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緩沖/存儲技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為緩沖/存儲技術(shù)專區(qū)，有豐富的緩沖/存儲技術(shù)應(yīng)用知識與緩沖/存儲技術(shù)資料，可供緩沖/存儲技術(shù)行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。
基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器
O 引言 隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展，無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求，都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作，并且易于保...
Flash存儲器概述
Flash 存儲器的簡介 在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)...
2010-11-11 標(biāo)簽：Flash存儲器 5456
相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和...
MAX14500–MAX14503 USB至SD讀卡器
MAX14500–MAX14503 USB至SD™讀卡器為帶有一個或兩個SD卡槽且支持全速USB通信(12Mbps)的便攜式設(shè)備提供了一種升級方法，可以將USB SD讀卡器升級到USB高速(480Mbps)工作模式。MAX14500...
2010-11-11 標(biāo)簽：MAX14500 1270
DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照...
2010-11-10 標(biāo)簽：DS1225AB 1725
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控...
東芝推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD
東芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固態(tài)硬盤)產(chǎn)品。該新型SSD產(chǎn)品分為64GB、128GB和256GB三種...
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按...
DS1225Y 64K非易失SRAM
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照...
DS28E01-100保護(hù)型1-Wire EEPROM
DS28E01-100將1024位EEPROM與符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的質(zhì)詢響應(yīng)安全認(rèn)證結(jié)合在一起。1024位EEPROM陣列被配置為...
2010-11-03 標(biāo)簽：DS28E01-10 2216
相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧
相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師...
2010-11-01 標(biāo)簽：相變化內(nèi)存 1241
SpaNSion FL-K閃存
SpaNSion FL-K系列支持統(tǒng)一4-千字節(jié)(KB)的小扇區(qū)設(shè)計(jì)。目前整個SpansiON SPI產(chǎn)品組合覆蓋密度范圍為4Mb至256Mb，是市場上最廣泛的產(chǎn)品組合之一。 Spansion FL-K系列具備快速...
2010-10-25 標(biāo)簽：Spansion 1572
DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制...
DS1330 256k非易失(NV) SRAM
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電...
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，...
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時時鐘
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時功能等同于...
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實(shí)時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等...
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控...
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電...
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，...
DS9034PCX PowerCap的設(shè)計(jì)
該DS9034PCX PowerCap的設(shè)計(jì)是一個在達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失時鐘RAM的鋰動力源的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。經(jīng)過PowerCap模塊板焊接已經(jīng)到位并清洗，DS9034PCX PowerCap是放置在PCM...
2010-10-21 標(biāo)簽：DS9034PCX 1547
DS1220Y 16k非易失SRAM
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路...
基于浮柵技術(shù)的閃存
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始...
磁盤陣列消除系統(tǒng)管理程序的存儲壓力
專用磁盤陣列，例如IBM的XIV及其他產(chǎn)品，會執(zhí)行那些原本得由操作系統(tǒng)或系統(tǒng)管理程序執(zhí)行的功能。而原先的做法則會給虛擬平臺造成額外壓力。...
FPGA中SPI Flash存儲器的復(fù)用編程方法的實(shí)現(xiàn)
SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占用4根線，不僅...
GIS數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)中OCI的應(yīng)用
O 引言 Oracle憑借其優(yōu)越的穩(wěn)定性和卓越的性能在眾多領(lǐng)域里有著廣泛的應(yīng)用。高性能是Oracle優(yōu)...
DS2433 4K位1-Wire® EEPROM
DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品信息可以通過最少的...
重復(fù)數(shù)據(jù)刪除技術(shù)分析及分類
重復(fù)數(shù)據(jù)刪除也稱為智能壓縮或單一實(shí)例存儲，是一種可自動搜索重復(fù)...
2010-10-10 標(biāo)簽： 1042
基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)
O 引言 面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信...
2010-10-08 標(biāo)簽：SDRAM數(shù)據(jù)緩存 1597
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