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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

U盤/移動(dòng)硬盤/移動(dòng)硬盤盒的優(yōu)缺點(diǎn)

計(jì)算機(jī),早已進(jìn)入我們?nèi)粘5纳詈凸ぷ髦小o論何時(shí)何地我們都會(huì)享受到計(jì)算機(jī)帶給我們帶來的便利。而互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展讓我們可以隨時(shí)接收來自全球各地的資訊、資料等。在生活和工作中由于...

2021-02-03 標(biāo)簽:U盤移動(dòng)硬盤 10693

華邦4Gb LPDDR4x DRAM助力Flex Logix X1 AI推理加速器樹立邊緣AI新標(biāo)桿

Flex Logix推出的InferX X1邊緣推理加速器芯片采用了獨(dú)步業(yè)界的開創(chuàng)性架構(gòu),具有可重構(gòu)的張量處理器陣列。...

2021-02-03 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸華邦電子AI加速器 2301

DRAM合約價(jià)格全面上漲 美光1a DRAM制程量產(chǎn)能否解決燃眉之急?

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana認(rèn)為,全新的 1α 技術(shù)將為手機(jī)行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM,針對(duì)今年云端市場、5G手機(jī)和汽車內(nèi)存需求帶動(dòng)DRAM產(chǎn)能緊缺,他也發(fā)表了專業(yè)的看法。...

2021-02-02 標(biāo)簽:DRAMNANDSSD美光 9039

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第十章】DDR3讀寫測試實(shí)驗(yàn)

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第十章】DDR3讀寫測試實(shí)驗(yàn)

本實(shí)驗(yàn)為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實(shí)驗(yàn)做鋪墊,通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存,了解其工作原理和DDR3控制器的寫法,由于DDR3控制復(fù)雜,控制器的編寫難度高,這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的...

2021-02-05 標(biāo)簽:FPGADDR3DDR內(nèi)存紫光同創(chuàng) 11482

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第八章】SD卡讀寫實(shí)驗(yàn)

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第八章】SD卡讀寫實(shí)驗(yàn)

SD卡是現(xiàn)在嵌入式設(shè)備重要的存儲(chǔ)模塊,內(nèi)部集成了nand flash控制器,方便了主機(jī)的的管理。本實(shí)驗(yàn)主要是練習(xí)對(duì)sd卡的扇區(qū)進(jìn)行讀寫,通常sd卡都有文件系統(tǒng),可以按照文件名和目錄路徑來讀寫...

2021-02-05 標(biāo)簽:FPGA嵌入式SD卡SPI紫光同創(chuàng) 9548

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第七章】I2C接口EEPROM實(shí)驗(yàn)

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第七章】I2C接口EEPROM實(shí)驗(yàn)

在開發(fā)板上,F(xiàn)PGA芯片通過I2C總線連接EEPROM 24LC04, I2C的兩根總線各上拉一個(gè)4.7K的電阻到3.3V,所以當(dāng)總線上沒有輸出時(shí)會(huì)被拉高, 24LC04的寫保護(hù)沒有使能,不然FPGA會(huì)無法寫入數(shù)據(jù)。因?yàn)樵陔娐飞?..

2021-02-05 標(biāo)簽:FPGAEEPROM開源I2C接口紫光同創(chuàng) 8946

云存儲(chǔ)的架構(gòu)及系統(tǒng)組成

不知不覺中,我們每天都在接觸存儲(chǔ),由此可見存儲(chǔ)的重要性。隨著時(shí)代的改變,存儲(chǔ)方式也在隨之變化。目前,云存儲(chǔ)是十分火熱的存儲(chǔ)方式之一。為增進(jìn)大家對(duì)云存儲(chǔ)的了解,本文將對(duì)云存...

2021-02-02 標(biāo)簽:云存儲(chǔ)云存儲(chǔ)云存儲(chǔ)技術(shù)構(gòu)架系統(tǒng)組成 6643

對(duì)象存儲(chǔ)的特征/存儲(chǔ)方式/部署方式

對(duì)象存儲(chǔ)的特征/存儲(chǔ)方式/部署方式

這里的資源指的是如文章、評(píng)論、文件、用戶等數(shù)據(jù),HTTP處理的動(dòng)作有四種:獲?。℅et)、創(chuàng)建(Post)、修改(Put/Patch)、刪除(Delete),每個(gè)資源會(huì)對(duì)應(yīng)生成一個(gè)特定的URI地址,對(duì)象存儲(chǔ)的...

2021-02-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)對(duì)象存儲(chǔ) 2833

NAND閃存顆粒的組成

NAND閃存顆粒的組成

手機(jī)越用越慢,排除各類軟件后臺(tái)等因素,手機(jī)存儲(chǔ)也會(huì)影響手機(jī)運(yùn)行速度,特別是在可用空間較少的時(shí)候。...

2021-01-29 標(biāo)簽:閃存NANDNAND閃存 10593

美光率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。...

2021-01-28 標(biāo)簽:DRAM美光制程技術(shù)LPDDR5 1302

泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù),推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造

泛林集團(tuán)Sense.i刻蝕平臺(tái)具有Equipment Intelligence?(設(shè)備智能)功能,可以從數(shù)百個(gè)傳感器收集數(shù)據(jù),監(jiān)測系統(tǒng)和工藝性能。...

2021-01-28 標(biāo)簽:3d nand存儲(chǔ)器件泛林集團(tuán) 1143

本地緩存的優(yōu)缺點(diǎn)/適用場景/實(shí)現(xiàn)

在服務(wù)端編程當(dāng)中,緩存主要是指將數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)加載到內(nèi)存中,之后對(duì)該數(shù)據(jù)的訪問都在內(nèi)存中完成,從而減少了對(duì)數(shù)據(jù)庫的訪問,解決了高并發(fā)場景中數(shù)據(jù)庫容易成為性能瓶頸的問題。...

2021-01-28 標(biāo)簽:緩存 5557

數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)安全日趨重要 群聯(lián)推出FIPS 140-2認(rèn)證SSD儲(chǔ)存方案

在數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)爆炸的時(shí)代,如何保護(hù)機(jī)密或敏感數(shù)據(jù)已成為企業(yè)營運(yùn)以及個(gè)人所逐漸關(guān)注的焦點(diǎn)。...

2021-01-27 標(biāo)簽:SSD數(shù)據(jù)安全群聯(lián)電子 1595

磁盤陣列三種架構(gòu)的用途及區(qū)別解析

磁盤陣列有三種架構(gòu)分別為:DAS,NAS,SAN,這時(shí)面我們著重了解下他們的用途。...

2021-01-27 標(biāo)簽:DAS磁盤陣列NAS 4657

緩存雪崩/穿透/擊穿的解決方案

緩存雪崩/穿透/擊穿的解決方案

緩存是我們項(xiàng)目應(yīng)用肯定會(huì)使用,是我們數(shù)據(jù)庫的守護(hù)神,能夠保證數(shù)據(jù)庫的穩(wěn)定,能夠提高整個(gè)系統(tǒng)的性能。一般我們采用市面上的redis、memcahce方案;redis已經(jīng)非常強(qiáng)大了,每秒支持幾萬的連...

2021-01-26 標(biāo)簽:緩存雪崩 1630

一文詳解MEMS存儲(chǔ)設(shè)備的請(qǐng)求調(diào)度算法

MEMS也即微機(jī)電系統(tǒng),電子專業(yè)的朋友對(duì)MEMS都具備一定認(rèn)識(shí)。在往期文章中,小編對(duì)MEMS交換、MEMS封裝等有所介紹。...

2021-01-25 標(biāo)簽:mems存儲(chǔ)設(shè)備 878

MEMS存儲(chǔ)設(shè)備的請(qǐng)求調(diào)度算法及數(shù)據(jù)布局策略的詳細(xì)介紹

MEMS也即微機(jī)電系統(tǒng),電子專業(yè)的朋友對(duì)MEMS都具備一定認(rèn)識(shí)。在往期文章中,小編對(duì)MEMS交換、MEMS封裝等有所介紹。為增進(jìn)大家對(duì)MEMS的了解程度,本文中小編將對(duì)MEMS存儲(chǔ)設(shè)備的請(qǐng)求調(diào)度算法以及...

2021-02-13 標(biāo)簽:mems存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備 1700

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

這些年來,記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色,點(diǎn)出這些架構(gòu)的共同趨勢與瓶頸,并會(huì)提...

2021-01-22 標(biāo)簽:處理器DRAM 6466

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡讀寫

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡讀寫

FatFs是一個(gè)通用的文件系統(tǒng)模塊,用于在小型嵌入式系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)FAT文件系統(tǒng)。FatFs的編寫遵循 ANSI C,因此不依賴于硬件平臺(tái)。它可以嵌入到便宜的微控制器中,如 8051, PIC, AVR, SH, Z80, H8, ARM等等,...

2021-01-28 標(biāo)簽:FPGA嵌入式SD卡ZynqMPSoC 6618

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片內(nèi)FIFO讀寫測試實(shí)驗(yàn)

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片內(nèi)FIFO讀寫測試實(shí)驗(yàn)

FIFO: First in, First out代表先進(jìn)的數(shù)據(jù)先出,后進(jìn)的數(shù)據(jù)后出。Xilinx在VIVADO里為我們已經(jīng)提供了FIFO的IP核, 我們只需通過IP核例化一個(gè)FIFO,根據(jù)FIFO的讀寫時(shí)序來寫入和讀取FIFO中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。...

2021-01-22 標(biāo)簽:FPGAXilinxfifoZynqMPSoC 6286

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片內(nèi)ROM測試實(shí)驗(yàn)

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片內(nèi)ROM測試實(shí)驗(yàn)

既然是ROM,那么我們就必須提前給它準(zhǔn)備好數(shù)據(jù),然后在FPGA實(shí)際運(yùn)行時(shí),我們直接讀取這些ROM中預(yù)存儲(chǔ)好的數(shù)據(jù)就行。Xilinx FPGA的片內(nèi)ROM支持初始化數(shù)據(jù)配置。如下圖所示,我們可以創(chuàng)建一個(gè)名...

2021-01-22 標(biāo)簽:FPGAROMRAMZynqMPSoC 5112

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片內(nèi)RAM讀寫測試實(shí)驗(yàn)

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片內(nèi)RAM讀寫測試實(shí)驗(yàn)

RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ揜AM的數(shù)據(jù)讀寫操作。...

2021-01-22 標(biāo)簽:FPGAROMRAMZynqMPSoC 6208

SSD越用越慢的原因分析

SSD越用越慢的原因分析

每當(dāng)選購電腦時(shí),你會(huì)發(fā)現(xiàn),配置存儲(chǔ)介紹總是不一樣,要么純固態(tài)(SSD),要么純機(jī)械,要么固態(tài)+機(jī)械的組合硬盤。...

2021-01-21 標(biāo)簽:硬盤SSDSSD硬盤 3010

數(shù)據(jù)庫存儲(chǔ)的內(nèi)部機(jī)制詳解

在這篇文章中,我將會(huì)講解一些數(shù)據(jù)庫存儲(chǔ)的內(nèi)部機(jī)制,數(shù)據(jù)庫是如何進(jìn)行優(yōu)化操作來提供驚人速度及其優(yōu)勢和缺點(diǎn)。...

2021-01-20 標(biāo)簽:存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫 4661

存儲(chǔ)器分類,存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)

存儲(chǔ)器分類,存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。...

2021-01-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 13320

一文詳解S7-1200 PLC的存儲(chǔ)器

對(duì)于我們進(jìn)行PLC程序編程,是需要用到編程軟元件的,這個(gè)編程軟元件我們也叫存儲(chǔ)器,用戶程序可以對(duì)這些存儲(chǔ)區(qū)中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫訪問。...

2021-01-19 標(biāo)簽:plc存儲(chǔ)器S7-1200 15766

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等應(yīng)用的興起,存儲(chǔ)器也面臨著革新。傳統(tǒng)的DRAM受限于EUV的發(fā)展,平面NAND也面臨著微縮的限制,而最終采取垂直方向上朝著3D方向發(fā)展。在傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)接受挑戰(zhàn)的過...

2021-01-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3810

常見的分布式文件存儲(chǔ)系統(tǒng)的優(yōu)缺點(diǎn)

常見的分布式文件存儲(chǔ)系統(tǒng)的優(yōu)缺點(diǎn)

分布式文件系統(tǒng),可以說是分布式系統(tǒng)下的一個(gè)子集,這里我們選取市場應(yīng)用比較廣泛的幾款產(chǎn)品,HDFS、Ceph、FastDFS以及MooseFS來做簡單的分析。...

2021-01-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)系統(tǒng)分布式存儲(chǔ) 11181

3D NAND閃存有多遠(yuǎn)?未來將如何發(fā)展?

隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT),智能工廠,自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序繼續(xù)受到關(guān)注,這些高要求的應(yīng)用程序?qū)?shù)據(jù)存儲(chǔ)的規(guī)定變得越來越具有挑戰(zhàn)性。...

2021-01-15 標(biāo)簽:3D技術(shù)閃存驅(qū)動(dòng)器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)3d nand 1718

Rocket MQ存儲(chǔ)與Kafka存儲(chǔ)對(duì)比分析

Rocket MQ存儲(chǔ)與Kafka存儲(chǔ)對(duì)比分析

Kafka單機(jī)超過64個(gè)隊(duì)列/分區(qū),Load會(huì)發(fā)生明顯的飆高現(xiàn)象,隊(duì)列越多,load越高,發(fā)送消息響應(yīng)時(shí)間變長。Kafka分區(qū)數(shù)無法過多的問題,RocketMQ單機(jī)支持最高5萬個(gè)隊(duì)列,負(fù)載不會(huì)發(fā)生明顯變化。...

2021-01-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)kafka存儲(chǔ) 3714

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