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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>

存儲技術(shù)

提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。

希捷推出酷魚SSD:最大2TB、5年質(zhì)保,最低75美元起

7月4日消息,希捷宣布推出消費級SSD產(chǎn)品,Barracuda(酷魚)SSD。...

2018-07-11 標(biāo)簽:SSD希捷 1912

CES2018:江波龍存儲全線產(chǎn)品年度首秀

在CES展會期間(1月9-12日),江波龍在拉斯維加斯威尼斯人酒店舉辦產(chǎn)品見面會。 江波龍(longsys)緊隨技術(shù)與市場的發(fā)展,在縱向上采用最新技術(shù)對產(chǎn)品進(jìn)行技術(shù)升級,同時橫向拓展產(chǎn)品市場...

2018-01-10 標(biāo)簽:CES存儲江波龍 1330

威聯(lián)通AI人工智能NAS創(chuàng)新應(yīng)用儲存解決方案亮相CES 2018

威聯(lián)通科技于美國消費性電子展亮相聚焦AI人工智能的NAS創(chuàng)新應(yīng)用,搭配全新 AI 開發(fā)者工具包,啟動機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用解決方案....

2018-01-10 標(biāo)簽:NASAI威聯(lián)通 2660

紫光將出資5500萬美元,建一座SSD固態(tài)硬盤開發(fā)工廠!

建興、紫光集團(tuán)今天聯(lián)合宣布,將聯(lián)合投資1億美元,在中國蘇州興建一座SSD固態(tài)硬盤開發(fā)、制造工廠。...

2018-01-10 標(biāo)簽:存儲固態(tài)硬盤紫光 10860

紫光\建興聯(lián)合投資1億美元開建SSD固態(tài)硬盤開發(fā)、制造工廠

建興、紫光集團(tuán)今天聯(lián)合宣布,將聯(lián)合投資1億美元,在中國蘇州興建一座SSD固態(tài)硬盤開發(fā)、制造工廠。根據(jù)合作協(xié)議,紫光將出資5500萬美元,占股55%,指派三位董事會成員,建興則出資4500萬...

2018-01-07 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤紫光 8744

2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)“三高” DRAM產(chǎn)能成長挑戰(zhàn)10%

據(jù)報道,今年DRAM產(chǎn)能成長將挑戰(zhàn)10%,主要得益于三星、海力士、美光等芯片內(nèi)存產(chǎn)商的大量擴(kuò)產(chǎn),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“三高”,國產(chǎn)化優(yōu)勢逐步顯現(xiàn),產(chǎn)值逼進(jìn)5000億美元。...

2018-01-06 標(biāo)簽:DRAM三星電子海力士美光 1570

SSD價格開始走跌 2019年后NAND Flash供大于求過

根據(jù)2017年的存儲器行業(yè)需求顯露出的價格上漲,供不應(yīng)求局面,韓系存儲器廠紛紛計劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。...

2018-01-06 標(biāo)簽:東芝NAND三星電子SSD 2704

聯(lián)電新推40nmSST嵌入式快閃記憶存儲器制程

聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。...

2018-01-04 標(biāo)簽:存儲器聯(lián)電東芝電子40nm工藝東芝電子存儲器聯(lián)電 2997

三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測將出現(xiàn)供大于求

根據(jù)2017年的存儲器市場來看,價格的大幅度上漲,內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭,市場供不應(yīng)求的局面,致使三星計劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能,但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存廠商大規(guī)模的擴(kuò)大芯片產(chǎn)...

2018-01-03 標(biāo)簽:DRAMNAND三星電子 997

中韓存儲器廠商欲擴(kuò)產(chǎn) 2019年或?qū)⒈l(fā)半導(dǎo)體原料缺貨危機(jī)

根據(jù)21017年存儲器市場的需求來看,今年中韓存儲器業(yè)將紛紛擴(kuò)大存儲器芯片產(chǎn)能,預(yù)定2018、2019 年投產(chǎn)。外界擔(dān)憂,大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)將有可能導(dǎo)致2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨。...

2018-01-03 標(biāo)簽:三星電子存儲器清華紫光 1647

DRAM漲價趨勢2018年將開始下滑 恐將2年之久

2017年的DRAM價格受惠于數(shù)據(jù)中心需求,報價一路上揚,在第四季依然取得不俗的成績。根據(jù)歷史趨勢來看,DRAM漲價趨勢將會2018年開始下滑,最長恐將2年之久。...

2018-01-03 標(biāo)簽:DRAM三星電子蘋果 1763

復(fù)旦大學(xué)成功研發(fā)光敏感性半導(dǎo)體內(nèi)存

復(fù)旦大學(xué)成功研發(fā)光敏感性半導(dǎo)體內(nèi)存

有新聞報道,復(fù)旦大學(xué)設(shè)計出了一種新型態(tài)基于原子級薄度的半導(dǎo)體設(shè)計出一種內(nèi)存,透過二維過度金屬材料創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導(dǎo)體,不需要電力輔助用光線就能消除儲存數(shù)據(jù)。...

2018-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體內(nèi)存 1134

三星電子/海力士夸大DRAM市場缺口 縱容價格漲價

2017年內(nèi)存缺貨漲價已經(jīng)是眾所周知的事情,因為異常的市場漲價趨勢,已經(jīng)引起了發(fā)改委的調(diào)查,稱內(nèi)存漲價的背后將有可能涉嫌企業(yè)壟斷??捎兄槿耸客嘎?,內(nèi)存會如此漲價是因為相關(guān)的...

2018-01-02 標(biāo)簽:DRAM海力士三星電子 8839

旺宏NOR快閃存儲器 形塑超高省電應(yīng)用與發(fā)展

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn),芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際,同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn),旺宏電子(Macronix)自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲器產(chǎn)品,以500MB/s傳輸速率的8 I/...

2018-01-02 標(biāo)簽:旺宏電子快閃存儲器微控器快閃存儲器旺宏電子 2303

WDC透過RISC-V加速大數(shù)據(jù)應(yīng)用發(fā)展

未來將致力于透過RISC-V Foundation,引領(lǐng)以數(shù)據(jù)為中心的運算環(huán)境發(fā)展。RISC-V為規(guī)模彈性的開放運算架構(gòu),無論在關(guān)鍵的云端資料中心,或遠(yuǎn)程的行動系統(tǒng),皆可促進(jìn)大數(shù)據(jù)(Big Data)與快數(shù)據(jù)(Fast...

2017-12-30 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)RISC-V 1243

發(fā)起硬盤效能新革命 希捷強(qiáng)推Multi Actuator技術(shù)

希捷推動了硬碟效能的新一輪革命,發(fā)表了Multi Actuator技術(shù),可以讓新世代硬碟提升雙倍效能,可以享受硬碟最高效能的同時兼顧管理大量持續(xù)爆炸性增長的資料。...

2017-12-29 標(biāo)簽:硬盤希捷 3055

下一代存儲芯片,國產(chǎn)芯片商開始彎道超車!

最近,一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上,有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實性,因為貼紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣,對應(yīng)的其實...

2017-12-29 標(biāo)簽:存儲器DDR4紫光國芯 3719

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入...

2017-12-28 標(biāo)簽:華虹半導(dǎo)體嵌入式閃存 1874

紫光DDR4內(nèi)存正在路上 預(yù)計明年推向市場

回首過去一年的存儲芯片市場,漲價永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞,一連7個季度的漲價,這是由于閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因,中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國產(chǎn)...

2017-12-28 標(biāo)簽:DDR4紫光國芯 1754

芯片漲價被中國發(fā)改委監(jiān)控 調(diào)查是否存在價格操縱

一連7季度的芯片漲價透露了異常的市場起伏,現(xiàn)在中國發(fā)改委對芯片漲價事件異常關(guān)注,將會深入調(diào)查是否存在潛在價格操縱。...

2017-12-28 標(biāo)簽:三星電子存儲芯片SK海力士 1953

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

香港, 2017年12月27日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體有限公司 (華虹半導(dǎo)體或公司,連同其附屬公司,統(tǒng)稱集團(tuán),股份代號:1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (...

2017-12-27 標(biāo)簽:存儲器華虹半導(dǎo)體嵌入式閃存 11177

傳紫光將與SK海力士就閃存技術(shù)許可達(dá)成合作

網(wǎng)上有傳聞紫光集團(tuán)已經(jīng)和SK海力士達(dá)成了合作,合作的內(nèi)容是就芯片閃存技術(shù)許可相關(guān)事宜。不久紫光集團(tuán)馬上出來澄清,表示未與SK海力士進(jìn)行任何事宜談判或合作,純屬捕風(fēng)捉影的市場傳...

2017-12-27 標(biāo)簽:閃存技術(shù)SK海力士紫光集團(tuán) 1188

東芝計劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下

據(jù)悉,東芝的第 6 座工廠(Fab 6)還沒有完工,東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠,韋德就是能在2018年與三星,Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一...

2017-12-27 標(biāo)簽:東芝三星電子intelSK海力士 2253

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場商機(jī)

三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。...

2017-12-27 標(biāo)簽:DRAM三星電子10納米工藝 1230

dsp芯片可分為哪幾個存儲區(qū)

DSP即數(shù)字信號處理技術(shù),DSP芯片即指能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)字信號處理技術(shù)的芯片。DSP芯片的內(nèi)部采用程序和數(shù)據(jù)分開的哈佛結(jié)構(gòu),具有專門的硬件乘法器,廣泛采用流水線操作,提供特殊的DSP指令,可以...

2017-12-27 標(biāo)簽:DSP芯片 8194

搶奪英特爾在芯片領(lǐng)域?qū)氉?三星稱王

芯片領(lǐng)域英特爾占據(jù)25年來的霸主,這25年以來,鮮有可以與其比肩的對手。2017年的格局終于被打破,Intel丟掉了全球最大芯片廠商寶座,后繼者是靠存儲芯片飆升的三星。...

2017-12-26 標(biāo)簽:英特爾三星電子存儲芯片 1239

SSD市場出貨量排名:金泰克奪魁,三星居八

最近SSD最新出貨量的數(shù)據(jù)已經(jīng)出爐,位居前五的分別是金泰克、臺電、金士頓、七彩虹、影馳。其中三星落后在第八名。...

2017-12-25 標(biāo)簽:三星電子臺電SSD 1983

Intel第三代1TB 3D閃存 單Die將升級到512Gb

在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級到了512Gb,不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。...

2017-12-25 標(biāo)簽:intel3D閃存 3790

三星存儲業(yè)務(wù)派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵

三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。...

2017-12-25 標(biāo)簽:三星電子SK海力士 1111

內(nèi)存市場狀況分析:2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過于求

近一年來了內(nèi)存價格的起伏不定,準(zhǔn)確的說是水漲船高,明年的市場狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。...

2017-12-25 標(biāo)簽:DRAMNAND 1657

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