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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

智能卡的邊頻攻擊及安全防范

分析智能卡面臨的安全攻擊,研究相應(yīng)的防御措施,對(duì)于保證整個(gè)智能卡應(yīng)用系統(tǒng)的安全性有重大意義。下面分析目前主要的智能卡攻擊技術(shù)之一——邊頻攻擊技術(shù),并有針對(duì)性地提出相應(yīng)的安全...

2011-02-25 標(biāo)簽:智能卡安全防范安全防范智能卡邊頻攻擊 1861

虛擬化存儲(chǔ)分層技術(shù)

現(xiàn)如今,任何技術(shù)幾乎都可以虛擬化,按照這種邏輯的話,存儲(chǔ)當(dāng)然也不例外。這意味著要隱藏虛擬層之后發(fā)生的一切——包括分層,分層概念在本質(zhì)上很簡(jiǎn)單,即在成本效益的基礎(chǔ)上,將數(shù)據(jù)...

2011-02-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)虛擬化分層 1169

自動(dòng)精簡(jiǎn)配置存儲(chǔ)方案選型分析

自動(dòng)精簡(jiǎn)配置存儲(chǔ)方案能夠給操作系統(tǒng)提供大容量的虛擬驅(qū)動(dòng)器。這種技術(shù)的核心是“欺騙”。簡(jiǎn)單的說(shuō),實(shí)際的物理存儲(chǔ)設(shè)備可能并沒(méi)有這么多,而讓操作系統(tǒng)認(rèn)為有這么大的存儲(chǔ)空間...

2011-02-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)存儲(chǔ)自動(dòng)精簡(jiǎn)配置 1048

CES 2011:移動(dòng)存儲(chǔ)趨勢(shì)展望

CES大展剛剛結(jié)束,我們可以清晰的看出,NAND閃存在本次CES大展上表現(xiàn)得特別搶眼,廠商都展示了它在手機(jī)以及各個(gè)存儲(chǔ)相關(guān)產(chǎn)品中的日益重要的角色...

2011-02-14 標(biāo)簽:CES存儲(chǔ) 831

DS3645適用于網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器的安全存儲(chǔ)器

DS3645是一款具有4096字節(jié)SRAM的安全監(jiān)控電路,可提供敏感數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)以及物理篡改檢測(cè)保護(hù)功能,適用于加密處理器和數(shù)據(jù)安全設(shè)備等應(yīng)用。...

2011-02-11 標(biāo)簽:網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器安全存儲(chǔ)器DS3645安全存儲(chǔ)器網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器 1837

MAX66140集成ISO 15693兼容安全存儲(chǔ)器

MAX66140在單一芯片集成了1024位EEPROM,存儲(chǔ)器每8個(gè)字節(jié)構(gòu)成一個(gè)數(shù)據(jù)塊,共包括16個(gè)數(shù)據(jù)塊,另外還包括其它三個(gè)模塊—一個(gè)用于密鑰,兩個(gè)用于數(shù)據(jù)和控制寄存器...

2011-02-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器ISO15693ISOMAX66140存儲(chǔ)器 1524

四大RAID存儲(chǔ)詳解

最近五到十年似乎出現(xiàn)這樣一種誤解,認(rèn)為RAID可以等同于系統(tǒng)備份。而事實(shí)并非如此。RAID只是容錯(cuò)的一種形式,下面讓我們來(lái)逐個(gè)分析這些選擇并討論一些基本的數(shù)據(jù) ...

2011-01-30 標(biāo)簽:存儲(chǔ)RAID 1580

容量擴(kuò)展技術(shù)擴(kuò)展數(shù)字存儲(chǔ)空間

容量擴(kuò)展技術(shù)擴(kuò)展數(shù)字存儲(chǔ)空間

數(shù)字內(nèi)容的爆炸式增長(zhǎng)大大推動(dòng)了數(shù)字家庭對(duì)于以磁盤(pán)為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)需求。容量擴(kuò)展使用存儲(chǔ)處理器,將硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器連接在一起,并允許它們以單個(gè)驅(qū)動(dòng)器的方式運(yùn)行。容量擴(kuò)展在概念上非常簡(jiǎn)...

2011-01-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)容量擴(kuò)展 1166

瑞薩電子推出面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品

瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM。...

2011-01-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器網(wǎng)絡(luò)設(shè)備瑞薩電子 905

ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)

NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)...

2011-01-20 標(biāo)簽:閃存ClearNAND閃存 1683

起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法

起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響,適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。...

2011-01-18 標(biāo)簽: 1591

鐵電存儲(chǔ)器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文采用W78E516B單片機(jī)為核心來(lái)外擴(kuò)FM1808存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)電路,并成功地運(yùn)用到了綜合驗(yàn)光儀的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。該存儲(chǔ)系統(tǒng)降低了電路的復(fù)雜性,保證了數(shù)據(jù)的可靠,在整個(gè)綜合驗(yàn)光儀的使用中...

2011-01-18 標(biāo)簽: 2347

Exar發(fā)布Express DX1845高性能數(shù)據(jù)安全和縮減

Exar公司于近日發(fā)布Express DX1845高性能數(shù)據(jù)安全和縮減卡。DX1845為保護(hù)和優(yōu)化企業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)提供了一個(gè)簡(jiǎn)便、高效能的解決方案。新的數(shù)據(jù)安全和縮減卡將數(shù)據(jù)處理任務(wù)從主機(jī)...

2010-12-31 標(biāo)簽:DXDXExpress 1451

基于單片機(jī)的超大容量存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

基于單片機(jī)的超大容量存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

  0 引言   隨著信息技術(shù)的發(fā)展,在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中需要采集存儲(chǔ)的信息越來(lái)越多,相應(yīng)地使用了各種數(shù)據(jù)采集裝置,以獲得被研究對(duì)象的相關(guān)信息。有時(shí)為了節(jié)約時(shí)間...

2010-12-27 標(biāo)簽:單片機(jī)存儲(chǔ)器 1557

SDXC Class10大容量、高傳輸速度存儲(chǔ)卡

  勁永國(guó)際(PQI)推出SDXC Class10大容量、高傳輸速度存儲(chǔ)卡,針對(duì)目前市場(chǎng)上追求高畫(huà)質(zhì)的需求,提供能支援大量高解析...

2010-12-24 標(biāo)簽:ClassSDXC 1807

華北工控網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)產(chǎn)品在NVR系統(tǒng)中的應(yīng)用

  近年來(lái)網(wǎng)絡(luò)視頻監(jiān)控產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫,視頻監(jiān)控管理應(yīng)用開(kāi)始進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)化時(shí)代,從前端視頻采集、視頻數(shù)據(jù)傳輸、到后端視頻管理及存儲(chǔ)備份都與網(wǎng)絡(luò)密切相關(guān),于是NVR取代了DV...

2010-12-20 標(biāo)簽:NVR網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) 1739

DS2431  1024位1-Wire EEPROM芯片

DS2431 1024位1-Wire EEPROM芯片

  DS2431是一款1024位1-Wire® EEPROM芯片,由四頁(yè)存儲(chǔ)區(qū)組成,每頁(yè)256位。數(shù)據(jù)先被寫(xiě)入一個(gè)8字節(jié)暫存器中,經(jīng)校驗(yàn)...

2010-12-11 標(biāo)簽:1-WDS2431 7032

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感...

2010-12-10 標(biāo)簽:串行接口串行接口串行接口鐵電隨機(jī)存 1266

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控...

2010-12-07 標(biāo)簽:DS1250WSR 1277

DS1250 4096k、非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及...

2010-12-07 標(biāo)簽:DS1250DS1250非易失 1793

支持工控計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的寬溫內(nèi)存iDIMM

支持工控計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的寬溫內(nèi)存iDIMM

  2010年由工控內(nèi)存大廠Innodisk推出一系列支持專(zhuān)業(yè)工控計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的寬溫內(nèi)存iDIMM, iDIMM 比一般標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存能提供系統(tǒng)...

2010-12-07 標(biāo)簽:內(nèi)存內(nèi)存工控計(jì)算機(jī) 1669

DS3660 安全存儲(chǔ)器和可編程篡改檢測(cè)加密處理器

  在DS3660是一個(gè)1024字節(jié)的SRAM為敏感數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)和安全管理器的物理篡改檢測(cè)的加密處理器和數(shù)據(jù)安全設(shè)備所需的響應(yīng)函數(shù)。低電壓操作允許主機(jī)微處理器接口和可選的外部...

2010-12-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DS3660存儲(chǔ)器 908

LSI推出CTS2600系列可配置存儲(chǔ)組件

  日前,LSI 公司在華推出 CTS2600 系列可配置存儲(chǔ)組件,為白盒渠道合作伙伴構(gòu)建、定制、貼牌以及銷(xiāo)售豐富的外部存...

2010-11-29 標(biāo)簽:LSICTS260LSI 1327

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)FPGA實(shí)現(xiàn)

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)FPGA實(shí)現(xiàn)

  本文提出了一種基于文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),該系統(tǒng)利用FPGA設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)化狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)對(duì)SDRAM的控制,完成...

2010-11-25 標(biāo)簽:SDRAM數(shù)據(jù)緩存 1529

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控...

2010-11-24 標(biāo)簽:DS1230W非易 2160

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路...

2010-11-24 標(biāo)簽:非易DS1245W非易 1208

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

  DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控...

2010-11-24 標(biāo)簽:非易DS1249W非易 1128

具有數(shù)據(jù)自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件

  Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)和奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評(píng)測(cè)第三代數(shù)據(jù)豐富自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件。Ramtron的MaxArias...

2010-11-24 標(biāo)簽:自動(dòng)識(shí)別MaxAr自動(dòng)識(shí)別 936

基于PCIe的WarpDrive SLP-300加速卡

  日前,LSI 公司面向渠道供應(yīng)商推出 LSI WarpDrive SLP-300 加速卡,該款 PCI Express (PCIe) 卡能夠提供高達(dá) 240,000 的持續(xù) IOPS...

2010-11-23 標(biāo)簽:PCIePCIeWarpD 1522

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

  簡(jiǎn)介   嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃...

2010-11-17 標(biāo)簽:閃存閃存閃存微控制器 1017

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