存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。
單片機語音芯片中的SPI Flash探秘及其分類詳解
SPIflash在單片機語音芯片中重要，分NandFlash、NorFlash、AG-ANDFlash。NorFlash有SPIFlash和CFIFlash，以不同接口操作。NandFlash技術(shù)多樣，SLC、MLC、MirrorBit提升存儲密度。AG-ANDFlash逐漸淡出。...
SK海力士成功量產(chǎn)321層NAND閃存
近日，SK海力士對外宣布了一項重大技術(shù)突破——成功實現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的量產(chǎn)。這一里程碑式的成就不僅彰顯了SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域...
2023年全球DRAM內(nèi)存模組市場營收下滑，金士頓領(lǐng)跑
近日，據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告，2023年全球DRAM內(nèi)存模組市場整體營收降至125億美元(約904.83億元人民幣)，同比降幅達(dá)28%。這一下滑趨勢主要歸因于消費電子產(chǎn)品的庫存消化，導(dǎo)致DRAM內(nèi)存產(chǎn)品...
2024-11-21 標(biāo)簽：三星電子金士頓模組DRAM內(nèi)存 2612
長江存儲PC41Q固態(tài)硬盤的功耗及電壓測試
作為長江存儲進軍商用消費級PC市場的首款QLC固態(tài)硬盤力作，PC41Q搭載了先進的第四代三維閃存芯片，并配備了PCIeGen4×4高速接口，官方數(shù)據(jù)顯示其最大順序讀取速度高達(dá)5700MB/s。從技術(shù)規(guī)格來看...
觀點評論 | 新型存儲，看好誰？
CoughlinAssociates和ObjectiveAnalysis發(fā)布了關(guān)于新興非易失性存儲器的2024年報告《深入研究新存儲器》。這些存儲器包括磁性隨機存取存儲器MRAM；電阻式隨機存取存儲器ReRAM；鐵電隨機存取存儲器FR...
一文看懂DDR內(nèi)存的原理
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為當(dāng)代數(shù)字系統(tǒng)最主要的核心部件之一，從各種終端設(shè)備到核心層數(shù)據(jù)處理 和存儲設(shè)備，從各種消費類電子設(shè)備到社會各行業(yè)專用設(shè)備，是各種級別的 CPU 進行數(shù)據(jù)處...
存儲技術(shù)未來演進：NVMe over Fabrics (NVMeoF）
眾所周知，NVMe 是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范，NVM代表非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）的首字母縮略字，是固態(tài)硬盤（SSD）的常見的閃存形式。SSD 通常分為兩類接口：SATA 和 NVMe。在需要兼容舊組...
AI時代核心存力HBM(上)
? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM 針對不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品，幾個主要大類包括 LPDDR、DDR、GDDR 和 HBM 等，他們雖然均...
EEPROM輕量級的簡易類文件的數(shù)據(jù)讀寫庫:EEPROMFS
雖然 EEPROM 相對 Flash 讀寫速度更慢，但 EEPROM 一些獨有特性是 Flash 無法實現(xiàn)的，比如字節(jié)讀寫操作。 所以，EEPROM至今依然應(yīng)用在很多電子設(shè)備上，而且市場還不小。 這里就給大家分享一款EEP...
2024-11-15 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲EEPROM 2305
存儲芯片的基礎(chǔ)知識
眾所周知，存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的一大分支，而且隨著信息時代的到來，地位越來越重要。近十年來，存儲器的市場規(guī)模步步攀升，現(xiàn)在已經(jīng)占到了半導(dǎo)體總體的30%多。今天就來淺淺地聊一...
2024-11-15 標(biāo)簽：RAM半導(dǎo)體存儲器存儲芯片 4594
一文解析DDR和LPDDR的演進與應(yīng)用
概述 DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）是動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）技術(shù)的重要分支，廣泛應(yīng)用于計算機和移動設(shè)備中。盡管同屬DDR SDRAM家族，但它們在設(shè)計目標(biāo)和應(yīng)用場景上...
HBM與GDDR內(nèi)存技術(shù)全解析
在高性能圖形處理領(lǐng)域，內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù)：高帶寬內(nèi)存（HBM）和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率（GDDR），它們在架構(gòu)、性能特性和應(yīng)用場景上各有千秋。通...
數(shù)據(jù)保存100年！納祥科技國產(chǎn)EEPROM芯片NX24C02A，兼容替代AT24C02
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX24C02AEEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory)，帶電可擦可編程只讀存儲器。它是一種特殊的存儲芯片，它允許在有電源的情況下進行多次擦除和編程操作，而數(shù)據(jù)...
一文讀懂DDR內(nèi)存基礎(chǔ)知識
無論對于芯片設(shè)計商還是器件制造商來說，DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺式機中之外，還會內(nèi)置在消費類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒng)設(shè)計中。每一代新的 DDR（雙倍數(shù)據(jù)...
三星擴建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星電子將以租賃方式獲得...
Raspberry Pi 推出品牌系列 NVMe SSD 和 SSD 套件
? “ ?256GB 現(xiàn)已上市，512GB 將于 11 月底上市。 ? ” Raspberry Pi SSD 可以為 Raspberry Pi 5 或其他設(shè)備上的 I/O 密集型應(yīng)用帶來出色的性能，包括從 SSD 啟動時的超快啟動速度。它是一款可靠、反應(yīng)靈...
2024-11-12 標(biāo)簽：SSDPCIeRaspberry Pinvme 1835
美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡
美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一，包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^，海力士、我們、三星，都在花費大量的精力和財力打造HBM 產(chǎn)品，”美光消費者與組件集團副總裁兼總經(jīng)...
ARM嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存對齊的重要性
做嵌入式系統(tǒng)軟件開發(fā)，經(jīng)常在代碼中看到各種各樣的對齊，很多時候我們都是知其然不知其所以然，知道要做好各種對齊，但是不明白為什么要對齊，不對齊會有哪些后果，這篇文章大概總結(jié)...
2024-11-11 標(biāo)簽：ARM嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存 2600
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用： 1 NANDNAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種，屬于非易失性存儲器，其內(nèi)部采用非線性宏單元模...
存儲上市企業(yè)：2024年三季度業(yè)績向好，第四季度承壓前行
電子燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2024年第三季度存儲上市企業(yè)的業(yè)績普遍呈現(xiàn)營收和凈利潤雙增長的態(tài)勢，也有少部分企業(yè)的營收和凈利出現(xiàn)下滑。來到第三季度，相對而言上半年消費電子等市場...
江波龍在紫光展銳沙龍再登場，PTM商業(yè)模式下的創(chuàng)新穿戴存儲
11月7日，紫光展銳在深圳成功舉辦了2024智能穿戴沙龍，與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴分享智能穿戴領(lǐng)域的發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向。 江波龍在沙龍展示了行業(yè)類存儲品牌FORESEE旗下的多款穿戴存儲產(chǎn)品，包括SPI N...
2024-11-08 標(biāo)簽：江波龍 356
江波龍自研主控芯片批量出貨,車規(guī)級存儲市場布局成效顯著
近日，在接受機構(gòu)調(diào)研時，江波龍透露，其兩款自主研發(fā)的主控芯片（WM6000和WM5000）已經(jīng)成功實現(xiàn)批量出貨，并且已經(jīng)完成了超千萬顆的規(guī)?；a(chǎn)品導(dǎo)入，市場反饋積極。 主控芯片的研...
2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張
經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出，由于部分供應(yīng)商在2024年盈利后著手規(guī)劃新增產(chǎn)能，預(yù)計...
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略，聚焦高端存儲技術(shù)
近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計劃在第四季度進一步降至20%。這一調(diào)整或?qū)⒁馕吨鳶K海力士將有限的...
三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線
三星電子即將啟動一項計劃，將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計將通過中國本土企業(yè)或第三方...
鎧俠預(yù)測:2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發(fā)展推動
在人工智能技術(shù)的蓬勃推動下，芯片制造商鎧俠于11月5日宣布，預(yù)計未來五年內(nèi)（至2028年），閃存市場需求將大幅增長約2.7倍。這一預(yù)測基于當(dāng)前人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和對服務(wù)器、智能手...
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