近來(lái)，DRAM和NAND Flash全球價(jià)格雙雙下跌。對(duì)于存儲(chǔ)芯片廠商來(lái)說(shuō)，這個(gè)冬天不好過(guò)，有的緊衣縮食，有的報(bào)團(tuán)取暖。展望2019年，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是否還會(huì)持續(xù)低迷？

經(jīng)過(guò)兩年多的漲價(jià)潮，DRAM的風(fēng)光不再，10月份調(diào)研報(bào)告顯示DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%。今年第四季DRAM價(jià)格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價(jià)甚至出現(xiàn)二次下跌的狀況，預(yù)計(jì)2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅將持續(xù)擴(kuò)大。

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）的分析，2018年NAND Flash供應(yīng)商3D 64層產(chǎn)品良率穩(wěn)定，產(chǎn)出高于預(yù)期。由于淡季影響，加上市場(chǎng)庫(kù)存水位仍高，供過(guò)于求的情況只會(huì)更加顯著，預(yù)估第一季NAND Flash合約價(jià)將再進(jìn)一步走跌，跌幅約10%。

事實(shí)上，從今年第1季度以來(lái)，NAND Flash價(jià)格就止不住下滑了，其第3季度行業(yè)產(chǎn)值僅為170億美元，環(huán)比只增長(zhǎng)了4.4%，NAND閃存價(jià)格卻降了10-15%。

三星/SK海力士/美光紛紛減產(chǎn)

12月24日，根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子第4季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)恐不如預(yù)期，將較去年同期呈現(xiàn)下滑。韓國(guó)當(dāng)?shù)胤治鰩燁A(yù)期，截至12月底的一季，韓國(guó)科技巨頭三星電子的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為13.9萬(wàn)億韓元 （123億美元 ），去年同期為15.1萬(wàn)億韓元（133.6億美元），降幅為7.6%。三星電子第3季的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為17.57萬(wàn)億韓元（155.5億美元）。

SEMI預(yù)計(jì)，與今年相比，韓國(guó)半導(dǎo)體公司的資本支出明年將減少34.7%。根據(jù)最新報(bào)告，明年內(nèi)存芯片制造商的資本支出預(yù)計(jì)將下降19%，而不是此前預(yù)測(cè)的增長(zhǎng)3%。DRAM方面預(yù)計(jì)下降23%，NAND Flash方面預(yù)計(jì)下降13%。三星電子可能會(huì)減少對(duì)平澤的P1和P2設(shè)施以及華城的S3的投資。

另一邊，SK海力士在此前的2018Q3財(cái)報(bào)會(huì)議上亦表示，將調(diào)整在2019年第1季末開(kāi)始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的M15工廠產(chǎn)能，以降低SK海力士對(duì)DRAM的依賴。而位于無(wú)錫的C2工廠，也將把原來(lái)2y（20nm）和2z（20nm）的DRAM生產(chǎn)制程，優(yōu)化成1xnm（10nm后期）的產(chǎn)品，以降低生產(chǎn)成本，并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于，以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器為主的M11工廠，則將把2D NAND Flash轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)3D NAND Flash，也是因?yàn)榫蜕a(chǎn)成本來(lái)進(jìn)行的考量。

除了三星本季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)不如預(yù)期，美光財(cái)年第1季財(cái)報(bào)表現(xiàn)也堪憂，在DRAM與NAND Flash產(chǎn)品銷售同步衰退下，季營(yíng)收滑落至79.13億美元，毛利率59%，每股純益2.97美元。

美光宣布將調(diào)降明年資本支出，縮減12.5億美元降至95億美元，因應(yīng)市場(chǎng)需求減少下，減少芯片的產(chǎn)量，三大存儲(chǔ)器大廠拉響警報(bào)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)前景蒙上陰霾。

面對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)低迷，三大廠商除了采取減產(chǎn)措施以外，還在積極拓展其他業(yè)務(wù)。三星方面，積極研發(fā)新存儲(chǔ)技術(shù)，比如MRAM；同時(shí)還加大了對(duì)車軌MLCC的生產(chǎn)。SK海力士方面，正在加大晶圓代工業(yè)務(wù)，比如11月增資1000萬(wàn)美元無(wú)錫晶圓代工廠。美光方面，為了應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)低迷的狀況，以15億美元收購(gòu)英特爾股份并全資控股IF Flash，繼續(xù)研發(fā)3-D XPoint技術(shù)。

除以上三大廠商外，其他存儲(chǔ)廠商也都會(huì)受到波及，比如中國(guó)大陸的紫光存儲(chǔ)。

紫光/群聯(lián)報(bào)團(tuán)取暖

在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)低迷之時(shí)，12月24日，群聯(lián)電子與紫光存儲(chǔ)科技有限公司在北京簽署戰(zhàn)略合作協(xié)定，將在存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)鏈、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、代工生產(chǎn)等領(lǐng)域全面深化合作，建立密切的合作伙伴關(guān)系，充分發(fā)揮各自行業(yè)優(yōu)勢(shì)，促進(jìn)雙方業(yè)務(wù)發(fā)展和產(chǎn)品延伸，實(shí)現(xiàn)生態(tài)共贏。

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯的快速崛起，將成為大陸首家最快量產(chǎn)64層3D儲(chǔ)型快閃存儲(chǔ)（ NAND Flash）指標(biāo)廠。從今年長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式產(chǎn)出38層的3D NAND Flash開(kāi)始，紫光集團(tuán)就入股多家快閃存儲(chǔ)控制芯片公司，一度傳出群聯(lián)也在收購(gòu)名單之列，但雙方價(jià)格一直沒(méi)談妥，不過(guò)群聯(lián)也支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)的芯片，協(xié)助進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)而導(dǎo)入在IC芯片卡應(yīng)用。

群聯(lián)這次和紫光存儲(chǔ)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，就是看好大陸全力發(fā)展自主存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的商機(jī)。根據(jù)這次的協(xié)議，雙方將深化開(kāi)展生產(chǎn)、銷售存儲(chǔ)產(chǎn)品與服務(wù)層面的合作，打造完整、高效的商業(yè)鏈條，著力聯(lián)合開(kāi)發(fā)創(chuàng)新存儲(chǔ)產(chǎn)品，協(xié)作開(kāi)拓全球市場(chǎng)。

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成坦言，透過(guò)雙方合作，可全面發(fā)揮資源和能力互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)，打造共贏的業(yè)務(wù)生態(tài)。

供應(yīng)鏈指出，紫光集團(tuán)明年將正式跨入NAND Flash產(chǎn)業(yè)，且明年下半年就能進(jìn)入到64層的3D NAND量產(chǎn)，腳步相當(dāng)迅速，由于NAND Flash必須搭配控制IC才能使用，因此紫光集團(tuán)的新產(chǎn)能就成為群聯(lián)搶先合作的目標(biāo)。

南亞科/華邦電面臨沖擊

臺(tái)廠在這一波存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)面臨衰退的情況中，恐將面臨嚴(yán)格的沖擊，南亞科11月合并營(yíng)收12.07億元，月減19.7%，創(chuàng)13個(gè)月來(lái)單月?tīng)I(yíng)收新低，累計(jì)前十一個(gè)月合并營(yíng)收178.5億元；因DRAM出貨量及價(jià)格下滑，南亞科調(diào)整第4季單季銷售量，將較上季減少約15%，無(wú)法達(dá)成原預(yù)期的持平目標(biāo)。

華邦電11月合并營(yíng)收8.98億元，月減3.22%，年減10.12%，創(chuàng)9個(gè)月新低；旺宏11月合并營(yíng)收6.8億元，創(chuàng)7月以來(lái)低點(diǎn)，月減21.8% ，年減7.4%。

研調(diào)機(jī)構(gòu)看淡存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，集邦科技預(yù)估，第4季DRAM價(jià)格跌幅超乎預(yù)期， 平均售價(jià)下跌近8%，明年第1季DRAM合約價(jià)格跌幅擴(kuò)大，預(yù)估將達(dá)10%以上， NAND Flash價(jià)格也是下跌。

面對(duì)價(jià)格下跌及需求趨緩的雙重隱憂，業(yè)內(nèi)人士擔(dān)憂臺(tái)廠相關(guān)存儲(chǔ)器廠的營(yíng)運(yùn)恐將面臨更大的壓力，從南亞科、華邦電及旺宏11月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)來(lái)看，第4季到明年首季，可能面臨相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)低迷，你怎么看？

DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然，內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過(guò)這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止，降價(jià)的勢(shì)頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時(shí)，NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期，以致市場(chǎng)供過(guò)于求，價(jià)格連續(xù)走跌。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲觀，供應(yīng)商端也理性控制產(chǎn)出，不認(rèn)為明年在報(bào)價(jià)上會(huì)有劇烈的波動(dòng)，中美貿(mào)易戰(zhàn)之國(guó)際局勢(shì)將是影響市場(chǎng)的最大關(guān)鍵因素。

李培瑛分析，全球電子產(chǎn)品走向智能化，存儲(chǔ)器是最關(guān)鍵的零組件，需求面沒(méi)有太悲觀。供給方面，DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在變得比較理性。預(yù)期明年雖有季節(jié)性變化，尚不會(huì)有急劇跌價(jià)的問(wèn)題，明年DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)出現(xiàn)合理的調(diào)整，估計(jì)會(huì)持續(xù)緩跌一季或者二季。

十銓科技***理陳慶文表示，目前看DRAM、NAND Flash明年價(jià)格將雙雙跌價(jià)，價(jià)格跌幅都恐達(dá)三成，預(yù)計(jì)明年上半年價(jià)格跌勢(shì)較為明顯，明年第三季起，隨著5G帶動(dòng)服務(wù)器需求，產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)觸底反彈，明年下半年價(jià)格有機(jī)會(huì)逐步止跌。

陳慶文指出，當(dāng)下要維持營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)的確具有挑戰(zhàn)性，但往往跌勢(shì)之際是危機(jī)也是契機(jī)，看好因?yàn)閮r(jià)格下跌將刺激需求爆發(fā)，尤其SSD的單位價(jià)格將快速與傳統(tǒng)硬盤(pán)拉近，最快明年下半年將出現(xiàn)黃金交叉，SSD的需求正式超越傳統(tǒng)硬盤(pán)，預(yù)期明年第三季度，隨著QLC NAND Flash良率穩(wěn)定之后，供應(yīng)量將會(huì)明顯提升，屆時(shí)對(duì)于市場(chǎng)的價(jià)格也會(huì)帶來(lái)影響。

威剛董事長(zhǎng)陳立白曾表示，明年DRAM因主要芯片制造商增產(chǎn)有限，價(jià)格仍會(huì)持穩(wěn);NAND Flash受各大廠軍備競(jìng)賽未歇，預(yù)料價(jià)格跌幅不亞于今年，預(yù)期NAND Flash上游廠明年有一半以上無(wú)法賺錢。

還有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，雖然存儲(chǔ)器價(jià)格下滑趨勢(shì)確立，但預(yù)估此次下滑趨勢(shì)應(yīng)不超過(guò) 18 個(gè)月，英特爾 14 nm x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會(huì)于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 應(yīng)于2019年下半年量產(chǎn)， AMD 7 nm x86 CPU， 7 nm挖礦機(jī)及智慧手機(jī)，5G 手機(jī)都將于2019年出籠取代中低階機(jī)種及對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此預(yù)估大多數(shù)的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司會(huì)面對(duì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)而言，面臨的處境更加嚴(yán)峻。隨著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)周期調(diào)整，中國(guó)廠商將有可能錯(cuò)失這一波市場(chǎng)機(jī)遇。加之存儲(chǔ)器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，前期如果沒(méi)有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商很難實(shí)現(xiàn)快速搶占市場(chǎng)份額。針對(duì)這種情況，國(guó)內(nèi)廠商也在嘗試不同的產(chǎn)品形態(tài)，如紫光的隱式指紋安全U盤(pán)、武漢新芯的特種工藝等。