存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
AI PC浪潮將至！三大存儲廠商齊發(fā)新品，加速大模型端側(cè)落地
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月12日，MemoryS 2025峰會在深圳成功舉行，CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，AI PC作為主力的生產(chǎn)力工具，2025年落地更顯快速，今年我們預(yù)計(jì)AI PC相比去年將有質(zhì)的飛躍。 根據(jù)...
MemoryS 2025圓滿落幕！產(chǎn)業(yè)大咖精彩演講內(nèi)容合集
CFMS | MemoryS 2025已圓滿落幕，期間包括三星電子、長江存儲、鎧俠、美光、閃迪、高通、Arm、慧榮科技、Solidigm、英特爾、江波龍、群聯(lián)電子、聯(lián)蕓科技、宜鼎國際、平頭哥半導(dǎo)體、騰訊云、憶恒...
2025-03-13 標(biāo)簽： 1290
村田中國將攜創(chuàng)新升級技術(shù)亮相AWE 2025
全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國（以下簡稱“村田”）將參加于2025年3月20-23日在上海新國際博覽中心舉辦的中國家電及消費(fèi)電子博覽會（AWE），展位號W4館4A40。本次展會，村田將攜...
2025-03-13 標(biāo)簽：村田 557
NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異
NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系，以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確...
江波龍多款新品亮相MemoryS 2025，探索存儲商業(yè)綜合創(chuàng)新之路
3月12日，MemoryS 2025在深圳盛大開幕，匯聚了存儲行業(yè)的頂尖專家、企業(yè)領(lǐng)袖以及技術(shù)先鋒，共同探討存儲技術(shù)的未來發(fā)展方向及其在商業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波先生受邀...
2025-03-12 標(biāo)簽：存儲 734
江波龍多款新品亮相MemoryS 2025，探索存儲商業(yè)綜合創(chuàng)新之路
3月12日，MemoryS2025在深圳盛大開幕，匯聚了存儲行業(yè)的頂尖專家、企業(yè)領(lǐng)袖以及技術(shù)先鋒，共同探討存儲技術(shù)的未來發(fā)展方向及其在商業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波先生受邀...
西部數(shù)據(jù)推出大容量存儲方案，賦能NAS用戶、創(chuàng)意專業(yè)人士與內(nèi)容創(chuàng)作者
AI、視頻、數(shù)據(jù)分析、VR、攝影及媒體與娛樂（M&E）等領(lǐng)域的技術(shù)革新，極大地推動了數(shù)據(jù)存儲需求的迅速增長。專業(yè)工作流程的每一個階段，從制作、分析、編輯、協(xié)作到存檔，都對存儲的容...
2025-03-12 標(biāo)簽：西部數(shù)據(jù) 599
NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。...
江波龍亮相2025德國紐倫堡嵌入式展，高可靠性存儲賦能汽車工業(yè)領(lǐng)域
德國時間3月11日，江波龍以“高可靠性存儲，賦能工業(yè)世界”為主題，在2025德國嵌入式展EmbeddedWorld帶來工規(guī)級與車規(guī)級存儲新品，并展示PTM存儲商業(yè)模式下的創(chuàng)新定制能力，助力全球制造與汽...
兆易創(chuàng)新GD25NE系列SPI NOR Flash：專為1.2V SoC打造，雙電壓供電助力讀功耗減半
兆易創(chuàng)新最新推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。 該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙...
2025-03-12 標(biāo)簽：socNOR flash兆易創(chuàng)新 1920
憶聯(lián)PCIe5.0 SSD以軟硬協(xié)同的高可靠性，支撐大模型全流程訓(xùn)練
深圳2025年3月11日?/美通社/ -- 當(dāng)前，大模型全流程訓(xùn)練對數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的要求已突破傳統(tǒng)邊界。企業(yè)級SSD作為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，其高可靠性、高性能及智能化管理能力，正成為支撐大...
【解碼CITE2025】全球數(shù)字化變局中的"中國突圍"：本土科技巨頭如
在數(shù)字化時代的浪潮中，數(shù)據(jù)成為了推動經(jīng)濟(jì)與社會發(fā)展的核心要素。大數(shù)據(jù)存儲作為數(shù)據(jù)的承載基石，不僅關(guān)乎數(shù)據(jù)的存儲與管理，更是連接數(shù)據(jù)價(jià)值挖掘、應(yīng)用創(chuàng)新的關(guān)鍵紐帶。 一、全球...
2025-03-10 標(biāo)簽： 465
4月1日起漲價(jià)超10%，閃迪預(yù)計(jì)存儲供不應(yīng)求
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ，日前，Sandisk（閃迪）發(fā)布漲價(jià)通知函顯示，Sandisk計(jì)劃從4月1日起對所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品漲價(jià)，漲幅將超過10%。 ? Sandisk在通知函中表示，存儲芯片行業(yè)很...
2025-03-10 標(biāo)簽：閃迪 1071
昂科燒錄器支持PUYA普冉半導(dǎo)體的串行接口閃存P25Q64SH-WY
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，普冉半導(dǎo)體(PUYA)推出的低工作電壓微控制器P25Q64SH-WY已被昂科ic燒錄脫機(jī)編程器...
SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門 轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域
3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK 海力士稱此舉是為了鞏固...
江波龍?jiān)贛WC 2025首秀，存儲產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新激活移動通信潛力
西班牙時間3月3日，江波龍首次亮相巴塞羅那MWC2025，以“PTM賦能世界移動通信”為主題，攜一系列創(chuàng)新存儲產(chǎn)品參展，引發(fā)廣泛關(guān)注。作為半導(dǎo)體存儲品牌企業(yè)，公司始終堅(jiān)持技術(shù)驅(qū)動創(chuàng)新，以...
DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。...
2025-03-05 標(biāo)簽：FPGA控制器接口ZynqDDR內(nèi)存 4433
致態(tài)TiPro9000固態(tài)硬盤的功耗及電壓測試
致態(tài)TiPro9000固態(tài)硬盤，作為致態(tài)品牌精心雕琢的首款PCIe 5.0旗艦級存儲力作，在技術(shù)與性能的疆場上實(shí)現(xiàn)了令人矚目的重大跨越。它以前瞻性的戰(zhàn)略眼光，率先運(yùn)用了基于長江存儲新一代晶棧...
康盈半導(dǎo)體便攜式磁吸移動固態(tài)硬盤測評
說到移動固態(tài)硬盤，可能大家首先想到的就是一塊傳輸速度更快，用來存儲各類數(shù)據(jù)的“大盒子”?，F(xiàn)在隨著技術(shù)與設(shè)計(jì)的進(jìn)步，以及用戶新需求的出現(xiàn)，移動固態(tài)硬盤的各個方面也發(fā)生了變化...
2025-03-03 標(biāo)簽：閃存usb固態(tài)硬盤emmc康盈半導(dǎo)體 1559
分布式存儲和集中式存儲有何區(qū)別
存儲產(chǎn)品千千萬，選來選去怎么辦？ 戴小編來獻(xiàn)妙策，匹配需求不為難！分布式存儲和集中式儲是存儲系統(tǒng)中十分重要的兩種架構(gòu)類型，但這兩者有何區(qū)別？適合怎樣的業(yè)務(wù)需求？今天戴小編...
2025-02-28 標(biāo)簽：戴爾存儲存儲系統(tǒng)分布式存儲 3180
DS2502 1K位只添加存儲器技術(shù)手冊
DS2502為1K位只添加存儲器，用于識別并存儲產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如，微控制器的一個端口引腳。DS2502具有一個工廠光刻注冊碼，其中包括：...
DS2406雙通道、可編址開關(guān)與1K位存儲器技術(shù)手冊
帶存儲器的雙路可尋址開關(guān)DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠(yuǎn)程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個晶體管的邏輯電平，從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。每個DS2406都具有工廠刻度在片內(nèi)的64位...
LPDDR5X速率刷新記錄，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上三星推出最新LPDDR5規(guī)范，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它...
2025-02-28 標(biāo)簽：DRAM 9153
閃存沖擊400層+，混合鍵合技術(shù)傳來消息
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是...
2025-02-27 標(biāo)簽：閃存 1345
一文搞懂先進(jìn)存儲技術(shù)
高性能計(jì)算(High Performance Computing, HPC)以超高的計(jì)算性能廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域，不僅用于氣候模擬、石油勘探等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，在生命科學(xué)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域成為研究和解決挑戰(zhàn)性問題的重要...
2025-02-26 標(biāo)簽：處理器存儲技術(shù)計(jì)算機(jī)存儲芯片 2194
美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計(jì)算需求
美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點(diǎn)技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動平臺帶來卓越的性能與能效 ? 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — ? 美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，已率...
2025-02-26 標(biāo)簽：美光 701
DS28E80 1-Wire存儲器技術(shù)手冊
DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存，這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個塊可以寫保...
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