SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 （SK Hynix ）已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)？
2016-10-15 22:21:291002 根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內(nèi)的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務(wù)之后
2020-11-11 10:12:403651 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前，韓媒報道SK海力士副總裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自動駕駛汽車，并強調(diào)SK海力士是Waymo自動駕駛汽車這項先進(jìn)內(nèi)存
2024-08-23 00:10:007956 全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
全球彌漫挖礦商機(jī)，各大顯示卡廠全力搶攻顯示卡市場，用于高端顯卡存儲器的 GDDR 市場也跟著水漲船高，成為各家存儲器大廠的兵家必爭之地。日前兩家韓系存儲器大廠三星及 SK 海力士分別推出最新規(guī)格
2018-06-14 10:36:001707 
SK海力士(SK Hynix Inc.)7月27日宣布將在公司總部(韓國京畿道利川市)興建新的半導(dǎo)體制造工廠、以滿足不斷增長的存儲器芯片需求。
2018-08-13 10:34:226810 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:103275 
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 全球第一的非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲器半導(dǎo)體強國發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21941 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲標(biāo)準(zhǔn)HBM2E，針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè)，集成這些技術(shù)可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:564565 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 據(jù)韓國先驅(qū)報報道，SK 海力士周一表示，該公司去年的非存儲器半導(dǎo)體銷售額增長了1.5倍，而內(nèi)存產(chǎn)品的銷售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 幾個月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列?，F(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:012830 據(jù)國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152718 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 據(jù)韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:446124 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版
hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對ai的
存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039 SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌，SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 尤其值得關(guān)注的是，HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器，由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn)，并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:311126 2024年1月3日，SK海力士宣布，公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會“國際消費電子產(chǎn)品展覽會（CES 2024）”，屆時展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲器技術(shù)實力。
2024-01-04 17:12:151445 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDIA）的AI GPU進(jìn)行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達(dá)對終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團(tuán)最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 韓國SK海力士公司周四透露，該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器（HBM）芯片供應(yīng)計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能（AI）熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。
2024-06-03 09:35:46944 雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，正嚴(yán)陣以待，積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力，再次成為業(yè)界的焦點。據(jù)最新報道，SK海力士計劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元（約合748億美元），用于存儲器芯片的生產(chǎn)與研發(fā)，這一舉措無疑是對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084 在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕，也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術(shù)革新，更將焦點對準(zhǔn)了下一代AI存儲器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告，這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市，尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動，導(dǎo)致SK海力士的股價應(yīng)聲下跌8.87%，但其財務(wù)表現(xiàn)卻創(chuàng)下了多項歷史新高，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313 近日，國際知名評級機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評級（S&P Global Ratings）宣布了一項重要決策，將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB，并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級，主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場的積極復(fù)蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042 據(jù)最新消息，SK海力士正攜手Waymo，為其標(biāo)志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器（HBM2E）技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動駕駛技術(shù)的日益普及，HBM不僅將在人工智能（AI）服務(wù)器領(lǐng)域大放異彩，更將逐漸滲透至汽車芯片市場，成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040 全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項重大人才招募計劃，旨在通過下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動，進(jìn)一步強化其在高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并積極擁抱人工智能（AI）半導(dǎo)體市場的迅猛增長浪潮。
2024-09-03 16:08:091785 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 韓國首爾，2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件（Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 在9月25日（當(dāng)?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321679 韓華精密機(jī)械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器（HBM）生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測試設(shè)備。
針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機(jī)械與SK海力士的HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:081445 韓國大型財團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品，具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力，對于提升計算機(jī)系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此，英偉達(dá)作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商，對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言，黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202 日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會長崔泰源透露，英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 堅實基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措，無疑將在全球半導(dǎo)體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品，其量產(chǎn)將有望推動整個半導(dǎo)體存儲行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力，也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096 3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團(tuán)隊的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上，更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993 近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
2025-05-23 13:54:361015 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 在人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141381 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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