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緩沖/存儲技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為緩沖/存儲技術(shù)專區(qū)，有豐富的緩沖/存儲技術(shù)應(yīng)用知識與緩沖/存儲技術(shù)資料，可供緩沖/存儲技術(shù)行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。
高啟全牽線，紫光又拿下華亞科一名大將
美商存儲器大廠美光科技上月合并華亞科技后，在新年度展開高層人事調(diào)整，原華亞科總經(jīng)理牟瑞德（Rod）預(yù)定農(nóng)歷春節(jié)后轉(zhuǎn)調(diào)日本，另調(diào)派一位新加坡籍華人來臺接任。另外，前華亞科總經(jīng)理...
2017-01-09 標(biāo)簽：DRAM美光華亞科紫光集團(tuán) 11126
Marvell在2017年國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展（CES）上展示其在數(shù)據(jù)存儲、傳輸和數(shù)據(jù)訪問
2017年1月6日，北京訊 –為存儲、云基礎(chǔ)設(shè)施、物聯(lián)網(wǎng)( IoT)、互聯(lián)和多媒體應(yīng)用提供半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，Nasdaq：MRVL)將在2017年國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展(CES)上展示其多...
中國存儲離成功就差這幾步了！
過去幾年，中國正在瘋狂存儲產(chǎn)業(yè)，尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后，中國的存儲產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。但就目前看來，中國存儲能否大獲成功，就得看在來年，包括Intel、三星、美光等知名的存儲...
2016-12-30 標(biāo)簽：DRAM三星電子3D NAND Flash長江存儲 2107
如何選擇適合產(chǎn)品的燒錄方式
智能穿戴設(shè)備的藍(lán)牙模塊、汽車電子鑰匙、胎壓監(jiān)測系統(tǒng)、電子煙……這些目前大熱的行業(yè)及產(chǎn)品在我們的日常生活中扮演中重要的角色，我們來看一看程序是通過哪些方式“搬運(yùn)”到芯片內(nèi)的...
中國 NAND Flash 制造的現(xiàn)況、發(fā)展與機(jī)會
2015 年 11 月 6 日中國同方國芯電子股份有限公司資產(chǎn)重整后，將成為紫光集團(tuán)下的子公司。此外，同方國芯也提出私募 800 億元人民幣增資案，主要用于建造 Flash 工廠（75%）、收購力成 25%（4...
2016-12-27 標(biāo)簽：中芯國際武漢新芯紫光集團(tuán) 3733
憂慮大陸DRAM崛起，三星海力士美光全力圍堵
全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸。據(jù)了解，合肥...
SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能
需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估，明年記憶...
三星存儲器業(yè)務(wù)市場貢獻(xiàn)率暴增，命好不怕運(yùn)來磨
根據(jù)DIGITIMES的報導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值...
致三星云用戶的一封“通知”，即日起停止上傳數(shù)據(jù)
11月28日消息 繼國內(nèi)360云盤個人免費(fèi)版將關(guān)閉后，三星云今天發(fā)布公告稱，因業(yè)務(wù)調(diào)整無法繼續(xù)向三星用戶提供三星云服務(wù)，現(xiàn)有的三星云將從2016年11月28日起停止新用戶注冊及現(xiàn)有用戶數(shù)據(jù)上...
2016-11-28 標(biāo)簽：三星電子 2795
TrendForce：第三季全球DRAM總營收成長15.8%
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，受惠于全球智慧型手機(jī)出貨成長，及記憶體搭載量不斷攀升，2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式記憶體與伺服器用...
2015年主要原廠NAND Flash的市場份額
在IC設(shè)計、制造、封裝、測試多個領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時候，中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。...
Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟
什么是閃存？閃存的存儲單元為三端器件，與場效應(yīng)管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護(hù)浮置柵極中的電荷不會泄漏。...
DRAM存儲器價格上漲 供不應(yīng)求局面或持續(xù)
受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆?，F(xiàn)貨價持續(xù)飆漲，本月以來平均漲幅近15%，第三季度以來累計漲幅高達(dá)45%至50%，模組價格本月漲幅也超過20%。...
希捷杠上三星，SSD之爭蓄勢爆發(fā)！
一年一度的閃存峰會盡管不像CES、IDF那樣引人矚目，但也算得上是閃存領(lǐng)域規(guī)模最大的盛事了。隨著SSD的崛起，閃存峰會的關(guān)注群體逐漸從專業(yè)廠商擴(kuò)大到了普通消費(fèi)者，大家都對更快、更大的...
北美筆記本電腦需求回溫 DRAM價格漲勢延續(xù)
在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，dram漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進(jìn)場，漲勢加大。...
公有云和私有云的區(qū)別 如何搭建云存儲
名字的改變不會改變其本質(zhì)，它仍然是一種能提供更好服務(wù)的存儲架構(gòu)技術(shù)。我們不得不承認(rèn)的是，不管選擇的是哪個品牌的產(chǎn)品，企業(yè)都會受益于所選擇的私有云架構(gòu)。...
2016-08-22 標(biāo)簽：云存儲 2380
西部數(shù)據(jù)表示：電阻式內(nèi)存技術(shù)并非徒勞一場
在完成對SanDisk公司的收購之后，西部數(shù)據(jù)正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術(shù)——對英特爾與美光打造的XPoint發(fā)起沖擊。...
2016-08-22 標(biāo)簽：DRAM西部數(shù)據(jù) 972
英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片
英特爾投資 55 億美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工，并于 25 日正式投產(chǎn)。報導(dǎo)指稱，位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠區(qū)，為全球首座以 12 寸（300mm）晶圓生產(chǎn) NAND Flash 的制造中心，目...
2016-08-17 標(biāo)簽：Nand flash 1353
手機(jī)需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟
RAM對性能的影響是非常巨大的，包括標(biāo)準(zhǔn)（DDR3或DDR4）容量、帶寬等等，目前至少8GB RAM對PC來說是非?；A(chǔ)的。雖然硬件結(jié)構(gòu)并不完全相同，但智能手機(jī)RAM也越來越大，甚至達(dá)到了6GB，那么這究...
2016-08-17 標(biāo)簽：RAM 6416
存儲器產(chǎn)業(yè)迎歷史性發(fā)展機(jī)遇，紫光被寄予厚望
據(jù)了解，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，亦是最大宗的集成電路產(chǎn)品，同時還是我國進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。...
英特爾大連項目提前實現(xiàn)投產(chǎn) 帶動新項目投資
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大...
2016-07-26 標(biāo)簽：英特爾 1110
儲存新技術(shù)：原子儲存信息正在變?yōu)楝F(xiàn)實
現(xiàn)在，原子儲存信息的技術(shù)正在變?yōu)楝F(xiàn)實。荷蘭代爾夫特理工大學(xué)科維理納米科學(xué)研究所桑德·奧特領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，證明利用原子儲存大量信息是可行的。...
2016-07-25 標(biāo)簽：IBM 1638
更深存儲器應(yīng)用如何實現(xiàn)？IDT技術(shù)白皮書為你解惑
LRDIMM（低負(fù)載雙列直插存儲器模塊） 和 RDIMM（雙列直插存儲器模塊） 為數(shù)據(jù)中心企業(yè)服務(wù)器提供補(bǔ)充解決方案——LRDIMM 針對需要更深存儲器的應(yīng)用，而 RDIMM 則針對需要更高數(shù)據(jù)帶寬的應(yīng)用。...
三個HDD新技術(shù)能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲存需求
在新興的HDD技術(shù)中，能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲存需求的儲存技術(shù)包括疊瓦式磁記錄 （Shingled Magnetic Recording， SMR）、氦氣以及熱輔助磁記錄技術(shù)（Heat-Assisted Magnetic Recording， HAMR）。...
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