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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

aigo固態(tài)U盤U396的優(yōu)勢(shì)及功能說明

在過去的三年里,華為折疊屏手機(jī)經(jīng)歷了快速迭代的發(fā)展階段,先后發(fā)布了橫向外折、橫向內(nèi)折、縱向折疊這三種不同折疊形態(tài)的手機(jī)產(chǎn)品,并在今年4月28日發(fā)布了具有“劃時(shí)代意義的大折疊”...

2022-05-24 標(biāo)簽:U盤AigoAigoUSSDU盤 1390

中科曙光持續(xù)領(lǐng)跑中國(guó)海量存儲(chǔ)市場(chǎng)

隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)加速發(fā)展,海量數(shù)據(jù)與豐富應(yīng)用場(chǎng)景成為新焦點(diǎn),海量存儲(chǔ)更是被高頻提及。在數(shù)十甚至數(shù)百PB的存儲(chǔ)系統(tǒng),已經(jīng)成為業(yè)界常態(tài)的今天,“海量存儲(chǔ)”的打造要從百PB級(jí)談起。...

2022-05-19 標(biāo)簽:曙光曙光海量存儲(chǔ) 3296

曙光打造Object System實(shí)現(xiàn)用戶建設(shè)高價(jià)值存儲(chǔ)愿景

隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)加速發(fā)展,海量數(shù)據(jù)與豐富應(yīng)用場(chǎng)景成為新焦點(diǎn),海量存儲(chǔ)更是被高頻提及。在數(shù)十甚至數(shù)百PB的存儲(chǔ)系統(tǒng),已經(jīng)成為業(yè)界常態(tài)的今天,“海量存儲(chǔ)”的打造要從百PB級(jí)談起。...

2022-05-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)硬件存儲(chǔ)系統(tǒng)曙光 2241

浪潮分布式存儲(chǔ)AS13000搭建血液病檢測(cè)平臺(tái)

因分析、基因診斷、白血病分型、指導(dǎo)治療、判斷預(yù)后等領(lǐng)域已經(jīng)有了成熟應(yīng)用,而其中血液學(xué)已成為了此類現(xiàn)代生命科學(xué)技術(shù)發(fā)展最為活躍的領(lǐng)域之一。...

2022-05-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)硬件浪潮數(shù)據(jù)庫 3481

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠,并繼續(xù)加強(qiáng)在中國(guó)的投資

近日,SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)的...

2022-05-19 標(biāo)簽:NAND閃存SK海力士 4317

浮點(diǎn)數(shù)存儲(chǔ)規(guī)則

對(duì)于E(指數(shù))E是一個(gè)無符號(hào)整數(shù)所以E的取值范圍為(0~ 255),但是在計(jì)數(shù)中指數(shù)是可以為負(fù)的,所以規(guī)定在存入E時(shí),在它原本的值上加上中間數(shù)(127),在使用時(shí)減去中間數(shù)(127),這樣E的...

2022-05-19 標(biāo)簽:二進(jìn)制浮點(diǎn)數(shù)代碼 4848

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也需要全生命周期管理 熱溫冷冰四類數(shù)據(jù)歸檔存儲(chǔ)平臺(tái)發(fā)力

隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等新興的應(yīng)用模式廣泛普及,業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),面對(duì)日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量;東數(shù)西算基于綠色發(fā)展理念,也提出了實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和等戰(zhàn)略目標(biāo),高效訪問、經(jīng)濟(jì)存...

2022-05-18 標(biāo)簽:云計(jì)算數(shù)據(jù)存儲(chǔ)大數(shù)據(jù) 4375

Linux虛擬內(nèi)存和物理內(nèi)存的深刻分析

Linux虛擬內(nèi)存和物理內(nèi)存的深刻分析

讓我們看下虛擬內(nèi)存: 第一層理解 每個(gè)進(jìn)程都有自己獨(dú)立的4G內(nèi)存空間,各個(gè)進(jìn)程的內(nèi)存空間具有類似的結(jié)構(gòu) 一個(gè)新進(jìn)程建立的時(shí)候,將會(huì)建立起自己的內(nèi)存空間,此進(jìn)程的數(shù)據(jù),代碼等從磁...

2022-05-16 標(biāo)簽:LinuxLinux系統(tǒng)虛擬內(nèi)存LinuxLinux系統(tǒng)物理內(nèi)存虛擬內(nèi)存 2277

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價(jià)格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺(tái)積電此前也宣布,將從明年1月起將全面調(diào)整晶圓代...

2022-05-15 標(biāo)簽:三星電子芯片制造美光3d nand 13072

淺談DDR5 的功率感知和信號(hào)完整性

淺談DDR5 的功率感知和信號(hào)完整性

傳統(tǒng)的信號(hào)分析通常在 PDN 是“理想”的假設(shè)下運(yùn)行。這是為了方便和權(quán)宜之計(jì),而不是準(zhǔn)確性。隨著我們進(jìn)入具有 6.4-Gbps 數(shù)據(jù)速率和 3.2-GHz 系統(tǒng)時(shí)鐘的 DDR5 領(lǐng)域,功耗感知信號(hào)完整性問題的可...

2022-05-13 標(biāo)簽:SDRAMDDR5 5788

淺談數(shù)據(jù)系統(tǒng)架構(gòu)核心組件及存儲(chǔ)組件選型

淺談數(shù)據(jù)系統(tǒng)架構(gòu)核心組件及存儲(chǔ)組件選型

Lambda架構(gòu)的核心思想是將不可變的數(shù)據(jù)以追加的方式并行寫到批和流處理系統(tǒng)內(nèi),隨后將相同的計(jì)算邏輯分別在流和批系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn),并且在查詢階段合并流和批的計(jì)算視圖并展示給用戶。...

2022-05-13 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)大數(shù)據(jù)大數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 4162

大數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ)面臨四大挑戰(zhàn) 主流非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)的壽命分析

光存儲(chǔ)技術(shù),在藍(lán)光光盤容量到了1TB以后就到了極限,幾乎就沒有突破的可能了。如果再往后就靠波層,這個(gè)路走不很遠(yuǎn)了。...

2022-05-13 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)光存儲(chǔ) 10606

NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?

NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?

在過去的幾十年里,NAND 對(duì)固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲(chǔ)系統(tǒng)開發(fā)成本。...

2022-05-12 標(biāo)簽:CMOSNANDRRAM 5906

分布式存儲(chǔ)之IPFS/ Filecoin介紹

 分布式存儲(chǔ)的項(xiàng)目有很多,比如 Arweave、Sia 、 FilSwan 和 SINSO等等, 那么IPFS/ Filecoin 的優(yōu)勢(shì)在哪里?...

2022-05-12 標(biāo)簽:分布式存儲(chǔ) 3859

浪潮信息發(fā)布新一代SSD高速存儲(chǔ)介質(zhì)

近日,浪潮信息發(fā)布新一代SSD高速存儲(chǔ)介質(zhì)。這款新品基于NAND算法創(chuàng)新將閃存壽命提升40%,通過PCIe 4.0超寬通道、ZNS存儲(chǔ)技術(shù)實(shí)現(xiàn)單盤150萬IOPS的同時(shí),還助陣?yán)顺贝鎯?chǔ)奪得SPC-1性能全球第一,在...

2022-05-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)介質(zhì)SSD浪潮 3227

存內(nèi)計(jì)算并不滿足于現(xiàn)有的算力

談到存內(nèi)計(jì)算,大部分人的第一印象就是超低功耗和大算力。存內(nèi)計(jì)算技術(shù)打破了馮諾依曼架構(gòu)的限制,沖破了內(nèi)存墻,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了新的創(chuàng)新。但你可能會(huì)問,存內(nèi)計(jì)算的應(yīng)用場(chǎng)景到底...

2022-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邊緣計(jì)算算力 4000

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)保持上升趨勢(shì) 2023年將超過2000億美元

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)保持上升趨勢(shì) 2023年將超過2000億美元

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)于波動(dòng)中保持上升趨勢(shì),市場(chǎng)規(guī)模從 2005 年的 546 億美元增至 2020 年的 1229 億美元,復(fù)合增速達(dá) 5.6%,IC Insights 預(yù)計(jì) 2021 年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng) 22%,2023 年將超過...

2022-05-10 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAMNAND三星電子存儲(chǔ)芯片 9409

存儲(chǔ)前景未來可期 NAND Flash何去何從?

存儲(chǔ)前景未來可期 NAND Flash何去何從?

 中國(guó)存儲(chǔ)器的努力已縮小到兩個(gè)最有前途的參與者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù) (CXMT),它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。...

2022-05-10 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器 4935

512GB CXL DRAM將是三星首款支持PCIe 5.0接口的內(nèi)存設(shè)備

自2021年5月推出三星首款配備現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)控制器的CXL DRAM原型機(jī)以來,三星一直與數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和芯片組公司密切合作,以開發(fā)更好的、可定制的CXL產(chǎn)品。...

2022-05-10 標(biāo)簽:DRAM三星DRAM三星擴(kuò)展器 2823

系統(tǒng)級(jí)噪聲中串行閃存的虛假錯(cuò)誤問題

系統(tǒng)級(jí)噪聲中串行閃存的虛假錯(cuò)誤問題

現(xiàn)代微控制器提供的可配置性水平既可以看作是幫助,也可以看作是障礙。驅(qū)動(dòng)電流可配置的事實(shí)可能是該示例中過沖的原因。然而,能夠降低驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度對(duì)于解決問題也很有效。...

2022-05-09 標(biāo)簽:mcupcbFlaSh存儲(chǔ)器 3706

終端市場(chǎng)需求低迷  存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下跌

終端市場(chǎng)需求低迷 存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下跌

 今年第一季度,對(duì)服務(wù)器的需求推動(dòng)了三星電子的DRAM和NAND閃存銷售增長(zhǎng)。三星存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商的服務(wù)器用DRAM銷售額在2022年第一季度創(chuàng)下歷史新高,盡管一些客戶的庫存有所調(diào)整,但三星用...

2022-05-07 標(biāo)簽:DRAMNAND 4426

如何選擇合適的存儲(chǔ)架構(gòu):集中式存儲(chǔ)or分布式存儲(chǔ)

如何選擇合適的存儲(chǔ)架構(gòu):集中式存儲(chǔ)or分布式存儲(chǔ)

分布式存儲(chǔ)使用多副本和糾刪碼技術(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)保護(hù)。多副本方式(業(yè)界常用的多副本方式一般為2副本或3副本),其優(yōu)點(diǎn)是可靠性高,性能高;但缺點(diǎn)是存儲(chǔ)容量有效利用率低(2副本為50%,3副...

2022-05-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)分布式存儲(chǔ) 8165

DRAM市場(chǎng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片能否迎來機(jī)遇

服務(wù)器是其中一個(gè)重要原因,短了看疫情什么時(shí)候結(jié)束仍無定論,宅經(jīng)濟(jì)(在線教育、在線辦公等等)還是有增長(zhǎng)的潛力,遠(yuǎn)了看云服務(wù)廠商還在保持著高速的資本開支。AI、物聯(lián)網(wǎng),甚至是更...

2022-05-06 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲(chǔ)芯片 3794

瀾起科技發(fā)布全球首款CXL? 內(nèi)存擴(kuò)展控制器芯片

MXC芯片是一款CXL DRAM內(nèi)存控制器,屬于CXL協(xié)議所定義的第三種設(shè)備類型。該芯片支持JEDEC DDR4和DDR5標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也符合CXL 2.0規(guī)范,支持PCIe 5.0的速率。...

2022-05-06 標(biāo)簽:芯片控制器瀾起科技 3604

半導(dǎo)體各大廠情況如何

根據(jù)規(guī)劃,意法半導(dǎo)體將在未來4年內(nèi)大幅提升晶圓產(chǎn)能,計(jì)劃在2020 年至2025 年期間將歐洲工廠的整體產(chǎn)能提升一倍,主要是增加300mm(12英寸)產(chǎn)能;對(duì)于200 mm(8 英寸)產(chǎn)能,意法半導(dǎo)體將選擇...

2022-05-05 標(biāo)簽:ADI安森美microchipADImicrochip安森美模擬器件 4213

西部數(shù)據(jù)將獨(dú)立其閃存業(yè)務(wù),未來股價(jià)或許會(huì)超過100美元

近日,據(jù)外媒報(bào)道,西部數(shù)據(jù)收到了來自其股東Elliott投資管理公司的傳信,Elliott稱西部數(shù)據(jù)應(yīng)該把他們的閃存業(yè)務(wù)獨(dú)立出來。 Elliott稱,多年以來,西部數(shù)據(jù)一直同時(shí)運(yùn)營(yíng)著硬盤驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)和...

2022-05-05 標(biāo)簽:閃存西部數(shù)據(jù) 2247

三星的UFS4.0閃存芯片預(yù)計(jì)第三季度正式量產(chǎn)

三星的UFS4.0閃存芯片預(yù)計(jì)第三季度正式量產(chǎn)

三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù),傳輸帶寬每通道達(dá)到23.2Gbps,相較UFS3.1提升一倍,順序讀取速度可以達(dá)到4200MB/s,同時(shí)順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘?800MB/s,相較于上一代的UFS3.1,UFS4.0的...

2022-05-05 標(biāo)簽:NAND閃存芯片三星 4866

最高漲幅1240%,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片五大廠商年度業(yè)績(jī)PK

最高漲幅1240%,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片五大廠商年度業(yè)績(jī)PK

存儲(chǔ)芯片作為整個(gè)集成電路的重要分支,在市場(chǎng)中占據(jù)高份額的地位,規(guī)模增長(zhǎng)速度最快。2021年數(shù)據(jù)量爆發(fā)式增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片廠商年度業(yè)績(jī)“風(fēng)頭正勁”。 ? 4月末,上市公司年度業(yè)績(jī)...

2022-05-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)芯片國(guó)產(chǎn)芯片存儲(chǔ)芯片芯片廠商 16626

國(guó)科微新一代E21C-Y系列固態(tài)硬盤產(chǎn)品全面上市量產(chǎn)

4月29日,國(guó)科微新一代E21C-Y系列固態(tài)硬盤產(chǎn)品全面上市并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),搭載國(guó)科微自研固態(tài)硬盤主控芯片GK2302V200,采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?技術(shù)128層3D TLC顆粒,為行業(yè)用戶提供了高效安全的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)...

2022-04-29 標(biāo)簽:固態(tài)硬盤國(guó)科微長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4802

EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)

EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng),接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè) 計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)...

2022-04-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram偉凌創(chuàng)芯 1596

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