諾基亞9 PureView第二代或?qū)⒂诿髂瓿趺媸?，將延續(xù)HMD一貫傳統(tǒng)
諾基亞9 PureView在今年初推出，采用了高通驍龍845處理器，在這個2019年廠商瘋狂上馬驍龍855，甚至是驍龍855 Plus處理器的年代，諾基亞9 PureView搭載的驍龍845被鋒芒蓋過。諾基亞9 PureView第二代會帶來改變嗎？
據(jù)爆料消息，下一代旗艦諾基亞9 PureView第二代大概率也將面臨“過時處理器”的相同尷尬情況。
據(jù)介紹，諾基亞9 PureView五鏡頭相機是諾基亞手機HMD、高通、蔡司、Light共同合作開發(fā)，而當時使用了旗艦級的驍龍845作測試和調(diào)較，結(jié)果各種原因?qū)е轮Z基亞9 PureView延期推出。在正式推出時，競爭對手的安卓旗艦已經(jīng)開始搭載驍龍855處理器。
據(jù)消息人士@nokia_anew在Twitter透露，諾基亞手機下一代旗艦將會延續(xù)HMD一貫傳統(tǒng)，推文中還加上了#Qualcomm的標簽，@nokia_anew也在回復(fù)中表示跟處理器有關(guān)。但跡象表明，新一代旗艦將使用驍龍855或驍龍855 Plus處理器。
另外，之前也有消息指，諾基亞9 PureView繼任者最快明年初面世。
根據(jù)高通官方的消息，高通將在夏威夷標準時間12月3日/4日/5日每日上午9：00（北京時間12月4日/5日/6日每日清晨3：00）舉行驍龍年度技術(shù)峰會主題演講，預(yù)計將帶來驍龍865全新Soc芯片。
責任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20339瀏覽量
255342 -
諾基亞
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
3200瀏覽量
87755 -
高通驍龍
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1228瀏覽量
45852
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
1500kW閃充樁+第二代刀片電池，9分鐘充滿，比亞迪“顛覆性技術(shù)”亮相！
，實現(xiàn)車輛電量從10%充至70%只需5分鐘，從10%充至97%只需9分鐘，在零下30℃環(huán)境下從20%充至97%電量也僅需12分鐘，再次將電動汽車的充電速度以及續(xù)航里程提升到新的高度。 ? ? 第二代刀片電池，快充、安全、密度、壽
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強勁的多功能芯片解決方案
/G2M、RZ/G2N 和 RZ/G2E，憑借其卓越的性能和豐富的功能，成為眾多電子工程師的理想選擇。下面我們就來詳細了解一下這些產(chǎn)品的特點和優(yōu)勢。 文件下載： rzg2.pdf 產(chǎn)品概述 RZ/G 系列第二代產(chǎn)品旨在滿足各種應(yīng)用場景的需求，從工業(yè)自動化到智能家電，從汽車
第二代AMD VERSAL AI EDGE系列全面賦能汽車ADAS系統(tǒng)
選擇 AMD 自適應(yīng) SoC 和 FPGA 第二代 AMD Versal AI Edge 系列自適應(yīng) SoC 帶來一種高性能單芯片解決方案，為自動駕駛賦能助力。該系列器件配備用于 ISP 等功能
比亞迪自研BMS AFE芯片護航第二代刀片電池
近日，比亞迪“閃充中國 改變世界”發(fā)布會刷屏全網(wǎng)，“5分鐘充至70%、9分鐘充至97%”的全球量產(chǎn)最快閃充速度，徹底終結(jié)充電焦慮，讓“充電像加油一樣快”從口號變成現(xiàn)實。而在1500kW閃充樁、第二代
信號干擾、軌跡漂移成過去式？第二代UWB技術(shù)在復(fù)雜工況下的硬核突圍
四相科技第二代UWB通過物理層協(xié)議和信號頻段的優(yōu)化，實現(xiàn)了測距、功耗與安全性的全面升級，致力于為復(fù)雜工業(yè)環(huán)境提供更精準穩(wěn)定、更具“確定性”價值的解決方案。隨著技術(shù)生態(tài)的持續(xù)完善與應(yīng)用場景的不斷拓展，第二代UWB的性能與成本優(yōu)勢將愈發(fā)顯著，成為高精度定位領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵基
比亞迪正式發(fā)布第二代刀片電池及閃充技術(shù)
發(fā)布會現(xiàn)場，王傳福還宣布：所有搭載第二代刀片電池的閃充車車主，均享有重磅“閃充權(quán)益”，自交車之日起，在全國閃充站可享受1年的免費閃充權(quán)益，讓閃充體驗更暢快。并且，在閃充免費期結(jié)束后，也會同行業(yè)保持一致，不會額外收費。
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過提升性能、增強設(shè)計靈活性及魯棒性
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測試。
新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012
致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012，單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展，可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺
第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004
致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004，單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
評論