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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光:DRAM和NAND晶圓將削減20%開(kāi)工率

美光:DRAM和NAND晶圓將削減20%開(kāi)工率

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1、科技:為Redmi K30 Pro提供LPDDR5 DRAM內(nèi)存 3月20日消息 Redmi K30 Pro手機(jī)將于3月24日發(fā)布。科技今日表示,將為Redmi K30 Pro提供
2020-03-21 09:33:325597

行業(yè)景氣度回升 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)工率轉(zhuǎn)暖

隨著行業(yè)的回暖,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)業(yè)績(jī)面臨回升,強(qiáng)周期電子股未來(lái)的走勢(shì)值得關(guān)注。伴隨著近期半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)回暖,多家業(yè)內(nèi)上市公司開(kāi)工率正在同步回暖。
2013-02-26 09:41:07661

NAND Flash需求旺盛,扭虧為盈

存儲(chǔ)器大廠(Micron)昨(20)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì),執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季,并指出未來(lái)12個(gè)月,NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiable demand)來(lái)形容,因此對(duì)下半年NAND市場(chǎng)抱持樂(lè)觀正面看法。
2013-06-21 11:07:091147

英特爾代工策略:提升開(kāi)工率為14納米競(jìng)爭(zhēng)搶時(shí)間

 英特爾開(kāi)放芯片代工,或是為緩解因PC下滑導(dǎo)致的工廠開(kāi)工率大降,抑或是通過(guò)開(kāi)放代工與ARM廠商進(jìn)行戰(zhàn)略合作的敲門磚。近日,英特爾新任CEO科再奇在英特爾投資者大會(huì)上表示,英特爾的芯片代工廠面向所有芯片企業(yè)開(kāi)放。這被業(yè)界視為英特爾轉(zhuǎn)型的一個(gè)重要標(biāo)志。
2013-11-28 09:36:42831

裁員2400人,存儲(chǔ)芯片廠商寒冬已然來(lái)臨!

吉爾表示:“20納米移動(dòng)DRAM解決方案執(zhí)行不力。關(guān)于他們能否在3D NAND芯片領(lǐng)域有良好的執(zhí)行,目前也沒(méi)有太大的信心?!?/div>
2016-07-01 14:19:152123

擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

美國(guó)內(nèi)存大廠(Micron)合并華亞科技后,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為DRAM 生產(chǎn)基地,內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo),并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步,去年及今年
2017-02-13 11:44:261043

計(jì)劃再投20億美元興建3D DRAM封測(cè)廠

華亞科并入后,本月正式更名為臺(tái)灣分公司桃園廠,也計(jì)劃擴(kuò)大投資臺(tái)灣,將在臺(tái)中建立后段DRAM封測(cè)廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購(gòu)達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動(dòng)。
2017-03-07 09:18:031065

三星加碼10兆韓元用于擴(kuò)大代工產(chǎn)能

半導(dǎo)體景氣復(fù)甦,大廠紛紛加碼投資。三星明年加碼10兆韓元用于擴(kuò)大半導(dǎo)體制造能量,鎖定提升DRAM、NAND芯片與代工產(chǎn)能。市場(chǎng)解讀,三星布局,意在與SK海力士、、臺(tái)積電等同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。
2020-11-25 10:04:343499

新突破!宣布批量出貨1α工藝節(jié)點(diǎn)DRAM

于所有類型的DRAM,有望顯著降低DRAM成本。 到目前為止,已將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到了1Znm節(jié)點(diǎn),該節(jié)點(diǎn)既提供高位密度(較低的單位成本)又提供高性能。光表示,從利潤(rùn)和產(chǎn)品組合角度來(lái)說(shuō),現(xiàn)在的感覺(jué)相當(dāng)好。的1α制造工藝預(yù)計(jì)將比1Z(成熟的成品
2021-01-27 15:37:313660

短缺 東芝準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm制造廠

東芝官網(wǎng)顯示,3月10日,東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息,表示準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm制造廠。據(jù)其披露,東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm生產(chǎn)線,以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力,該生產(chǎn)線計(jì)劃于2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò),東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520

三星/SK海力士DRAM大幅擴(kuò)產(chǎn),恢復(fù)至削減前水平,存儲(chǔ)新周期開(kāi)啟

出,三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM投入量調(diào)升至60萬(wàn)片,環(huán)比增長(zhǎng)13%;預(yù)計(jì)下半年DRAM投入量增加至66萬(wàn)片,DRAM產(chǎn)量恢復(fù)到削減前的水平。SK海力士將把每月平均DRAM投入量從第一季度的39萬(wàn)片增加到第二季度的41萬(wàn)片;下半年預(yù)計(jì)該公司
2024-04-12 00:05:006369

宣布:停止移動(dòng) NAND開(kāi)發(fā),包括終止UFS5開(kāi)發(fā)

產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),包括終止UFS5的開(kāi)發(fā)。 此項(xiàng)決策僅影響全球移動(dòng) NAND 產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作,繼續(xù)開(kāi)發(fā)并支持其他 NAND 解決方案,如SSD和面向汽車及其他終端市場(chǎng)的NAND解決方案。還將繼續(xù)在全球范圍內(nèi)開(kāi)發(fā)和支持移動(dòng) DRAM 市場(chǎng),并提供業(yè)界領(lǐng)先的 DRAM 產(chǎn)品組合。
2025-08-12 13:39:302945

NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯  觀點(diǎn):盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響,但市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng),其市場(chǎng)份額首次突破20%大。這是其
2012-09-24 17:03:43

會(huì)漲價(jià)嗎

單恐不可避免,在客戶端可能面臨庫(kù)存調(diào)整之下,代工產(chǎn)業(yè)下半年恐旺季不旺。 臺(tái)積電第2季營(yíng)收估達(dá)101至104億美元,季減2.04至季增0.87%,仍有機(jī)會(huì)續(xù)寫(xiě)新猷,雙續(xù)站穩(wěn)高檔;雖然客戶需求
2020-06-30 09:56:29

的基本原料是什么?

` 硅是由石英沙所精練出來(lái)的,便是硅元素加以純化(99.999%),接著是些純硅制成硅棒,成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料,經(jīng)過(guò)照相制版,研磨,拋光,切片等程序,多晶硅融解拉出單晶硅
2011-09-07 10:42:07

針測(cè)制程介紹

不良品,則點(diǎn)上一點(diǎn)紅墨水,作為識(shí)別之用。除此之外,另一個(gè)目的是測(cè)試產(chǎn)品的良,依良的高低來(lái)判斷制造的過(guò)程是否有誤。良品率高時(shí)表示制造過(guò)程一切正常, 若良品率過(guò)低,表示在制造的過(guò)程中,有
2020-05-11 14:35:33

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

,大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加,一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)達(dá)40%-45%,而NAND技術(shù)從40nm到16nm,再到64層3D技術(shù),一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前
2018-09-20 17:57:05

什么?如何制造單晶的?

納米到底有多細(xì)微?什么?如何制造單晶的?
2021-06-08 07:06:42

什么是測(cè)試?怎樣進(jìn)行測(cè)試?

的設(shè)計(jì)人員被要求測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列。測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效,例如在芯片參數(shù)評(píng)估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序,另外也可以隔行測(cè)試上的芯片,或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試。`
2011-12-01 13:54:00

全球10大DRAM廠商排名

***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品,2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

時(shí)間回到2018年第一季度,三星、東芝、等公司的NAND芯片利潤(rùn)是40%,但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降,據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50%,而根據(jù)分析師表示,未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27

封裝測(cè)試廠淘汰的廢舊QFN、PLCC、BGA、CSP、WL-CSP

`***高價(jià)大量求購(gòu)大量各種品牌Nand Flash/DRAM/DDR2/DDR3/GOOD DIE/INK DIE WAFERtF,SD卡(如三星,東芝,,SANDISK)各種品牌U盤
2020-12-29 08:27:02

淺析DRAMNand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

清華紫光與武漢新芯組最強(qiáng)CP 劍指

強(qiáng)敵三星。一直以來(lái),NAND FLASH的芯片都是由三星、東芝/閃迪、、SK海力士5家大廠“壟斷”,占據(jù)整個(gè)市場(chǎng)的70%份額;只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場(chǎng)策略變化,都直接影響到市場(chǎng)特別是
2016-07-29 15:42:37

是什么?硅有區(qū)別嗎?

眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件,做在一個(gè)微小面積上,以完成某一特定邏輯功能,達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來(lái)的,便是硅元素加以純化(99.999
2011-12-02 14:30:44

Micron公司因其DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新

Micron公司因其DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng) 科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236

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FormFactor針對(duì)DRAM市場(chǎng)推出12吋全測(cè)試 FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng),推出新一代12吋全接觸探針卡─SmartMatrix™ 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運(yùn)用FormFactor Mi
2009-12-11 09:17:14951

韓國(guó)太陽(yáng)能電池廠商的設(shè)備開(kāi)工率恢復(fù)至67.2%

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2010-02-04 09:22:22410

傳斥資150億 入股爾必達(dá)

(Micron)傳斥資至少5億美元(約新臺(tái)幣150億元)入股爾必達(dá)(Elpida),最快2月定案,成為此波DRAM市況不振下,首樁業(yè)界整合案例。、爾必達(dá)分別是南科、華亞科,以及力、瑞
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NAND閃存市占新突破,首次超過(guò)20%

光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%, 營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng),使得排名第三的縮小與第二名東芝之間的差距。
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英特爾的芯片工廠開(kāi)工率已調(diào)低至50%以下,這將有助于為未來(lái)的14納米芯片技術(shù)留出空間,但部分產(chǎn)能確實(shí)已經(jīng)處于閑置狀態(tài)。
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開(kāi)工率不足20% 我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)面臨三重壓力

目前,90%產(chǎn)品依賴出口的中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)面臨著歐美終端市場(chǎng)關(guān)門、低價(jià)多晶硅進(jìn)口沖擊、新興市場(chǎng)仍待成熟等三重壓力。目前,多晶硅行業(yè)開(kāi)工率不足20%。
2012-10-24 11:24:351027

PC市場(chǎng)無(wú)法復(fù)蘇 AMD大幅削減訂單

PC市場(chǎng)減速持續(xù)發(fā)酵,AMD準(zhǔn)備大幅削減訂單,AMD預(yù)計(jì)明年下半年有望再度創(chuàng)造正規(guī)現(xiàn)金流。
2012-12-11 09:22:45519

深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草?

DRAMNAND芯片提供商(Micron)仍在困境中掙扎,6個(gè)季度的虧損,3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?
2012-12-23 12:31:131400

CEO:與大陸合資NAND Flash可能比較合理

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,在華亞科入并,外界關(guān)注陸廠是否可能與光合作,CEO德肯(Mark Durcan)認(rèn)為,在DRAM的部分,依照現(xiàn)況并不那么可行,在NAND Flash方面或許比較合理,但還是要視各方需求與條件而定。
2016-12-13 09:54:32683

高階制程、3D NAND Flash推升12寸代工產(chǎn)能需求

Siltronic均傳出調(diào)漲2017年第1季12寸硅價(jià)格約10~20%,包括臺(tái)積電、聯(lián)電、(Micron)等半導(dǎo)體大廠都被迫買單。面對(duì)半導(dǎo)體硅產(chǎn)業(yè)恐醞釀近16年來(lái)最大一波景氣向上循環(huán),業(yè)界紛關(guān)注硅后續(xù)價(jià)格走勢(shì)。
2016-12-21 09:30:561358

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

起訴臺(tái)灣聯(lián)電,離職員工攜帶機(jī)密跳槽聯(lián)電

美國(guó)記憶體大廠 (Micron)在臺(tái)灣控告代工大廠聯(lián)電 (UMC),表示聯(lián)電透過(guò)離職員工竊取 DRAM 相關(guān)機(jī)密商業(yè)資料而遭檢方起訴之后, 6 日又在美國(guó)加州地方法院提起民事訴訟,控告聯(lián)電及其技術(shù)協(xié)助的福建晉華侵害該公司的 DRAM 專利技術(shù)。
2017-12-07 18:33:412998

關(guān)于與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話,將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局,對(duì)將是巨大的威脅。英特爾和美都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)的SSD和DRAM, 之后 英特爾可能更注重PC市場(chǎng),則是服務(wù)器市場(chǎng)。
2018-06-29 10:32:003400

雖然DRAMNAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì),但繼續(xù)看好

雖然近期DRAMNAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì),但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商(Micron)昨日宣布調(diào)升2018年會(huì)計(jì)年度第二季(去年12月1日至今年3月
2018-07-06 11:56:00729

資料顯示,DRAM存儲(chǔ)器強(qiáng)力推動(dòng)的導(dǎo)入推動(dòng)產(chǎn)能高于平均水準(zhǔn)

根據(jù)市場(chǎng)研究公司IC Insights的資料,新的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線——特別是DRAM存儲(chǔ)器的導(dǎo)入,預(yù)計(jì)推動(dòng)2018年和2019年的總產(chǎn)能高于平均水準(zhǔn)。
2018-07-06 12:51:001300

業(yè)務(wù)分析和展望:持續(xù)推進(jìn)DRAMNAND Flash技術(shù)發(fā)展

分析師及投資者大會(huì)上,針對(duì)其業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)行了分析和展望。認(rèn)為未來(lái)美業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵在于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域,且看好市場(chǎng)需求呈現(xiàn)翻倍的增長(zhǎng)。
2018-08-22 16:40:411484

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)。
2018-12-21 11:15:054225

DRAM價(jià)格壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售

先前反壟斷局針對(duì)DRAM三大業(yè)者,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及(Micron)展開(kāi)反壟斷嫌疑調(diào)查,據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落,調(diào)查與開(kāi)罰的理由,也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036

臺(tái)積電發(fā)表聲明出問(wèn)題是供應(yīng)商供應(yīng)的阻原料不符規(guī)格造成

代工廠臺(tái)積電今天針對(duì) 14B 廠發(fā)生偏低問(wèn)題再次發(fā)表聲明,表示主要是 12 納米及 16 納米出問(wèn)題,是供應(yīng)商供應(yīng)的阻原料不符規(guī)格造成。
2019-01-30 15:44:283909

協(xié)鑫徐州大項(xiàng)目恢復(fù)開(kāi)工 總投資為達(dá)150億元

近日,徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道,協(xié)鑫徐州大項(xiàng)目從正月初五開(kāi)始,工廠恢復(fù)開(kāi)工。
2019-02-17 10:48:308432

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商,近日,召開(kāi)了2019年投資者大會(huì),在大會(huì)中上,展示了DRAMNAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化 同步減產(chǎn) DRAMNAND Flash

對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

關(guān)于DRAM路線圖分析

DRAM制造商采用EUVL工具很可能與邏輯生產(chǎn)商(臺(tái)積電,三星代工(邏輯芯片的合約制造商,而不是DRAM制造商)的采用類似):最初的EUV設(shè)備僅用于幾層,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的增加,層數(shù)逐漸增加。ASML估計(jì),對(duì)于DRAM,一個(gè)EUV層每月需要每100,000個(gè)啟動(dòng)1.5到2個(gè)EUV系統(tǒng)。
2019-08-27 10:36:134037

科技正式宣布采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前系存儲(chǔ)器大廠科技(Micron)正式宣布,采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223762

推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù) 4X (LPDDR4X) DRAM。16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當(dāng)前和下一代移動(dòng)設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將開(kāi)始

的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn),慢建新產(chǎn)線。下半年開(kāi)始NAND Flash價(jià)格明顯止跌,近期三星、SK海力士、等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競(jìng)賽,一些新的工廠開(kāi)始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營(yíng),這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)什么變化?又是否是中國(guó)的機(jī)遇?
2019-10-12 10:01:221136

英特爾與簽署3D XPoint存儲(chǔ)新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142526

半導(dǎo)體推出Ultra C清洗系列新產(chǎn)品,可對(duì)進(jìn)行高產(chǎn)能清洗

。Ultra C VI旨在對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和3D NAND閃存進(jìn)行高產(chǎn)能清洗,以實(shí)現(xiàn)縮短存儲(chǔ)產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。這款新產(chǎn)品以盛成熟的多腔體技術(shù)為基礎(chǔ),進(jìn)一步擴(kuò)展了清洗設(shè)備產(chǎn)品線
2020-06-29 14:52:514831

量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15%

的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進(jìn),或者說(shuō)1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片,尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5,相比于1z工藝可以容量密度增加多達(dá)40%,同時(shí)還能讓功耗降低15%
2021-01-27 17:28:332298

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

uMCP5。uMCP5高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存和存儲(chǔ)集成在一個(gè)緊湊的封裝中,使智能手機(jī)能夠應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)密集型5G工作負(fù)載,顯著提升速度和功效。 量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

DRAMNAND的有什么樣的區(qū)別

DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAMNAND之間有什么區(qū)別呢?DRAMNAND的工作原理分別是什么呢?如果你對(duì)DRAMNAND具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915

EUV工藝已拉響戰(zhàn)局 計(jì)劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

計(jì)劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項(xiàng)目的申請(qǐng),持續(xù)加碼投資 DRAM,將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。 據(jù)悉,目前光在臺(tái)灣地區(qū)布局,包括中科的前段制造 A1、A2 廠和后段
2021-02-27 12:09:393676

科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 科技表示,與的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比,176 層 NAND 數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲縮短了 35% 以上。的 176 層
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

桃園內(nèi)存DRAM廠斷電

科技與華亞科技正式合并,慶祝典禮在桃園舉行,因此成為在臺(tái)灣地區(qū)投資額最大的外資廠商。早在 2017 年,桃園廠區(qū)發(fā)生過(guò)氣體污染,造成約 6 萬(wàn)片報(bào)廢。 科技公司是美國(guó)一家總部位于愛(ài)達(dá)荷州波夕的半導(dǎo)體制造公司,于 1978 年由 Ward Parkinson、Joe Parkinson、
2020-12-04 10:03:251726

與硅:產(chǎn)業(yè)鏈信息量這么大,您真的都懂么

目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。目前對(duì)12寸需求最強(qiáng)的是存儲(chǔ)芯片(NANDDRAM),8寸更多的是用于汽車電子等領(lǐng)域。
2020-12-24 15:21:321482

美國(guó)美科技開(kāi)始提速EUV DRAM

光是繼三星電子和SK海力士之后,以20%的全球市占排第三的DRAM廠商。本月初時(shí)臺(tái)灣DRAM工廠還因停電一小時(shí)導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時(shí)較好業(yè)績(jī)備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域,也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。
2020-12-30 09:44:022535

聞泰科技12英寸車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體制造中心項(xiàng)目正式開(kāi)工

本周一(4日),2021年上海市重大項(xiàng)目開(kāi)工儀式順利舉行,臨港新片區(qū)10個(gè)投資額超10億元的產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目參加此次集中開(kāi)工儀式,其中,聞泰科技12英寸車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體制造中心項(xiàng)目正式開(kāi)工。
2021-01-04 16:19:223950

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

:市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求將有增無(wú)減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年

集微網(wǎng)消息,據(jù)MoneyDJ報(bào)道,存儲(chǔ)器大廠執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示,今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動(dòng)相關(guān)應(yīng)用,加上車用快速回溫,DRAM供不應(yīng)求,目前部分DRAM
2021-01-28 15:54:452392

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或但覆蓋所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

如何把控芯片的良?

今天查閱了一下的控制,的成本和能否量產(chǎn)最終還是要看良。的良十分關(guān)鍵,研發(fā)期間,我們關(guān)注芯片的性能,但是量產(chǎn)階段就必須看良,有時(shí)候?yàn)榱肆?b class="flag-6" style="color: red">率也要減掉性能。 那么什么是的良
2021-03-05 15:59:508333

NANDDRAM市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r預(yù)測(cè)

上周,科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到,可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NANDDRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:173503

內(nèi)存寡頭光會(huì)不會(huì)增產(chǎn)DRAM

減少。隨著英特爾與SK Hynix和Kioxia(東芝 NAND)以及西部數(shù)據(jù)尋求合并,NAND行業(yè)減少到4家。 雖然由于PC庫(kù)存問(wèn)題和價(jià)格小幅下跌,確實(shí)可能在最后一個(gè)季度下跌,但他們電話會(huì)議中最令人不安的言論是關(guān)于供應(yīng)。被問(wèn)及他們的位元增
2021-11-21 15:39:472370

存儲(chǔ)器4Q寒氣蔓延 第3季NAND跌價(jià)約達(dá)3成以上

NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后,市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌,第3季NAND跌價(jià)約達(dá)3成以上,相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%,由于終端備貨消極,晶圓廠報(bào)價(jià)持續(xù)探底,市場(chǎng)預(yù)估第4季NAND價(jià)格跌幅再季減20%。
2022-11-01 12:36:27887

減少20%存儲(chǔ)芯片供應(yīng) 并再次下調(diào)資本支出

據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,存儲(chǔ)大廠近日表示,正采取進(jìn)一步的動(dòng)作來(lái)應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)情況,包含減少DRAMNAND產(chǎn)量,本季將比上季減少20%左右,并計(jì)劃進(jìn)一步削減資本支出。 昨日發(fā)布的聲明指出,正在
2022-11-17 11:27:341465

200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤2550 SSD正式出貨

發(fā)布的官方新聞稿,該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過(guò)200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤2550 SSD,該SSD采用232層NAND技術(shù),采用PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-08 16:19:191261

加大減產(chǎn)力度至30% 減產(chǎn)持續(xù)至2024年

公司表示,雖然2023年業(yè)界需求預(yù)測(cè)還處于較低水平,但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場(chǎng)。去年11月,公司宣布存儲(chǔ)器半導(dǎo)體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績(jī)內(nèi)容,公司致力于庫(kù)存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié),最近dramnand晶片的開(kāi)工率減少了近30%,并預(yù)測(cè)減產(chǎn)持續(xù)到2024年。
2023-06-30 11:05:271078

宣布減產(chǎn)至30%!

稱,2023 年的行業(yè)需求預(yù)測(cè)目前較低,但整個(gè)行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開(kāi)始穩(wěn)定市場(chǎng)。去年 11 月份,宣布存儲(chǔ)芯片減產(chǎn) 2 成。財(cái)報(bào)內(nèi)容顯示,專注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng),近期 DRAMNAND 開(kāi)工率進(jìn)一步減少至近 30%,預(yù)計(jì)減產(chǎn)持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

8英寸硅市場(chǎng)長(zhǎng)期需求前景仍具有彈性

方略表示:“預(yù)計(jì)2023年下半年工廠的開(kāi)工率將相差無(wú)幾,但世界專家樂(lè)觀地認(rèn)為,隨著庫(kù)存調(diào)整和世界經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,今后8英寸工廠的開(kāi)工率將會(huì)上升?!狈铰员硎荆D(zhuǎn)包工廠超過(guò)40%的長(zhǎng)期總利率目標(biāo)是可以實(shí)現(xiàn)的。
2023-08-03 12:26:411278

三星削減NANDDRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

商務(wù)部部長(zhǎng)會(huì)見(jiàn)CEO:歡迎繼續(xù)扎根中國(guó)市場(chǎng)

目前,公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠,在上海運(yùn)營(yíng)尖端ssd和移動(dòng)nand產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中心。公司還在中國(guó)經(jīng)營(yíng)著三家客戶研究所
2023-11-03 14:28:021197

ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng),該系統(tǒng)主要針對(duì)嵌入式處理器、DRAMNAND 等應(yīng)用的測(cè)試

的嵌入式處理器(如用于機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能或數(shù)據(jù)中心的? CPU? 和? GPU )和高并行性 測(cè)試(如? DRAM? 和? NAND )等應(yīng)用進(jìn)行溫度針測(cè)時(shí),需要耗散大量
2023-11-14 14:41:49951

dramnand的區(qū)別

dramnand的區(qū)別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547

預(yù)計(jì)2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商科技發(fā)布了《車用存儲(chǔ)大趨勢(shì)白皮書(shū)》。該白皮書(shū)深入探討了未來(lái)五年內(nèi)車用存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)趨勢(shì)和預(yù)測(cè)。根據(jù)預(yù)測(cè),到2025年,每輛汽車搭載高達(dá)16GB的DRAM
2024-02-02 15:41:131471

重慶域科技制造中心項(xiàng)目開(kāi)工,填補(bǔ)產(chǎn)業(yè)空白

據(jù)了解,于2022年7月26日,重慶市經(jīng)信委、巴南區(qū)政府與西安奇芯公司簽署了關(guān)于光電子集成高端硅基項(xiàng)目的投資協(xié)議,冉光電子集成制造中心項(xiàng)目確定北京市數(shù)智產(chǎn)業(yè)園區(qū)作為基地,計(jì)劃打造重慶新型光電子集成產(chǎn)業(yè)園及域科技制造中心。
2024-02-23 15:51:416332

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會(huì)上,詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:241316

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

三星西安NAND開(kāi)工率回升至70%

三星電子,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),近期在其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開(kāi)工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察和快速響應(yīng),也凸顯了中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)回暖以及全球半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:261306

三星電子NAND開(kāi)工率已提高至90%

據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露,近期三星電子NAND開(kāi)工率已提高至90%,此前存儲(chǔ)行業(yè)衰退時(shí)三星開(kāi)工率一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或竣工

近期發(fā)布公告,斥資45至55億美元在日本廣島建設(shè)DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設(shè)備,預(yù)計(jì)最早于2027年末實(shí)現(xiàn)先進(jìn)DRAM量產(chǎn)。
2024-05-28 16:38:401923

日本廣島DRAM新廠預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計(jì)劃。據(jù)悉,計(jì)劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在2026年初破土動(dòng)工,最快有望在2027年底前完成廠房建設(shè)、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝,并正式投入營(yíng)運(yùn)。
2024-06-14 09:53:101341

鎧俠NAND閃存生產(chǎn)恢復(fù)

近日,據(jù)日本媒體報(bào)道,知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠(Kioxia)已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開(kāi)工率提升至100%。這一舉措標(biāo)志著鎧俠在經(jīng)歷了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)周期后,其NAND閃存生產(chǎn)已正式恢復(fù)正?;?/div>
2024-06-18 16:48:511208

三星、SK海力士通用DRAM產(chǎn)線開(kāi)工率維持80%~90%

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè),三星電子和SK海力士?jī)纱箜n國(guó)巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場(chǎng)的重要地位。然而,近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱,這兩大巨頭的通用DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)產(chǎn)線開(kāi)工率目前維持在80%~90%的水平,顯示出市場(chǎng)供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

制造良限制因素簡(jiǎn)述(2)

相對(duì)容易處理,并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將斷裂降至低水平。然而,砷化鎵并不是那么堅(jiān)韌,斷裂是主要的限制因素。在砷化鎵制造線上,電路的售價(jià)很高,通常會(huì)處理部分。
2024-10-09 09:39:421473

淺談?dòng)绊?b class="flag-6" style="color: red">晶分選良的因素(2)

制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響分選良。在制造區(qū)域,通過(guò)抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到,因此在一些問(wèn)題上被傳遞。這些問(wèn)題在分選中顯現(xiàn)為失敗的設(shè)備。
2024-10-09 09:45:301672

制造良限制因素簡(jiǎn)述(1)

下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良列在第3列,累積良列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良計(jì)算的累積fab良與通過(guò)fab外的數(shù)量除以fab線開(kāi)始的數(shù)量計(jì)算的良相同
2024-10-09 09:50:462094

調(diào)整NAND生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩

正在迅速而果斷地采取行動(dòng),以降低資本支出并削減產(chǎn)量,從而維護(hù)市場(chǎng)的供應(yīng)紀(jì)律。具體措施包括NAND啟動(dòng)較此前水平下調(diào)10%,并減慢制程節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)移速度。 展望未來(lái),預(yù)計(jì)其NAND比特出貨量在結(jié)束于2025年2月末的第二財(cái)季中將出現(xiàn)顯著的環(huán)比下
2024-12-26 14:30:47933

科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計(jì)今年繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,近期具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

三星大幅削減2025年代工投資

近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策,大幅削減代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度超過(guò)一半。 具體來(lái)說(shuō),三星代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬(wàn)億韓元
2025-01-23 14:36:19861

甩干機(jī)如何降低碎片

的碎片都可能對(duì)芯片的性能和可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響,導(dǎo)致產(chǎn)品良下降。因此,如何有效地降低甩干機(jī)的碎片成為了半導(dǎo)體行業(yè)亟待解決的重要問(wèn)題。 甩干機(jī)如何降低碎片 一、設(shè)備優(yōu)化 機(jī)械結(jié)構(gòu)改進(jìn) 優(yōu)化夾持系統(tǒng):設(shè)
2025-03-25 10:49:12767

Micron科技深耕中國(guó)20多年,全產(chǎn)業(yè)鏈布局

? 全球領(lǐng)導(dǎo)廠商,創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來(lái) 科技(Micron Technology)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)軍者,旗下?lián)碛?Micron 和Crucial 兩大品牌,專注于 DRAM、NAND和NOR
2025-04-15 16:55:315167

攻克存儲(chǔ)芯片制造瓶頸:高精度切割機(jī)助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升

在存儲(chǔ)芯片(DRAM/NAND)制造中,劃片是整片晶分割成單個(gè)芯片(Die)的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、日益變?。ㄓ绕鋵?duì)于高容量3DNAND),傳統(tǒng)劃片工藝帶來(lái)
2025-08-08 15:38:061028

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