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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì)演講嘉賓陣容揭曉,產(chǎn)業(yè)大咖齊聚深圳!

第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì)演講嘉賓陣容揭曉,產(chǎn)業(yè)大咖齊聚深圳!

2025年9月24-25日 ,由深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)、北京大學(xué)集成電路學(xué)院主辦,愛集微(上海)科技有限公司協(xié)辦的“ 第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì) (Fourth Global Memory Innovation Forum)”將在深圳灣萬麗酒店...

2025-09-11 標(biāo)簽: 1449

長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC450商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC450商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的上一代OEM PCIe 4.0 SSD產(chǎn)品PC411憑借著優(yōu)秀的品質(zhì)得到了廣大用戶的認(rèn)可,獲得了良好的市場(chǎng)表現(xiàn)。時(shí)隔兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了PC411的后續(xù)型號(hào)PC450。...

2025-09-11 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4359

?TPS65295 DDR4內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

?TPS65295 DDR4內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器(VPP 和 VDDQ)以及一個(gè) 1A...

2025-09-09 標(biāo)簽:電容器內(nèi)存DDR4開關(guān)頻率同步降壓轉(zhuǎn)換器 2173

紫光國(guó)芯亮相2025世界智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

紫光國(guó)芯亮相2025世界智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

2025年9月5日至8日,以“智匯八方·博采眾長(zhǎng)”為主題的2025世界智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在重慶國(guó)際博覽中心舉辦。紫光國(guó)芯攜LPDDR4(x)等多款高可靠車規(guī)芯片產(chǎn)品和智能駕駛核心解決方案亮相中國(guó)芯展區(qū)...

2025-09-08 標(biāo)簽:汽車芯片LPDDR4紫光國(guó)芯 3877

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲(chǔ)與釋放來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。...

2025-09-08 標(biāo)簽:DRAMNANDFlaSh存儲(chǔ)器 7889

端側(cè)AI“堆疊DRAM”技術(shù),這些國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力!

端側(cè)AI“堆疊DRAM”技術(shù),這些國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力!

? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)邊緣AI需要更快更大容量的存儲(chǔ),為了突破接口速率、物理距離等因素,適用于AI推理的新型存儲(chǔ)技術(shù)受到更多的關(guān)注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲(chǔ)...

2025-09-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)BHM存儲(chǔ) 12945

PCIe 6.0 SSD主控芯片狂飆!PCIe 7.0規(guī)范到來!

PCIe 6.0 SSD主控芯片狂飆!PCIe 7.0規(guī)范到來!

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,早在2022年1月,PCI-SIG 組織正式發(fā)布了 PCIe 6.0 標(biāo)準(zhǔn),與 PCIe 5.0 相比帶寬再次翻倍,達(dá)到64 GT / s。 ? PCIe 6.0×16 通道的帶寬達(dá)到256 GB / s,并且延遲相比上一代更低。PC...

2025-09-07 標(biāo)簽: 8718

得一微eMMC高速接口協(xié)議降低車載觸控延遲?

得一微eMMC高速接口協(xié)議降低車載觸控延遲?

在智能座艙中,車載觸摸屏的流暢體驗(yàn)高度依賴高性能存儲(chǔ)。得一微電子(YEESTOR)的 SGM8005H 4GB eMMC 憑借 pSLC技術(shù) 實(shí)現(xiàn)95MB/s讀取速度與3萬次擦寫壽命,其 -40℃~105℃寬溫域 和 50G抗振 能力滿足車...

2025-09-05 標(biāo)簽:車載高速接口emmceMMC NAND 3157

東芯半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展

2025年8月26-28日,深圳國(guó)際電子展在深圳會(huì)展中心即將圓滿落幕。本次展會(huì)集中展示AI與算力芯片、存儲(chǔ)、嵌入式AI、電源及能源電子、高性能電子元器件、Chiplet異構(gòu)集成生態(tài)等前沿產(chǎn)品與技術(shù)及...

2025-09-05 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)芯片東芯半導(dǎo)體 2627

【GMIF2025年度大獎(jiǎng)】申報(bào)火熱進(jìn)行中!見證存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)桿力量!

【GMIF2025年度大獎(jiǎng)】申報(bào)火熱進(jìn)行中!見證存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)桿力量!

2025年上半年,AI應(yīng)用從“技術(shù)驗(yàn)證”邁入“商業(yè)放量”新階段,推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入”結(jié)構(gòu)性升級(jí)“新格局。在大模型訓(xùn)練、AI服務(wù)器及智能數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁拉動(dòng)下,高端DRAM與高密度NAND需求持續(xù)...

2025-09-04 標(biāo)簽: 1208

憶聯(lián)參與制定消費(fèi)級(jí)SSD團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式出版

憶聯(lián)參與制定消費(fèi)級(jí)SSD團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式出版

在AI PC爆發(fā)、數(shù)據(jù)價(jià)值凸顯的當(dāng)下,存儲(chǔ)設(shè)備已超越簡(jiǎn)單容器,成為智能體驗(yàn)基石,其性能與可靠性直接關(guān)乎用戶效率與資產(chǎn)安全。然而,消費(fèi)級(jí)SSD長(zhǎng)期缺乏統(tǒng)一權(quán)威的可靠性標(biāo)準(zhǔn),使廠商缺乏...

2025-09-04 標(biāo)簽:SSDAI固態(tài)硬盤 1562

容量可達(dá)245.76TB,鎧俠企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD迎來全面升級(jí)

容量可達(dá)245.76TB,鎧俠企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD迎來全面升級(jí)

鎧俠正式發(fā)布了LC9系列、CM9系列以及CD9P系列企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD,全新的系列可更好的滿足AI計(jì)算存儲(chǔ)需求,并適用于云端應(yīng)用、在線交易和虛擬化等多種應(yīng)用場(chǎng)景。...

2025-09-02 標(biāo)簽:SSD數(shù)據(jù)中心HDD鎧俠 2294

存儲(chǔ)無限 智聯(lián)未來!宏芯宇攜全棧產(chǎn)品精彩亮相elexcon2025

存儲(chǔ)無限 智聯(lián)未來!宏芯宇攜全棧產(chǎn)品精彩亮相elexcon2025

依托多年深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)積累與持續(xù)的研發(fā)投入,宏芯宇已實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)自主可控—— 在 eMMC、PCIe SSD、SATA SSD、USB、UFS 五大主流存儲(chǔ)品類中,布局了自研主控芯片,產(chǎn)品覆蓋 AI 手機(jī)、AI...

2025-08-29 標(biāo)簽:usb存儲(chǔ)PCIeemmcUFS 2977

康盈半導(dǎo)體圓桌會(huì)議聚焦AI眼鏡產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

8 月 26 日,elexcon 2025 深圳國(guó)際電子展在深圳福田會(huì)展中心盛大啟幕。在康盈半導(dǎo)體 “小而不凡 速啟 AI 未來” 主題發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng),一場(chǎng)聚焦 AI 眼鏡賽道的圓桌論壇成為全場(chǎng)焦點(diǎn)。...

2025-08-28 標(biāo)簽:嵌入式康盈半導(dǎo)體AI眼鏡 6021

華邦電子重新定義AI內(nèi)存:為新一代運(yùn)算打造高帶寬、低延遲解決方案

華邦電子重新定義AI內(nèi)存:為新一代運(yùn)算打造高帶寬、低延遲解決方案

本文將探討內(nèi)存技術(shù)的最新突破、AI 應(yīng)用日益增長(zhǎng)的影響力,以及華邦如何透過策略性布局響應(yīng)市場(chǎng)不斷變化的需求。...

2025-08-28 標(biāo)簽:內(nèi)存華邦電子CUBECUBEHBM3EHPC內(nèi)存華邦電子 4706

康盈半導(dǎo)體AI應(yīng)用存儲(chǔ)新品震撼發(fā)布,elexcon 2025 現(xiàn)場(chǎng)引爆行業(yè)關(guān)注

康盈半導(dǎo)體AI應(yīng)用存儲(chǔ)新品震撼發(fā)布,elexcon 2025 現(xiàn)場(chǎng)引爆行業(yè)關(guān)注

AI眼鏡等AI終端領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)品:ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片,擁有多容量組合,如8GB+8Gb、32GB+16Gb、32GB+32Gb、64GB+16Gb、64GB +32Gb,產(chǎn)品通過了主流平臺(tái)認(rèn)證,性能優(yōu)異,順序讀取速度高達(dá)300MB/s,順序?qū)懭胨?..

2025-08-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片emmc康盈半導(dǎo)體AI眼鏡 31420

NVMe高速傳輸之?dāng)[脫XDMA設(shè)計(jì)23:UVM驗(yàn)證平臺(tái)

NVMe高速傳輸之?dāng)[脫XDMA設(shè)計(jì)23:UVM驗(yàn)證平臺(tái)

NVMe over PCIe采用 AXI4-Lite 接口、AXI4 接口和 PCIe3.0X4 接口,其中AXI4-Lite 和 AXI4 總線接口均可抽象為總線事務(wù),而 PCIe 接口信號(hào)可被抽象為 PCIeTLP 事務(wù),因此為了方便的在事務(wù)層構(gòu)建復(fù)雜的測(cè)試用例...

2025-08-25 標(biāo)簽:PCIe高速存儲(chǔ)nvmeFGPAnvmePCIe高速存儲(chǔ) 3294

瀾起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新榮膺《財(cái)富》中國(guó)科技50強(qiáng)

瀾起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新榮膺《財(cái)富》中國(guó)科

近日,《財(cái)富》雜志正式發(fā)布“中國(guó)科技50強(qiáng)”榜單,瀾 起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新與全球影響力成功入選,成為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)實(shí)力與國(guó)際化發(fā)展兼?zhèn)涞慕?..

2025-08-25 標(biāo)簽:內(nèi)存瀾起科技MDBpcle 2817

曝多家SSD廠商中招!系統(tǒng)更新致SSD故障!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道, 據(jù) 外媒報(bào)道 ,微軟最新的Windows 11安全更新 后,用戶 在大量文件傳輸過程中導(dǎo)致SSD故障。此事由日本玩家率先發(fā)現(xiàn),在更新游戲《 Cyberpunk 2077 》時(shí),SSD突然無法被系...

2025-08-24 標(biāo)簽:微軟SSD 7676

傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證,量產(chǎn)在即

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)報(bào)道,有業(yè)內(nèi)人士透露,三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品,目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測(cè)試,將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟,...

2025-08-23 標(biāo)簽:英偉達(dá)三星HBM4 7913

通過PCIe插槽硬盤盒優(yōu)化企業(yè)級(jí)U.2/U.3 SSD存儲(chǔ)方案

通過PCIe插槽硬盤盒優(yōu)化企業(yè)級(jí)U.2/U.3 SSD存儲(chǔ)方案

存儲(chǔ)擴(kuò)展本不該如此復(fù)雜隨著企業(yè)數(shù)據(jù)不斷增長(zhǎng),管理者需要處理更大容量的資源,向系統(tǒng)中添加NVMeSSD并非總是易事。對(duì)于傳統(tǒng)配置而言,空間有限、線纜雜亂、散熱不暢等因素都是傳統(tǒng)部署...

2025-08-21 標(biāo)簽:SSD硬盤盒U.2接口pcie插槽SSDU.2接口硬盤盒 2130

憶聯(lián)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤UH812a評(píng)測(cè)

憶聯(lián)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤UH812a評(píng)測(cè)

近日,國(guó)內(nèi)知名計(jì)算機(jī)硬件評(píng)測(cè)媒體PCEVA對(duì)憶聯(lián)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤UH812a進(jìn)行了全面評(píng)測(cè),測(cè)試數(shù)據(jù)顯示該產(chǎn)品不僅在性能上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,更在Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)、VSI虛擬化及VDI桌面云等企業(yè)...

2025-08-21 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)SSDPCIe固態(tài)硬盤 4857

東芝硬盤榮獲開放計(jì)算最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)

日前,由全球最大的開放計(jì)算社區(qū)OCP主辦的2025開放計(jì)算技術(shù)大會(huì)在北京舉行,該會(huì)議是開放計(jì)算領(lǐng)域生態(tài)覆蓋最廣且最具影響力、匯集IT業(yè)界領(lǐng)袖探討最前沿開放創(chuàng)新成果的年度盛會(huì)。...

2025-08-19 標(biāo)簽:東芝硬盤AI 2379

Flash閃存-RSUN2M:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能存儲(chǔ)新體驗(yàn)

Flash閃存-RSUN2M:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能存儲(chǔ)新體驗(yàn)

在萬物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時(shí)代,存儲(chǔ)器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲(chǔ)器,以卓越性能、極致設(shè)計(jì)與全面保障,為各類智能設(shè)...

2025-08-19 標(biāo)簽:閃存FlaShSPI 2216

ISSI SRAM冗余存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)通信模塊故障0延時(shí)切換?

ISSI SRAM冗余存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)通信模塊故障0延時(shí)切換?

IS61WV102416EDBLL-10TLI以10ns零延遲、1.8μA超低功耗、50G抗振及內(nèi)置ECC,破解工業(yè)通信實(shí)時(shí)性與可靠性難題,成為5G工廠與智能電網(wǎng)的存儲(chǔ)基石。...

2025-08-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片ISSIsram存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片 1598

憶聯(lián)新一代eMMC 5.1產(chǎn)品重塑智能終端存儲(chǔ)體驗(yàn)

憶聯(lián)新一代eMMC 5.1產(chǎn)品重塑智能終端存儲(chǔ)體驗(yàn)

面對(duì)智能終端超高清化、強(qiáng)交互性演進(jìn)帶來的存儲(chǔ)容量與能效雙重升級(jí)需求,憶聯(lián)新一代eMMC 5.1產(chǎn)品應(yīng)時(shí)而生,憑借三大核心競(jìng)爭(zhēng)力精準(zhǔn)解決市場(chǎng)痛點(diǎn)。...

2025-08-19 標(biāo)簽:嵌入式AIemmc 2539

DDR4堆疊模組的熱仿真案例分析

DDR4堆疊模組的熱仿真案例分析

在電子設(shè)備的散熱設(shè)計(jì)中,熱阻(Thermal Resistance)是一個(gè)至關(guān)重要的物理量,它定量描述了材料或系統(tǒng)對(duì)熱量傳遞的阻礙能力。從本質(zhì)上看,熱阻是熱傳遞路徑上的“阻力標(biāo)尺”,其作用可類比...

2025-08-18 標(biāo)簽:封裝熱阻散熱DDR4 3703

紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

在2025年北京國(guó)際廣播電影電視展覽會(huì)(BIRTV)上,紫光閃芯公司產(chǎn)品紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0 M.2固態(tài)硬盤與ARECA公司ARC-1689-8N型號(hào)控制器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,在展會(huì)上展示了這一極具競(jìng)爭(zhēng)力的組合方案。...

2025-08-18 標(biāo)簽:SSDAI固態(tài)硬盤紫光 3016

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置(3)

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置(3)

詳細(xì)了解硬件信息,包括#DDR 顆粒的型號(hào)、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù),以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進(jìn)行準(zhǔn)確配置的基礎(chǔ),直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)...

2025-08-13 標(biāo)簽:處理器DDR內(nèi)存瑞薩MPU 3921

DRAM定價(jià)提升帶來營(yíng)收上揚(yáng)!受益于AI數(shù)據(jù)中心需求,美光上調(diào)第四財(cái)季營(yíng)收和盈利預(yù)期

DRAM定價(jià)提升帶來營(yíng)收上揚(yáng)!受益于AI數(shù)據(jù)中心需求,美光上調(diào)第四財(cái)季營(yíng)收和盈

8月11日,美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光科技公司發(fā)布截止8月28日的第四財(cái)季預(yù)報(bào),公司預(yù)計(jì)該財(cái)季營(yíng)收將達(dá)到112億美元,上下浮動(dòng)1億美元,受樂觀業(yè)績(jī)指引的影響,該公司股價(jià)周一開盤后不久上漲逾...

2025-08-12 標(biāo)簽:amdAI美光HBM3E 9353

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