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莫大康:存儲(chǔ)器格局還會(huì)有變數(shù)

章鷹觀察 ? 來(lái)源:求是源半導(dǎo)體 ? 作者:莫大康 ? 2019-10-14 17:13 ? 次閱讀
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全球存儲(chǔ)器壟斷格局已經(jīng)持續(xù)近20年,按2018年12月數(shù)據(jù),韓國(guó)三星,海力士總計(jì)獲得DRAM的73%及NAND閃存52%的市場(chǎng)份額。但是據(jù)觀察,未來(lái)這樣的壟斷格局遲早可能會(huì)發(fā)生改變。

根本原因是市場(chǎng)中的利益不可能長(zhǎng)久獨(dú)占,到時(shí)候一定會(huì)分化,它是全球市場(chǎng)化的基本規(guī)則。

存儲(chǔ)器業(yè)前景看好

美光副總裁Sumit Sadana認(rèn)為存儲(chǔ)器業(yè)將迎來(lái)未來(lái)10-20年的好光景。按照成長(zhǎng)率計(jì),NAND的年均增長(zhǎng)率可達(dá)35%,以及DRAM為15-19%。

因?yàn)榇鎯?chǔ)器是伴隨著計(jì)算機(jī)業(yè)成長(zhǎng)與進(jìn)步,開(kāi)初時(shí)CPU與存儲(chǔ)器的銷售額為近1:1,如今在移動(dòng)時(shí)代,加上AI,5G及大數(shù)據(jù)等共同推動(dòng)下,存儲(chǔ)器的使用量大幅上升,在2018年已經(jīng)達(dá)到3:1,存儲(chǔ)器的銷售額已達(dá)1,600億美元。

阿里云智聯(lián)網(wǎng)首席科學(xué)家丁險(xiǎn)峰預(yù)測(cè),2030年大陸將會(huì)設(shè)計(jì)制造世界上80~90%的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及50%的云端運(yùn)算。80%的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備不僅制造在大陸,設(shè)計(jì)也在大陸。物聯(lián)網(wǎng)是高度碎片化的市場(chǎng),必須有大量的工程師支持各種應(yīng)用場(chǎng)景。大陸的認(rèn)知運(yùn)算將占據(jù)全球一半以上。

IDC預(yù)測(cè)2020年全球數(shù)據(jù)總量將突破40ZB,到2025年,全球聯(lián)網(wǎng)設(shè)備一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量達(dá)到79.4ZB。在阿里云棲大會(huì)上,阿里巴巴董事長(zhǎng)張勇提出的公開(kāi)預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,到2025年,全球一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)將達(dá)175ZB,是IDC預(yù)測(cè)的兩倍。

雖然全球數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長(zhǎng),但是數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)卻面臨很大的挑戰(zhàn),那就是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)追不上數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的速度。

從歷史的數(shù)據(jù)看,2018年全球生成了32ZB的數(shù)據(jù)但是只有5ZB的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)下來(lái),預(yù)計(jì)到2023年,全球會(huì)有103ZB數(shù)據(jù)產(chǎn)生,但是能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)只有12ZB!所以只有不到10%的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)!

為什么全球存儲(chǔ)器產(chǎn)能不會(huì)同步的跟進(jìn)?這是個(gè)非常現(xiàn)實(shí)的問(wèn)題,由于產(chǎn)能擴(kuò)充需要投入大量的資金,另外存儲(chǔ)器的價(jià)格與供求緊密相關(guān),所以每個(gè)大廠在產(chǎn)能擴(kuò)充方面都是十分謹(jǐn)慎。它們的邏輯是寧愿讓市場(chǎng)的供應(yīng)稍稍短缺一些。

再有存儲(chǔ)器的周期性起伏十分明顯,需要企業(yè)有充足的現(xiàn)金流支持。所以即便在市場(chǎng)態(tài)勢(shì)上升時(shí),存儲(chǔ)器的產(chǎn)能擴(kuò)充仍是緩慢的,不太可能急升。

據(jù)Gartner的預(yù)測(cè),2018年全球DRAM月產(chǎn)能總計(jì)約1250K片(12英寸計(jì)),其中三星為460K片,海力士350K及美光的345K。至2021年時(shí)估計(jì)新建產(chǎn)能再增加20-25萬(wàn)片。

另?yè)?jù)IBS的預(yù)測(cè),2018年全球NAND閃存月產(chǎn)能總計(jì)約為1450K,到2021年時(shí)約為1,700K,在此期間再增加新建產(chǎn)能約為300K,總計(jì)為月產(chǎn)能近2,000K。

強(qiáng)手都欲聚焦存儲(chǔ)器

“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,再好的企業(yè)也必須要具有危機(jī)感,想到“萬(wàn)一”情況出現(xiàn)時(shí)相應(yīng)的對(duì)策,如三星,已是連續(xù)多年全球存儲(chǔ)器老大,2018年它的存儲(chǔ)器利潤(rùn)創(chuàng)新高,但是近期它宣布在未來(lái)的10年中要總投資達(dá)1,000億美元,欲奪取全球代工的首位。

再如英特爾,它己連續(xù)多年是全球半導(dǎo)體銷售額的首位,雖然它是全球最早做存儲(chǔ)器的企業(yè)之一,但是之后離開(kāi)存儲(chǔ)器集中力量做處理器。如今時(shí)隔34年后它宣布要重返存儲(chǔ)器市場(chǎng)。發(fā)布新一代存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)戰(zhàn)略,將炮火瞄準(zhǔn)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體大廠三星電子和SK海力士。

英特爾為何選擇向存儲(chǔ)器市場(chǎng)進(jìn)攻呢?它的高級(jí)副總裁兼非易失性存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理羅布?克魯克解釋,因?yàn)榇鎯?chǔ)器和CPU有密不可分的關(guān)系,為加強(qiáng)CPU潛力,因此選擇進(jìn)軍存儲(chǔ)器,并決定再擴(kuò)新墨西哥州的新生產(chǎn)線。

值得注意的是英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術(shù),號(hào)稱是25年來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的革命性突破,速度是目前NAND閃存的1000倍,耐用性也是目前閃存的1000倍,密度是NAND的10倍。

英特爾指出,機(jī)器所產(chǎn)生的大量資料通常需透過(guò)實(shí)時(shí)分析后,才能賦予數(shù)據(jù)價(jià)值。此項(xiàng)需求凸顯了內(nèi)存儲(chǔ)層級(jí)結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的缺口,即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過(guò)Optane DC持續(xù)性內(nèi)存來(lái)填補(bǔ),就連更大量的數(shù)據(jù)集(data set)也可透過(guò)儲(chǔ)存接口連接的Optane技術(shù)來(lái)填補(bǔ)缺口。

然而英特爾能否如愿以償,決定于3D Xpoint產(chǎn)品能否取得眾多服務(wù)器客戶的青睞,目前尚為時(shí)過(guò)早。

另外,如全球代工的臺(tái)積電,實(shí)際上它一直在作嵌入式存儲(chǔ)器的代工。但是它至今并未表示要向存儲(chǔ)器進(jìn)軍。僅是業(yè)界有人認(rèn)為臺(tái)積電要保持“常青”,應(yīng)該及早跨入存儲(chǔ)器業(yè),此話并非一時(shí)沖動(dòng)。因?yàn)槿虼I(yè)中臺(tái)積電的市占己達(dá)54%,離第二名的三星有很大的距離。但是由于工藝制程技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入3nm,計(jì)劃向2nm挺進(jìn),甚至達(dá)1nm。不可否認(rèn)的事實(shí),僅5nm的工藝研發(fā)費(fèi)用為近5億美元,及3nm為近15億美元,業(yè)界預(yù)估2nm時(shí)可能高達(dá)65億美元。而7nm的一次工藝流片費(fèi)用約3,000萬(wàn)美元,及5nm的流片費(fèi)用高達(dá)約3億人民幣。

由此隨著定律接近終點(diǎn),工藝研發(fā)費(fèi)用呈火箭狀上升,能支持高額費(fèi)用的fabless越來(lái)越少。所以臺(tái)積電要開(kāi)辟新的戰(zhàn)場(chǎng)是理所當(dāng)然的事。

權(quán)衡比較,顯然存儲(chǔ)器業(yè)是“甜點(diǎn)”,因?yàn)樗氖袌?chǎng)容量大,成功的關(guān)鍵要充滿信心及大量資金投入,對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)技術(shù)可能不是阻礙。所以業(yè)界有人猜測(cè)臺(tái)積電要涉足存儲(chǔ)器也并非捕風(fēng)捉影。

至于臺(tái)積電會(huì)選擇DRAM,NAND,或是新型的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,業(yè)界預(yù)估非??赡苁切滦痛鎯?chǔ)器。

中國(guó)要加入存儲(chǔ)器行列

站在不同立場(chǎng),對(duì)于中國(guó)要加入存儲(chǔ)器行列的態(tài)度是截然不同。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)認(rèn)為中方消耗了近60%的全球存儲(chǔ)器,未來(lái)要實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,是理所當(dāng)然的事。至多從開(kāi)初到占領(lǐng)市場(chǎng)份額,會(huì)多化些時(shí)間。

但是部分西方業(yè)者并不同意此看法,甚至認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體涉足存儲(chǔ)器業(yè)可能會(huì)打亂國(guó)際上的平衡格局。

因此從國(guó)際分析機(jī)構(gòu)對(duì)于全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的預(yù)測(cè),至少在現(xiàn)階段,幾乎很少會(huì)把中國(guó)的投資及產(chǎn)能擴(kuò)充部分如實(shí)地考慮進(jìn)去。

中國(guó)涉足存儲(chǔ)器主要有兩個(gè)問(wèn)題,一個(gè)是技術(shù)從那里來(lái)?另一個(gè)是產(chǎn)業(yè)規(guī)模,存儲(chǔ)器必須要具足夠大的規(guī)模量產(chǎn),才能持續(xù)的生存下來(lái)。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)對(duì)于知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)一直以來(lái)予以足夠重視,因?yàn)榧訌?qiáng)研發(fā)必須要有知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)相匹配,才能起到相輔相成的作用。但是由于產(chǎn)業(yè)剛啟步,企業(yè)之間的認(rèn)知度尚有差異,所以需要有個(gè)熟悉及學(xué)習(xí)的過(guò)程。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)涉足存儲(chǔ)器完全是為了提高國(guó)產(chǎn)化的需求,一是肯定不會(huì)在全球稱霸,與韓國(guó),美國(guó)相抗衡,也缺乏實(shí)力,另一個(gè)中國(guó)是集國(guó)家之力攻克存儲(chǔ)器,因此一定能夠成功,無(wú)非是花的時(shí)間可能久些,但是國(guó)家意志已決,現(xiàn)階段的主要目標(biāo)是盡快地出產(chǎn)品,至于市占率剛開(kāi)始能達(dá)3-5%已經(jīng)相當(dāng)可觀,另外即便暫時(shí)有些虧損,對(duì)于國(guó)家而言也完全可以承受。所以對(duì)于中國(guó)要涉足存儲(chǔ)器業(yè),部分西方人士也應(yīng)該要正確的理解,總不能扼殺中國(guó)要自制自用部分存儲(chǔ)器的權(quán)利。同樣完全拿西方的經(jīng)驗(yàn)來(lái)觀察及分析中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展,可能未必能夠得出正確的結(jié)果。

結(jié)語(yǔ)

存儲(chǔ)器業(yè)壟斷格局不可能一成不變,此點(diǎn)可能連三星的心里也十分清楚。依目前態(tài)勢(shì)分析,壟斷格局可能分化,什么時(shí)間尚不可預(yù)測(cè)。除了強(qiáng)手及中國(guó)涉足之外,新型存儲(chǔ)器的“攪局”,目前的“候選者”也不少,可能是另一個(gè)變數(shù),但是哪一種能勝出,及在什么時(shí)間段開(kāi)始尚有待市場(chǎng)來(lái)抉擇。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要涉足存儲(chǔ)器業(yè)是國(guó)家意志,不會(huì)改變,要相信中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)會(huì)按照國(guó)際通用規(guī)則,一方面大力開(kāi)發(fā)IP,同時(shí)會(huì)尊重與保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),融合全球化之中。目前1xnm DRAM已取得實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展,正在繼續(xù)產(chǎn)能爬坡與擴(kuò)充。而3DNAND,長(zhǎng)江存儲(chǔ)擁有獨(dú)創(chuàng)的Xtaking技術(shù),它已從32層向64層過(guò)度,預(yù)計(jì)2020年也將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入存儲(chǔ)器業(yè)對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)應(yīng)該是件好事,它至少推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備及材料業(yè)的進(jìn)步,同時(shí)有利于全球存儲(chǔ)器業(yè)的轉(zhuǎn)型,相信在中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)參與下,通過(guò)市場(chǎng)的公平競(jìng)爭(zhēng),會(huì)對(duì)全球存儲(chǔ)器業(yè)發(fā)展作出更大貢獻(xiàn)。

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    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?813次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?846次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5641次閱讀

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析

    在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 09:33 ?2068次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>測(cè)試圖形技術(shù)解析
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