚著全球最優(yōu)秀的科學(xué)家,實(shí)力雄厚。如今中科院深化在網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域的探索,攜手ithink公司震撼推出國內(nèi)首款內(nèi)置電池網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)——手立視Q系
2015-02-05 10:09:03
``如題 中科院清庫房的設(shè)備 另有其他一些電子元器件。有想拿去玩玩的加微信qixiong225 論壇不常上 咸魚鏈接https://2.taobao.com/item.htm?id=526428926106&spm=686.1000925.0.0.qjp7si ``
2016-02-17 16:14:49
中科院電子技術(shù)考研真題
2011-08-07 15:04:03
芯片加工,MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗(yàn);4.動(dòng)手能力強(qiáng),善于學(xué)習(xí)溝通,吃苦耐勞,有團(tuán)隊(duì)合作精神; 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮; 崗位待遇:中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道,相變存儲(chǔ)器,具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域,并實(shí)現(xiàn)千萬量級(jí)市場(chǎng)化銷售,未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
,滿足未來輕薄化的需求。 芯片晶體管橫截面 到了3nm之后,目前的晶體管已經(jīng)不再適用,目前,半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET(GAA FET)和nanowire FET(MBCFET
2020-07-07 11:36:10
本帖最后由 江口kk 于 2014-8-11 20:26 編輯
Banana PI開源項(xiàng)目與中科院先研院舉行開源硬件介紹交流活動(dòng)LeMaker團(tuán)隊(duì)Banana Pi項(xiàng)目組日前與中國科學(xué)院深圳
2014-08-09 21:08:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
2)。然后,門重新控制了薄體。 圖2.鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 此外,從平面移動(dòng)到3D可降低亞閾值斜率和Ioff電流。體積將增加,漏電流將小于平面設(shè)計(jì)。 雙柵極與三柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 雙柵極
2023-02-24 15:20:59
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
的電荷量變化小于一個(gè)電子,則不會(huì)有電流通過量子點(diǎn)。因此,電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系,而是階梯形關(guān)系。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng),為制造單個(gè)電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。》 絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
。 為什么使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET? 選擇鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)有哪些應(yīng)用呢?如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設(shè)計(jì)呢?
2022-01-14 07:02:41
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路,進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦,散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管,并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一.絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理: 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天,貝爾實(shí)驗(yàn)室中,布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕,恰到好處地將頂角一分為二,分別接上導(dǎo)線,隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
中科院量子力學(xué)考研試題
2008-11-25 16:13:08
0 中科院固體所量子力學(xué)試題
2008-11-25 16:14:14
0 英飛凌科技公司(Infineon),設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管,其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米,幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:39
1263 中科院化學(xué)所成功研制出新型高性能鋰離子電池負(fù)極材料
鋰離子電池是目前能量密度最高的綠色二次電池,已廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、手機(jī)、攝影機(jī)等消費(fèi)電
2008-11-26 08:20:10
923 
IBM研發(fā)出最快的石墨烯晶體管,超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管,運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心(
2008-12-27 12:55:48
792 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管(Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT)GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:39
7311 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一.絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:00
1718 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:59
6997 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有
2009-11-05 11:40:14
722
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)
2009-12-10 14:24:31
1861 法國研究人員開發(fā)出新型智能晶體管
法國研究人員最新開發(fā)出一種新型智能晶體管,它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)行模式,對(duì)圖像進(jìn)行識(shí)別,幫助電腦完成更加復(fù)
2010-01-27 10:43:27
608 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:02
9634 聯(lián)柵晶體管(GAT)是什么意思?
聯(lián)柵晶體管是一種新型功率開關(guān)半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的特種器
2010-03-05 14:35:24
3367 據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露,與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IB
2010-06-22 08:21:47
1226 
在國家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的支持下,中科院半導(dǎo)體所吳南健研究員、張萬成和付秋喻等成功研制出新型視覺芯片。
2011-09-15 09:22:00
1616 南車與中科院聯(lián)合組建研發(fā)中心將致力于以碳化硅功率器件為主的新型“綠色中國芯”研發(fā),全力打造強(qiáng)大的新型電力電子器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)平臺(tái)
2011-12-23 19:54:56
945 據(jù)國外媒體報(bào)道,MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管,新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過,速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:44
3549 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:30
8361 斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小,以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:49
2328 據(jù)英國學(xué)術(shù)雜志《自然》報(bào)道,斯坦福大學(xué)研發(fā)人員開發(fā)出了全球首臺(tái)基于碳納米晶體管技術(shù)的計(jì)算機(jī),并已經(jīng)成功測(cè)試運(yùn)行,這表明人類未來在開發(fā)新型電腦設(shè)備時(shí)有望擺脫對(duì)硅晶體技術(shù)的依賴。
2013-09-26 09:08:29
6466 中科院_遙感課件及資料2。
2016-05-05 11:37:39
9 中科院_遙感課件及資料3。
2016-05-05 11:37:39
19 數(shù)字圖像處理_中科院課件
2017-02-07 21:04:01
0 記者從中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院了解到,該院應(yīng)用所先進(jìn)材料中心科學(xué)家近日研制出一種新型抗電磁干擾材料,屏蔽性能可達(dá)到56分貝,比普通材料提高了60%以上。
2017-02-09 14:18:51
1347 中科院WSN講義 時(shí)間同步
2017-10-24 09:10:03
12 先導(dǎo)專項(xiàng))時(shí)說,中科院的重大科技成果進(jìn)入了井噴期。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 白春禮舉了未來先進(jìn)核裂變能—加速器驅(qū)動(dòng)次臨界堆嬗變系統(tǒng)專項(xiàng)的例子。
2018-01-31 07:42:10
3306 液流電池作為一種新型的電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù),是清潔能源大規(guī)模儲(chǔ)能的首選技術(shù)之一。近日,中科院大連化學(xué)物理所研發(fā)出新型的長(zhǎng)壽命、可自我恢復(fù)的鋅碘液流電池,有效解決了目前儲(chǔ)能電池存在的循環(huán)壽命短、功率密度低
2018-05-31 16:02:00
3119 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管,可以連續(xù)穩(wěn)定的工作,柵極電壓高達(dá)10V,工作電流在20A,擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:08
7522 
目前,產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù),以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:51
10 港媒稱,內(nèi)地的科學(xué)家說,他們已經(jīng)研發(fā)出一種晶體管,這種晶體管將大大增強(qiáng)芯片的性能,并大幅降低它們的能耗。
2019-05-31 11:23:32
6941 現(xiàn)如今,市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說,他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:27
5958 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm,下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn),制造難度越來越大,其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要,未來的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:49
7723 眾所周知,手機(jī)芯片對(duì)于手機(jī)就像主機(jī)對(duì)于電腦一樣,十分重要。而在前段時(shí)間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來自中國,像小米,OPPO,vivo等都是其重要的客戶。
2019-12-18 16:57:55
6424 近日,中科院對(duì)外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
2020-01-14 17:23:25
4890 近年來,我國在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破,原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘,在全球市場(chǎng)中站穩(wěn)腳跟,例如國產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:53:50
3854 近日,中科院對(duì)外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
2020-01-15 09:40:32
9726 目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過100億個(gè)晶體管。
2020-01-16 08:48:44
2469 中科院今天宣布,國內(nèi)學(xué)者研發(fā)出了一種簡(jiǎn)單的制備低維半導(dǎo)體器件的方法——用“納米畫筆”勾勒未來光電子器件,它可以“畫出”各種需要的芯片。
2020-03-11 16:28:33
3713 最近中科院傳來喜訊,中國在核心電子材料技術(shù)上取得了巨大的突破,成功研發(fā)出了硅-石墨烯-鍺復(fù)合材料晶體管,這種未來芯片的核心材料讓電磁波在內(nèi)的傳播延遲被縮短1000倍。
2020-03-14 15:09:03
3027 近日,由中科院大連化學(xué)物理研究所(DICP)的劉健教授和吳忠?guī)浗淌陬I(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了用Fe 1-x S修飾的介孔碳球作為鋰電反應(yīng)器的納米反應(yīng)器。硫磺電池正極。該納米反應(yīng)器展示出優(yōu)異的多硫化物催化活性和循環(huán)穩(wěn)定性。這項(xiàng)研究于4月16日發(fā)表在《先進(jìn)能源材料》上。
2020-04-20 15:13:17
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據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,中科院分子影像重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在成功研發(fā)出新型近紅外二區(qū)熒光成像系統(tǒng)及手術(shù)導(dǎo)航技術(shù)基礎(chǔ)上,進(jìn)一步利用熒光探針吲哚菁綠(ICG),開展近紅外二區(qū)熒光成像在人體肝癌成像上的應(yīng)用,解決了近紅外二區(qū)熒光成像臨床轉(zhuǎn)化的問題。
2020-06-01 16:11:34
7949 但是,這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今,碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來,最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm(2014年 IBM)。
2020-08-31 15:00:50
4507 個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器(Universal
2020-09-04 16:10:13
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繼中科院宣布牽頭研發(fā)***后,近日,華為CEO任正非訪問中科院,就基礎(chǔ)研究及關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了探討交流。
據(jù)鳳凰網(wǎng)報(bào)道稱,這是繼7月任正非訪問上海交通大學(xué)及南京大學(xué)等四所高校后,首次
2020-09-21 14:05:08
5615 本期介紹:本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管,它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26
2780 中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展,該類型器件通過在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu),大大減少了器件占用面積,在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力
2021-06-04 11:16:23
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6月22日至25日上午,首屆RISC-V中國峰會(huì)在上海科技大學(xué)舉辦。本屆大會(huì)上中科院大學(xué)教授、中科院計(jì)算所研究員包云崗重磅發(fā)布國產(chǎn)開源高性能RISC-V處理器“香山”。 根據(jù)包云崗在知乎上發(fā)出的介紹
2021-06-26 14:56:47
12567 過時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn),其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天,晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米,而且隨著最新研究,頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35
743 均已準(zhǔn)備妥當(dāng),那么中國能造2nm芯片嗎?前景如何? 中科院推出的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)是目前最先進(jìn)的晶體管技術(shù),現(xiàn)在主流的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)能夠運(yùn)用在7nm以下的芯片上,目前已經(jīng)被美國禁止出口給中國,不過靠著自強(qiáng)不息的民族精
2022-06-22 14:42:15
26717 據(jù)了解,中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn),這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),也就是說在2nm制程上,我國已經(jīng)成功取得了突破。
2022-06-23 09:24:54
2693 去年IBM的2nm芯片橫空出世,并且同年傳出了中科院2nm芯片的新聞,據(jù)觀察,后續(xù)網(wǎng)上出現(xiàn)了類似“2nm芯片沒啥用”這樣的言論,那么IBM和中科院2nm芯片是什么意思呢?為什么會(huì)有人說2nm芯片沒啥
2022-06-23 10:27:24
13639 中科院里每一位生物學(xué)家都是在拼搏,在許多人的拼搏下在我國芯片技術(shù)的獲得了突破,生產(chǎn)制造出了在我國的2納米技術(shù)芯片,這一個(gè)檔次的芯片全稱之為豎直納米技術(shù)環(huán)珊電子管。
2022-06-24 09:26:49
13815 中科院2nm芯片什么時(shí)間生產(chǎn)?新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要,就目前情況來看,基于2nm架構(gòu)的芯片將在2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段,在2024年的時(shí)候就將試生產(chǎn)了,然后滿足生產(chǎn)的需求,最后達(dá)到2nm芯片量產(chǎn)的階段。
2022-06-27 09:54:26
3591 5納米是指芯片的特征尺寸,特征尺寸越小,制造出來mos管就更小,成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小,在單位面積內(nèi)晶體管更為密切,功耗也更低。
2022-06-29 16:59:14
52757 就在我們?cè)谧约貉兄?b class="flag-6" style="color: red">芯片得不到進(jìn)展,國外的芯片被斷供的困局中,中科院傳來了一則振奮人心的消息:中科院的研究人員表示已經(jīng)突破了設(shè)計(jì)2nm芯片的瓶頸,成功地掌握了設(shè)計(jì)2nm芯片的技術(shù),只要機(jī)器到位,就能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-06-30 09:27:42
278068 開始聯(lián)手研發(fā)2nm及其相關(guān)技術(shù)。 國外都在追逐2nm工藝,國內(nèi)自然也就不能拖后腿。雖然我國芯片行業(yè)總體水平還是比較低,但是據(jù)報(bào)道,中科院已經(jīng)連續(xù)傳出了兩則關(guān)于2nm技術(shù)有關(guān)的新聞,不過論國產(chǎn)2nm芯片有望成功嗎。 中科院所攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體
2022-06-30 10:01:39
3670 芯片性能的關(guān)鍵主要在工藝和材料上,目前傳統(tǒng)硅基芯片的開發(fā)已經(jīng)接近極限,芯片行業(yè)急需尋找一種新的材料來替代硅,國內(nèi)同樣如此,那么中科院2nm芯片用什么材料呢? 2021年,在我國中科院科研人員不斷的研發(fā)中發(fā)現(xiàn),石墨烯晶圓在導(dǎo)電、散熱方
2022-07-05 10:32:42
4436 在芯片設(shè)計(jì)和制造中,納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離,在體積相同大小的情況下,7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量,幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55
136833 近日,中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝,制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢(shì),又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-22 15:01:14
1402 傳感新品 【中科院納米能源所:研發(fā)手術(shù)中用于體內(nèi)血壓監(jiān)測(cè)的組織黏合壓電軟傳感器】 手術(shù)期間患者生命體征對(duì)醫(yī)生了解病人狀態(tài)十分重要。特別是血壓監(jiān)測(cè)在手術(shù)中起著關(guān)鍵作用,可以幫助醫(yī)生及時(shí)調(diào)整治療方案并
2023-05-30 08:37:14
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在當(dāng)前電子技術(shù)發(fā)展的今天,如今的晶體管還是得到不錯(cuò)的有應(yīng)用,其中的國產(chǎn)晶體管晶體管,同樣是深受現(xiàn)在人們的關(guān)注,如今隨著這一晶體管得到應(yīng)用,要在國產(chǎn)晶體管廠家如何完成相應(yīng)的選型呢,主要還是需要注意考慮這樣幾種國產(chǎn)晶體管選型方法,進(jìn)而可以完成對(duì)晶體管的選擇。
2022-07-20 14:28:10
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晶體管氫氣傳感器產(chǎn)品已經(jīng)上市, 其探測(cè)限可以達(dá)到 0.5ppm,屬于最高端的氫氣傳感器產(chǎn)品,也是世界首款碳納米管芯片產(chǎn)品。 碳基電子技術(shù)將在未來 3 年左右用于傳感器芯片領(lǐng)域 ,以及在未來 5-8 年左右用于射頻芯片領(lǐng)域,并將在未來 15 年內(nèi)用于高端數(shù)字芯片
2023-09-05 15:10:18
1860 
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:29
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
2023-11-24 14:45:34
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IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55
1206 當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
2025-05-16 17:32:07
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評(píng)論